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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。我們現(xiàn)在使用的變頻器主要采用交—直—交方式,先把工頻交流電通過(guò)整流器轉(zhuǎn)換成直...
2023-02-16 標(biāo)簽:變頻器半導(dǎo)體器件直流電 4.7k 0
半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)跟蹤報(bào)告:ALD技術(shù)進(jìn)行薄膜沉積工藝優(yōu)勢(shì)
薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ,薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。 半導(dǎo)體器件的不斷縮小對(duì)薄膜沉積工藝提出了更高要求,而ALD技術(shù)憑借沉積薄...
2023-02-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件晶圓制造 1.2k 0
在電子器件的散熱過(guò)程中,熱傳導(dǎo)需要在兩個(gè)固體表面?zhèn)鬏敚墙缑嫣幉皇抢硐氲钠矫?,而是存在少量小尺度凹凸界面,在?shí)際應(yīng)用中界面位置也僅依靠凸起結(jié)構(gòu)接觸,大...
2023-02-16 標(biāo)簽:微電子半導(dǎo)體器件功率密度 1.4k 0
晶體管具有放大能力的外部條件是發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。在這種偏置條件下,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子擴(kuò)散到基區(qū)后,只有極少部分在基區(qū)被復(fù)合,絕大多數(shù)會(huì)被集...
按晶圓尺寸計(jì)算,GaN半導(dǎo)體器件市場(chǎng)的6英寸及以上GaN晶圓部分預(yù)計(jì)在預(yù)測(cè)期內(nèi)將錄得更高的復(fù)合年增長(zhǎng)率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個(gè)批...
2023-02-12 標(biāo)簽:晶圓GaN半導(dǎo)體器件 659 0
三極管全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。
2023-02-12 標(biāo)簽:三極管晶體管半導(dǎo)體三極管 4.2k 0
PMOS晶體管工作原理 pmos晶體管的各個(gè)工作區(qū)域
PMOS晶體管,也稱為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體,是一種晶體管形式,其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個(gè)晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個(gè)...
2023-02-11 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件PMOS管 1.9萬(wàn) 0
眾所周知,晶閘管的應(yīng)用十分廣泛,晶閘管是一種非常精密的半導(dǎo)體器件。在使用過(guò)程中,我們必須在其指定的范圍內(nèi)才能獲得所需要的輸出,但是由于過(guò)電壓、過(guò)電流等原...
2023-02-10 標(biāo)簽:電流晶閘管半導(dǎo)體器件 9.8k 0
眾所周知,晶閘管的應(yīng)用十分廣泛,晶閘管是一種非常精密的半導(dǎo)體器件。在使用過(guò)程中,我們必須在其指定的范圍內(nèi)才能獲得所需要的輸出,但是由于過(guò)電壓、過(guò)電流等原...
2023-02-10 標(biāo)簽:電流晶閘管半導(dǎo)體器件 6.1k 0
功率半導(dǎo)體又稱作電力半導(dǎo)體,是用來(lái)對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對(duì)電路進(jìn)行控制,改變電力變換裝置中的電壓或電流的波形?幅值?相位?頻率等參數(shù)的一種半導(dǎo)體器件。
2023-02-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件電力半導(dǎo)體 5.4k 0
功率半導(dǎo)體是對(duì)功率進(jìn)行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導(dǎo)體器件,不但實(shí)施電能的存儲(chǔ)、傳輸、處理和控制,保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟(jì)的運(yùn)行,而且將能...
2023-02-06 標(biāo)簽:功率功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2.2k 0
功率半導(dǎo)體器件IGBT結(jié)溫測(cè)試方法
功率循環(huán)試驗(yàn)中最重要的是準(zhǔn)確在線測(cè)量結(jié)溫,直接影響試驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測(cè)量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義?;谕☉B(tài)特性的電學(xué)參...
2023-02-06 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2.6k 0
氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域
第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)...
2023-02-05 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 5.6k 0
說(shuō)起“Diamond”給人第一印象是什么? 無(wú)疑是高貴優(yōu)雅,晶瑩剔透,尤其對(duì)于女性來(lái)說(shuō)鉆石是充滿誘惑的,正如1948年戴比爾斯經(jīng)典廣告所宣傳“Th...
2023-02-02 標(biāo)簽:金剛石半導(dǎo)體器件寬禁帶 1.2k 0
寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于哪?
集成寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應(yīng)用中的替代品,是一個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng),可以提供效率和功率密度的改善,在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。...
2023-02-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體器件寬帶隙器件 2.7k 0
什么是晶體管,關(guān)于晶體管誕生的故事和技術(shù)細(xì)節(jié)
1904年,世界上第一個(gè)電子管(真空管)誕生,標(biāo)志著人類進(jìn)入了電子管時(shí)代。電子管的崛起,降低了人們對(duì)礦石檢波器和半導(dǎo)體技術(shù)的關(guān)注熱情。
2023-02-02 標(biāo)簽:無(wú)線通信晶體三極管半導(dǎo)體器件 2.1k 0
視覺(jué)傳感器自清潔背后的超聲波清洗ULC技術(shù)
基礎(chǔ)的物理知識(shí)我們很早就學(xué)過(guò),共振是可以對(duì)材料本身產(chǎn)生很明顯作用的,不過(guò)在達(dá)到材料的破碎臨界點(diǎn)前,人眼是很難捕捉到這種振動(dòng)的。超聲波清潔ULC技術(shù)使用壓...
2023-02-01 標(biāo)簽:超聲波視覺(jué)傳感器半導(dǎo)體器件 1.9k 0
所以掌握各類電子元器件的實(shí)效機(jī)理與特性是硬件工程師比不可少的知識(shí)。下面分類細(xì)敘一下各類電子元器件的失效模式與機(jī)理。
2023-02-01 標(biāo)簽:電子元器件電阻器半導(dǎo)體器件 2.2k 0
一種通過(guò)選擇合適的晶體取向來(lái)提高電子自旋波壽命的方法
電子是基本粒子之一,是其他系統(tǒng)的基石,電子具有特定的性質(zhì),如自旋或角動(dòng)量,可以被操縱來(lái)攜帶信息,從而為推動(dòng)現(xiàn)代信息技術(shù)的發(fā)展做準(zhǔn)備。
2023-01-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件 1.1k 0
LED調(diào)光器中可控硅LTH16-08應(yīng)用分析
調(diào)光器被應(yīng)用與各種各樣的場(chǎng)合,例如酒店,場(chǎng)館,展覽館等需要照明的場(chǎng)合,主要是通過(guò)改變光源的通過(guò)量來(lái)調(diào)節(jié)照明的亮度。
2023-01-12 標(biāo)簽:可控硅半導(dǎo)體器件LED調(diào)光器 580 0
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