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標(biāo)簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。
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3D亞納米時(shí)代,CMOS邏輯電路如何發(fā)展?
一種有些不尋常的方法是研究多層互連過程(BEOL)中的存儲(chǔ)器等構(gòu)建元件。多層布線下面通常是CMOS邏輯電路。因此,理論上,BEOL中內(nèi)置的元件不會(huì)增加硅...
求一種隔離式雙通道驅(qū)動(dòng)模塊設(shè)計(jì)方案
驅(qū)動(dòng)電路是變換器的重要組成部分,它的性能直接關(guān)乎變換器的穩(wěn)定性和可靠性。半橋和全橋變換器中需要用到半橋驅(qū)動(dòng)電路。
2023-10-16 標(biāo)簽:變換器電源電壓驅(qū)動(dòng)電路 2k 0
使用TIP12設(shè)計(jì)一個(gè)簡單的3055v電池充電器電路
可以使用TIP12功率晶體管設(shè)計(jì)一個(gè)非常簡單的3055v電池充電器電路,通過在電池電壓達(dá)到約14v或電流上升到2安培以上時(shí)關(guān)閉來限制電池電流。
系統(tǒng)抗干擾設(shè)計(jì) 抗干擾問題是現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)中一個(gè)很重要的環(huán)節(jié),它直接反映了整個(gè)系統(tǒng)的性能和工作的可靠性。在飛輪儲(chǔ)能系統(tǒng)的電力電子控制中,由于其高壓和低壓控...
2023-09-04 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)電磁干擾功率晶體管 962 0
小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器有哪些優(yōu)勢?低功率DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)湓O(shè)計(jì)
經(jīng)過五十多年的歷史發(fā)展,在電子電路中將直流電壓轉(zhuǎn)換成另一種直流電壓顯示,其復(fù)雜性不斷提高,現(xiàn)代設(shè)計(jì)的功率密度高到令人難以置信的同時(shí)還要提升效率以保持小功率。
2023-08-11 標(biāo)簽:變壓器轉(zhuǎn)換器線性穩(wěn)壓器 906 0
小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
經(jīng)過五十多年的歷史發(fā)展,在電子電路中將直流電壓轉(zhuǎn)換成另一種直流電壓顯示,其復(fù)雜性不斷提高,現(xiàn)代設(shè)計(jì)的功率密度高到令人難以置信的同時(shí)還要提升效率以保持小功...
2023-08-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電源設(shè)計(jì)小功率 1.4k 0
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
基于功率晶體管TIP33C和TIP34C的40W功率放大器電路圖
這是基于功率晶體管TIP33C和TIP34C為主要部分構(gòu)建的40W功率放大器的電路圖。它采用對(duì)稱/雙電源供電。必須使用散熱器來防止晶體管過熱。
逆變器中的關(guān)鍵組件是功率半導(dǎo)體器件,通常采用功率晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)或金屬氧化物半導(dǎo)體...
2023-07-31 標(biāo)簽:場效應(yīng)管逆變器光伏逆變器 2.8k 0
這是以功率晶體管為主要部分的21W AB類音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。它的設(shè)計(jì)簡單,設(shè)置也簡單。將 10k 微調(diào)器設(shè)置為大約一半,將 470 歐姆微調(diào)器設(shè)置為...
2023-07-28 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)揚(yáng)聲器音頻放大器 1.8k 0
這是使用功率晶體管搭建的150W功率放大器的電路圖。上面的電路本質(zhì)上是一個(gè)單通道電路。要使其成為立體聲通道,您必須構(gòu)建兩個(gè)相同的電路。對(duì)于小場地或大廳/...
氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢, 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2.9k 0
硅雙極型晶體管、晶閘管及其衍生器件具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),可改善大電流情況下的飽和壓降,降低其通態(tài)損耗。
2023-07-13 標(biāo)簽:晶閘管晶體管達(dá)林頓晶體管 680 0
負(fù)載牽引系統(tǒng)是改變射頻微波器件輸入源阻抗和輸出負(fù)載阻抗的阻抗?fàn)恳到y(tǒng),它可以測量出射頻微波器件及功率芯片在不同源阻抗及負(fù)載阻抗下的各種工作參數(shù),典型的被...
產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓 1.5k 0
功率元件具有較大的承載能力和較低的內(nèi)阻,以應(yīng)對(duì)較高的功率需求,并保證能量傳輸?shù)男?。例如,功率晶體管(如MOSFET、BJT)和功率放大器模塊屬于典型的...
基于矢量的電機(jī)控制的一個(gè)固有優(yōu)勢是,可以采用同一原理,選擇適合的數(shù)學(xué)模型去分別控制各種類型的AC, PM-AC 或者 BLDC電機(jī)。
2023-06-26 標(biāo)簽:電機(jī)控制emi步進(jìn)電機(jī) 2.5k 0
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