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      標(biāo)簽　>　半導(dǎo)體器件

      半導(dǎo)體器件

      半導(dǎo)體器件

      +關(guān)注12人關(guān)注

      半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。

      文章：733個 瀏覽：33685次 帖子：26個

      半導(dǎo)體器件技術(shù)

      岡恩二極管的工作原理 整流二極管和岡恩二極管的區(qū)別

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      　　岡恩二極管是用于以簡單和低成本的方式產(chǎn)生低功率微波信號的半導(dǎo)體器件。這些已經(jīng)使用了60多年。岡恩二極管可以在從幾千兆赫茲到超過 100 GHz 的頻...

      2023-03-08 標(biāo)簽：二極管整流二極管半導(dǎo)體器件 1.1k 0

      LED結(jié)中使用哪種半導(dǎo)體材料？LED的結(jié)構(gòu)制造過程

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      LED的完整形式是發(fā)光二極管。LED是特殊類型的半導(dǎo)體二極管，其響應(yīng)于施加在其端子上的電位差而發(fā)光，因此稱為發(fā)光二極管。就像普通二極管一樣，LED也有兩...

      2023-03-08 標(biāo)簽：led發(fā)光二極管半導(dǎo)體器件 2.3k 0

      什么是碳化硅器件

      SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...

      2023-03-03 標(biāo)簽：芯片MOSFET半導(dǎo)體器件 5.5k 0

      電力電子器件

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      場效應(yīng)管（FET）是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。與之前的三極管不同，三極管采用兩種載流子運動工作被稱為雙極型晶體管，屬于電...

      2023-03-02 標(biāo)簽：場效應(yīng)管半導(dǎo)體器件回路電流 2.3k 0

      電力二極管的主要作用_電力二極管的用途有哪些

      電力二極管屬于半導(dǎo)體器件，通常也被稱為功率二極管。它們主要用于高功率、高電壓和高頻率的電路中，用于控制和轉(zhuǎn)換電能。電力二極管具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和...

      2023-02-28 標(biāo)簽：二極管整流器半導(dǎo)體器件 4.9k 0

      晶閘管導(dǎo)通和關(guān)斷的條件是什么？如何去實現(xiàn)呢？

      晶閘管導(dǎo)通條件：門極G加觸發(fā)信號，主端子A、K之間加正向電壓，且使得主端子間的正向電流大于擎住電流。

      2023-02-27 標(biāo)簽：晶閘管逆變器晶體管 2.3萬 0

      功率模塊和功率IC如何區(qū)分

      功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體器件與其驅(qū)動電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩(wěn)定性強等...

      2023-02-26 標(biāo)簽：MOSFET散熱器半導(dǎo)體器件 2.7k 0

      氮化鎵納米線和氮化鎵材料的關(guān)系

      氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的...

      2023-02-25 標(biāo)簽：氮化鎵GaNLEDs 1.4k 0

      貼片封裝的肖特基二極管簡析

      貼片封裝的肖特基二極管是一種小型、高速、高效的半導(dǎo)體器件，通常由硅材料制成。

      2023-02-25 標(biāo)簽：整流二極管肖特基二極管半導(dǎo)體器件 2.6k 0

      具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件

      具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為全控性器件，全控型器件又稱為自關(guān)斷器件，是指通過控制信號既可以控制其導(dǎo)通，又可以控制其關(guān)斷的電力電子器件。

      2023-02-25 標(biāo)簽：MOSFET電力電子器件IGBT 3.3k 0

      小編科普一下三腳二極管的相關(guān)知識

      三腳二極管，也稱為雙向可控硅（thyristor），是一種常見的半導(dǎo)體器件，它具有三個引腳，分別為陽極（A）、陰極（K）和控制極（G），通常用于交流電路...

      2023-02-25 標(biāo)簽：二極管交流電路觸發(fā)電路 2.0萬 0

      場效應(yīng)管開關(guān)特性

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      場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小...

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      IGBT的研究與進展

      從 20 世紀(jì) 80 年代 IGBT 被首次提出至今，IGBT 器件不斷朝著更低的正向?qū)▔航?、更小的開關(guān)損 耗方向發(fā)展；但是，鑒于 IGBT 器件的各...

      2023-02-24 標(biāo)簽：電路IGBT半導(dǎo)體器件 5k 0

      主流功率半導(dǎo)體器件IGBT的歷史沿革和最新研究

      本文首先介紹了 IGBT 技術(shù)的研究現(xiàn)狀，并對 IGBT 不同結(jié)構(gòu)的特點和電學(xué)特性做了簡要闡述；最 后列舉了一些最新的研究成果，并探討了 IGBT 的 ...

      2023-02-24 標(biāo)簽：emiIGBT半導(dǎo)體器件 6.1k 0

      功率二極管的構(gòu)造

      功率二極管的構(gòu)造

      功率二極管是二極管的一類，是一種簡單的半導(dǎo)體器件。與普通二極管一樣，功率二極管具有兩個端子并沿一個方向傳導(dǎo)電流。但功率二極管與普通二極管的區(qū)別還是有很大的。

      2023-02-23 標(biāo)簽：二極管功率二極管半導(dǎo)體器件 1.5k 0

      功率二極管的作用

      功率二極管，也叫做肖特基勢壘二極管，是一種常見的半導(dǎo)體器件。它的主要作用是在電路中起到電流的整流、穩(wěn)壓和開關(guān)控制等功能。

      2023-02-22 標(biāo)簽：功率二極管開關(guān)控制半導(dǎo)體器件 2.4k 0

      全方位剖析晶體管

      首先，晶體管是一種半導(dǎo)體器件，它的核心部件是PN結(jié)。PN結(jié)是一種正負(fù)半導(dǎo)體材料的結(jié)合，其中P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成一個電子和空穴流動的界面。當(dāng)PN結(jié)被...

      2023-02-22 標(biāo)簽：晶體管PN結(jié)半導(dǎo)體器件 1k 0

      三極管如何區(qū)分是硅管還是鍺管的呢？

      三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關(guān)。

      2023-02-22 標(biāo)簽：三極管晶體管晶體三極管 1.8萬 0

      二極管知識

      二極管知識

      二極管的全稱是晶體二極管，是一種具有單向?qū)щ娞匦缘陌雽?dǎo)體器件，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體構(gòu)成，在外部具有兩個引腳，P型半導(dǎo)體所引出的電極引腳叫做...

      2023-02-21 標(biāo)簽：二極管PN結(jié)半導(dǎo)體器件 2.3k 0

      微波功率器件材料是什么

      微波半導(dǎo)體器件在微波系統(tǒng)中能發(fā)揮各方面性能，歸納起來，即在微波功率產(chǎn)生及放大，控制、接收三個方面。而微波功率器件要求有盡可能大的輸出功率和輸出效率及功率...

      2023-02-16 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件微波功率 1.8k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        +關(guān)注
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        LM2596
        +關(guān)注
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      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護
        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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