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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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大規(guī)模AI部署的浪潮下,高算力服務(wù)器、數(shù)字基建等大型應(yīng)用需要大量千瓦級乃至兆瓦級的功率器件,而AI手機、AI PC等端側(cè)產(chǎn)品滲透率的提升,又對微型化的功...
龍騰半導(dǎo)體加速功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級
公司副總裁張欣女士表示,2025年隨著結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能的進(jìn)一步釋放,公司預(yù)計全年產(chǎn)能同比增速有望突破300%,以滿足市場對高質(zhì)量半導(dǎo)體硅外延片的迫切需求。
隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體...
BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動隔離供電的性價比最優(yōu)解
在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢中,驅(qū)動隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素?;景雽?dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F ...
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場景上的優(yōu)勢,使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...
2025年碳化硅(SiC)功率器件設(shè)計公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢,其背后是技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈和市場需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績...
國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果
碳化硅行業(yè)觀察:國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)功率器件市場雖高速增長,但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來...
華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品
引言 在新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域,高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設(shè)計的核心。華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品—HGW75N65S2HEM與H...
納微半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)
GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),...
2025-02-21 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換功率器件納微半導(dǎo)體 727 0
全球范圍內(nèi),綠色低碳的浪潮正以不可阻擋之勢席卷各個行業(yè)。其中,汽車行業(yè)所受影響尤為深遠(yuǎn)。在這場電氣化轉(zhuǎn)型的洪流中,車載MOSFET作為汽車電子系統(tǒng)的核心...
深矽微:功率器件封裝項目即將投產(chǎn),預(yù)計年產(chǎn)值3億元
近日,巴中市發(fā)展和改革委員會發(fā)布消息稱,位于巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期的功率器件封裝生產(chǎn)基地項目現(xiàn)場,搭建、焊接、調(diào)試等工序緊鑼密鼓地進(jìn)行著。 據(jù)了...
近日,中國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級換代,為中國航天事業(yè)以及相關(guān)...
2025-02-11 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 1.1k 0
國產(chǎn)功率器件突圍戰(zhàn):仁懋電子TOLL封裝如何改寫行業(yè)格局?
在新能源汽車、光伏儲能等萬億級賽道爆發(fā)的當(dāng)下,國產(chǎn)功率器件的"卡脖子"困境正被打破。作為國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè),仁懋電子憑...
英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎,CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目
英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計以及卓越的...
來源:新華網(wǎng) 我國在太空成功驗證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的驅(qū)動因素和重要保證。...
碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體 1.2k 0
為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案
BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案 BASiC基本公司針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯...
士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目啟動,預(yù)計今年一季度封頂
據(jù)廈門日報的最新報道,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目于1月21日取得了重要進(jìn)展。在主廠房的核心區(qū)域三層作業(yè)面上,鋼結(jié)構(gòu)首吊成功吊裝,標(biāo)志...
國產(chǎn)首款高壓抗輻射SiC功率器件完成空間驗證并實現(xiàn)在軌電源系統(tǒng)應(yīng)用
功率器件是實現(xiàn)電能變換和控制的核心,被譽為電力電子系統(tǒng)的心臟,是最為基礎(chǔ)、最為廣泛應(yīng)用的器件之一。隨著硅(Si)基功率器件的性能逼近極限,以碳化硅(Si...
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