多方面的消息證明，碳化硅大戰(zhàn)一觸即發(fā)

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，2018年全球?qū)?huì)有超過(guò)20家的汽車(chē)業(yè)者，在OBC中使用SiC肖特基二極體(Schottky Diodes)或SiC MOSFET；未...

2018-12-18 標(biāo)簽：芯片功率器件SiC 5.2k 0

瑞薩電子中國(guó)董事長(zhǎng)真岡朋光：與中國(guó)攜手共進(jìn) 共創(chuàng)未來(lái)

真岡董事長(zhǎng)在演講中介紹，目前瑞薩電子主要產(chǎn)品包括微控制器（MCU）、片上系統(tǒng)（SoC）、模擬及功率器件等，廣泛應(yīng)用到汽車(chē)、工業(yè)、家電、辦公自動(dòng)化、AI、...

2018-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件瑞薩電子 7.1k 0

寬禁帶半導(dǎo)體器件的春天要來(lái)了嗎？

現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛(ài)高壓，轉(zhuǎn)向?qū)捊麕О雽?dǎo)體的高壓系統(tǒng)，是因?yàn)椋菏紫龋邏阂馕吨碗娏?，這也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會(huì)減少，結(jié)果會(huì)直接影響到系統(tǒng)成本的降低；其次...

2018-12-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)功率器件半導(dǎo)體器件 5.9k 0

GaN功率器件市場(chǎng)趨熱 英飛凌新方案細(xì)節(jié)曝光

CoolGaN是英飛凌GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）系列產(chǎn)品。最近該公司推出了兩款進(jìn)入量產(chǎn)的產(chǎn)品——CoolGaN 600 V增強(qiáng)型H...

2018-12-06 標(biāo)簽：英飛凌功率器件GaN 5.1k 0

盤(pán)點(diǎn)國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅概念股有哪些？碳化硅國(guó)內(nèi)企業(yè)有哪些？國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤(pán)點(diǎn)分析：英飛凌以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdS...

2018-12-06 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體功率器件 14.0萬(wàn) 0

中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)與美國(guó)的技術(shù)差距,華為對(duì)美國(guó)芯片的依賴

華為目前的兩大業(yè)務(wù)分別是通信設(shè)備和手機(jī)業(yè)務(wù)，這兩大業(yè)務(wù)的模擬芯片均主要來(lái)自于歐美企業(yè)，其中對(duì)美國(guó)模擬芯片企業(yè)博通和ADI的依賴性最大，而且相信在未來(lái)的十...

2018-12-03 標(biāo)簽：芯片華為功率器件 3.0萬(wàn) 0

探討功率器件的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)

由于以前器件的存在，多是分離式器件(discrete device)或模塊(module)形式，而不是更習(xí)見(jiàn)的集成電路封裝；其生產(chǎn)工廠多為傳統(tǒng)的6吋廠、...

2018-11-16 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 6.8k 0

英飛凌推出第二代適用于各式LIN伺服電機(jī)控制應(yīng)用的嵌入式功率器件

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出第二代嵌入式功率器件（ePower）。全新TLE983x片上系統(tǒng)（So...

2018-09-30 標(biāo)簽：英飛凌嵌入式功率器件 2.9k 0

三菱電機(jī)攜多款代表業(yè)界流行趨勢(shì)的功率器件亮相PCIM亞洲展

6月26日至28日，PCIM亞洲展于上海世博展覽館舉行。三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)攜多款代表業(yè)界流行趨勢(shì)的功率器件產(chǎn)品（IGBT、IPM、DIPIPM、H...

2018-09-11 標(biāo)簽：三菱功率器件IPM 1.2k 0

中國(guó)功率器件產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

功率半導(dǎo)體器件種類(lèi)眾多。 功率半導(dǎo)體根據(jù)載流子類(lèi)型可分為雙極型與單極型功率半導(dǎo)體。雙極型功率半導(dǎo)體包括功率二極管、雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Jun...

2018-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管電力電子 3.1萬(wàn) 0

功率器件市場(chǎng)現(xiàn)狀：歐美日把持，國(guó)內(nèi)仍需努力

縱觀整個(gè)功率器件市場(chǎng)，整體態(tài)勢(shì)是歐美日廠商三足鼎立。 其中美國(guó)功率器件處于世界領(lǐng)先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如 TI、Fairchild、M...

2018-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源管理功率器件 1.4萬(wàn) 0

應(yīng)迅速擴(kuò)大的市場(chǎng)需求，國(guó)際功率器件廠商紛紛發(fā)力汽車(chē)市場(chǎng)

據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2018年，國(guó)際上有20多家汽車(chē)廠商已經(jīng)在車(chē)載充電機(jī)（OBC）中使用SiC SBD 或SiC MOSFET。此外，特斯拉Model 3的...

2018-08-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體功率器件 3.5k 0

上海積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目將于本月開(kāi)工！

上海積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目土地成功摘牌，并簽訂了土地出讓合同，這為項(xiàng)目的順利開(kāi)工奠定了基礎(chǔ)。

2018-08-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 6.3k 0

功率器件交付周期延長(zhǎng)，關(guān)稅對(duì)英飛凌影響加大

017年，英飛凌營(yíng)收70.63億歐元（約82億美元），意法半導(dǎo)體營(yíng)收83億美元。二者若合并則將誕生165億美元的半導(dǎo)體巨頭，超越博通，成為全球第六大半導(dǎo)...

2018-08-06 標(biāo)簽：英飛凌MOSFET半導(dǎo)體 5.5k 0

安森美半導(dǎo)體ATPAK封裝技術(shù)汽車(chē)應(yīng)用提供元件尺寸更小的功率器件

隨著汽車(chē)功能電子化趨勢(shì)的不斷增強(qiáng)，汽車(chē)內(nèi)的電子元件越來(lái)越多，應(yīng)用環(huán)境日益嚴(yán)苛，汽車(chē)設(shè)計(jì)工程師需要考慮空間和性能等多方面因素，功率MOSFET是提供低功耗...

2018-07-05 標(biāo)簽：封裝安森美半導(dǎo)體功率器件 1.6k 0

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈九大廠商推進(jìn)IPO，全面屏手機(jī)面板 Q1滲透率逾4成

全面屏今年加速增長(zhǎng)，如今全面屏在大陸手機(jī)品牌中已經(jīng)成為新機(jī)標(biāo)準(zhǔn)配置，另外異形切割也快速普及。反映在面板廠商的出貨產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，根據(jù)群智咨詢（Sigmain...

2018-07-11 標(biāo)簽：智能手機(jī)半導(dǎo)體蘋(píng)果 1.1k 0

功率器件雪崩耐量測(cè)試

2018-06-20 標(biāo)簽：功率器件IGBT模塊 1.4萬(wàn) 0