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功率模塊

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功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個(gè)模塊，功率模塊的作用用很多，比如：空調(diào)上作用就是變頻用的。如果在音頻部分，那作用就是做放大的。如果是在電源，就是做穩(wěn)壓的。

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功率模塊技術(shù)

為何SiC模塊受到市場(chǎng)高度關(guān)注？

絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用作電子開關(guān)。憑借出色的開關(guān)特性、耐高溫性、輕量級(jí)和成本效益等特征，IGBT 電源模塊逐漸成...

2023-02-16 標(biāo)簽：IGBT 晶體管功率模塊 842 0

DIPIPM?的PCB設(shè)計(jì)（2）

DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱，由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...

2023-02-12 標(biāo)簽：pcb IGBT PCB設(shè)計(jì) 3.2k 0

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC...

2023-02-10 標(biāo)簽：開關(guān)MOSFET IGBT 2.4k 0

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著這兩大優(yōu)勢(shì)。

2023-02-08 標(biāo)簽：IGBT SiC 功率模塊 1.4k 0

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 1.2k 0

雙面散熱汽車IGBT模塊熱測(cè)試方法研究

與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時(shí)向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量，其熱測(cè)試評(píng)估方式需重新考量。本文進(jìn)行雙面散熱汽車 IGBT 模...

2023-02-08 標(biāo)簽：散熱器 IGBT 散熱 2.3k 0

不同因素對(duì)IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響？

結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量，能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運(yùn)行性能等。

2023-02-07 標(biāo)簽：IGBT 功率器件功率模塊 4.6k 0

800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹

厚度以及一致性摻雜和一致性表面缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力底部缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力控制擴(kuò)展缺陷清洗大尺寸的晶圓翹曲度的控制

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET 功率模塊碳化硅 1.6k 0

引起IGBT失效的原因有幾種

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具...

2023-01-13 標(biāo)簽：IGBT 功率模塊 2.9k 0

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合...

2023-01-07 標(biāo)簽：MOSFET 封裝封裝技術(shù) 2.4k 0

雙面冷卻的功率模塊發(fā)展的路徑

由于有了冷卻技術(shù)的提升，在功率密度、可靠性、寄生電感和電阻方面都有下降。

2022-10-14 標(biāo)簽：DCS 功率模塊寄生電感 1.7k 0

測(cè)量DBC陶瓷基板在功率模塊的散熱和熱穩(wěn)定性功能

碳化硅和氮化鎵是寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體，也是被認(rèn)為要求更高功率和更高溫度的電力電子應(yīng)用最佳材料。由于這些WBG半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能，如寬禁帶(>3...

2022-09-27 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅陶瓷基板 2k 0

用于大功率模塊升壓臺(tái)面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板

隨著可用的寬帶隙半導(dǎo)體不斷在提高其工作電壓，其封裝中使用的電絕緣受到了越來(lái)越多的限制。在更準(zhǔn)確地來(lái)說(shuō)，用于要求苛刻的應(yīng)用的陶瓷基板代表了一個(gè)關(guān)鍵的多功能...

2022-09-01 標(biāo)簽：IGBT 功率模塊碳化硅 960 0

空調(diào)維修與檢測(cè)常見元件

在未連機(jī)的情況下用萬(wàn)用表的紅表筆對(duì)P端，用黑表筆對(duì)U、V、W三端，其正向阻值應(yīng)相同。如其中任何一項(xiàng)阻值與其它兩項(xiàng)不等，則可判斷功率模塊損壞；用黑表筆對(duì)N...

2022-08-17 標(biāo)簽：繼電器元件功率模塊 3.9k 0

碳化硅功率模塊的建模和驗(yàn)證

傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)（即碳化硅）已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由...

2022-08-04 標(biāo)簽：MOSFET 功率模塊碳化硅 2.7k 0

智能功率模塊IPM的結(jié)溫評(píng)估

本文詳細(xì)敘述了實(shí)際使用時(shí)對(duì)IPM模塊的各種結(jié)溫的計(jì)算和測(cè)試方法，從直接紅外測(cè)試法，內(nèi)埋熱敏測(cè)試，殼溫的測(cè)試方法，都進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，以指導(dǎo)技術(shù)人員通過(guò)測(cè)量模...

2022-08-01 標(biāo)簽：英飛凌功率模塊 IPM 3.9k 0

利用LTC7051 DrMOS功率級(jí)優(yōu)化電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

隨著技術(shù)的進(jìn)步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，因此這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。

2022-07-19 標(biāo)簽：adi 穩(wěn)壓器 DrMOS 1.4k 0

相控陣?yán)走_(dá)射頻TR組件功率模塊故障分析及改進(jìn)策略

摘要：產(chǎn)品，從該產(chǎn)品在分系統(tǒng)調(diào)試交驗(yàn)、整機(jī)調(diào)試交驗(yàn)、用戶使用過(guò)程中反饋的信息可以看出， T／R組件中的微波功率模塊發(fā)生故障的可能性較大，給分系統(tǒng)調(diào)試交...

2022-07-06 標(biāo)簽：射頻微波功率模塊 3.5k 0

SiC功率模塊和SiC MOSFET單管不同的散熱安裝形式

在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。

2022-06-29 標(biāo)簽：安森美功率模塊熱管理 8k 0

智能功率模塊IPM的結(jié)溫評(píng)估

IPM模塊是電機(jī)驅(qū)動(dòng)變頻器的最重要的功率器件，近些年隨著IPM模塊的小型化使模塊Rth（j-c）變大，從而對(duì)溫升帶來(lái)了越來(lái)越多的挑戰(zhàn)。

2021-08-10 標(biāo)簽：英飛凌功率模塊 IPM 2.8k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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