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半導體器件

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半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換。

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半導體器件技術

展開說說機器視覺與計算機視覺的區(qū)別

機器視覺系統(tǒng)在半導體器件制造中有著廣泛的應用;事實上，如果沒有機器視覺，計算機芯片的產(chǎn)量將會顯著降低。機器視覺系統(tǒng)檢查硅片、處理器芯片以及電阻和電容等子組件。

2023-10-18 標簽：機器視覺光學傳感器視覺系統(tǒng) 971 0

元器件失效主要受哪些因素影響

由于P-N結的正向壓降受溫度的影響較大，所以用P-N為基本單元構成的雙極型半導體邏輯元件（TTL、HTL等集成電路）的電壓傳輸特性和抗干擾度也與溫度有密...

2023-10-13 標簽：集成電路元器件熱敏電阻 900 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優(yōu)勢

設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的器件。與電子開關使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術具有...

2023-10-12 標簽：SiC 氮化鎵電子開關 3.1k 1

關于光刻技術的五大分類

光刻是通過一系列操作，除去外延片表面特定部分的工藝，在半導體器件和集成電路制作中起到極為關鍵的作用。

2023-10-08 標簽：集成電路半導體器件光刻技術 2.5k 0

半導體行業(yè)的創(chuàng)新案例

當技術優(yōu)化的整體方法包括芯片設計、封裝和產(chǎn)品級相互依賴性時，產(chǎn)品、設計、封裝、工藝和器件相互依賴性的整體方法，以提高研發(fā)效率和價值創(chuàng)造

2023-10-07 標簽：晶圓芯片設計半導體器件 1.7k 0

led電路圖符號的正反怎么看

不同的電路圖可以使用不同的符號和標記方式來表示LED的正負極性。因此，在閱讀特定電路圖時，最好查閱相關的說明文檔或標注，以確保正確地理解LED的正反極性...

2023-09-26 標簽：led 電路圖發(fā)光二極管 4.9萬 0

半導體器件為什么熱阻參數(shù)經(jīng)常被誤用？

一些半導體器件集成了專用的熱二極管，根據(jù)校準后的正向電壓與溫度曲線精確測量結溫。由于大多數(shù)器件沒有這種設計，結溫的估計取決于外部參考點溫度和封裝的熱阻參...

2023-09-25 標簽：芯片 pcb 電路板 3.8k 0

場效應管的作用和類型

場效應晶體管簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象...

2023-09-20 標簽：電阻場效應管晶體管 4.4k 0

關于碳化硅半導體的八大誤區(qū)

太陽能光伏系統(tǒng)：為了提高轉換效率和降低系統(tǒng)成本，太陽能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加，從600V增加到1,500V。

2023-09-19 標簽：MOSFET 光伏系統(tǒng)半導體器件 591 0

半導體器件擊穿原理和失效機制詳解

在日常的電源設計中，半導體開關器件的雪崩能力、VDS電壓降額設計是工程師不得不面對的問題，本文旨在分析半導體器件擊穿原理、失效機制，以及在設計應用中注意事項。

2023-09-19 標簽：英飛凌半導體電源設計 9.6k 0

超結理論應用：平面VDMOS結構與超結MOSFET技術介紹

功率器件要得到較高的擊穿電壓，就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度，常規(guī)VDMOS的特征導通電阻與擊穿電壓關系如下式所示。

2023-09-18 標簽：導通電阻驅動電路功率器件 8k 0

氮化鎵功率器就是電容嗎氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點

氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開...

2023-09-11 標簽：導通電阻功率器件氮化鎵 943 0

基于可控硅控制電路制作

可控硅是可控硅整流器的簡稱?？煽毓栌袉蜗?、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點，被廣泛用于可控整流、調(diào)壓、逆...

2023-09-11 標簽：可控硅電壓半導體器件 2.7k 0

半導體器件散熱性能的仿真實驗

為了滿足應用的散熱要求，設計人員需要比較不同半導體封裝類型的熱特性。在本博客中， Nexperia(安世半導體)討論了其焊線封裝和夾片粘合封裝的散熱通道...

2023-09-07 標簽：封裝仿真散熱性能 1.8k 0

傳統(tǒng)封裝和先進封裝的區(qū)別在哪

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2023-08-28 標簽：芯片 3D 封裝 2.7k 0

雙向可控硅與晶閘管怎么接

晶閘管（thyristor）也是一種高功率半導體器件。它具有電流控制功能，能夠進行整流、開關和逆變等功能。晶閘管通常只能在正半周或負半周中進行控制，因此...

2023-08-26 標簽：可控硅晶閘管半導體器件 2.5k 0

可控硅怎么用?可控硅是晶閘管嗎?雙向晶閘管是可控硅嗎?

可控硅的主要參數(shù)包括最大正向電壓、最大反向電壓、觸發(fā)電壓、保持電流、最大導通電流等。其中，最大正向電壓和最大反向電壓分別表示可控硅可以承受的最大正向和反...

2023-08-26 標簽：可控硅晶閘管半導體器件 2.2k 0

雙向晶閘管屬于什么器件

雙向晶閘管與單向晶閘管的最重要的區(qū)別在于其具有雙向電流特性。這意味著在交流電路中，雙向晶閘管能夠控制電流的方向，從而實現(xiàn)交流電路的控制。雙向晶閘管的性能...

2023-08-26 標簽：晶閘管半導體器件交流電流 2.1k 0

上海伯東半導體器件檢漏

半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間, 利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件, 可用來產(chǎn)生, 控制, 接收, 變換, 放大信號和進行能...

2022-08-09 標簽：半導體器件氦質(zhì)譜檢漏儀真空檢漏 1.5k 0

氮化鎵功率器件結構和原理功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

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2023-08-24 標簽：功率器件 SiC 氮化鎵 4.2k 0

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