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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
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單向可控硅(Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR)是一種半導體器件,具有單向?qū)щ娦院涂煽匦浴K梢钥醋魇嵌O管和晶體管的...
高級封裝技術(shù):創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連
在過去的幾年中,已經(jīng)發(fā)布了許多涉及用于半導體器件的高級封裝體系結(jié)構(gòu)的公告。這些架構(gòu)為產(chǎn)品設(shè)計人員提供了極大的靈活性,使其能夠異構(gòu)集成在封裝上不同硅工藝上...
2021-04-01 標簽:信號完整性系統(tǒng)設(shè)計半導體器件 5.3k 0
T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應用-雙界面分離法測試RθJC(θJC)
半導體器件的結(jié)到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴散能力的參數(shù),是半導體器件最重要的熱性能參數(shù)之一,它必須被標注到器件尤...
雙向觸發(fā)二極管參數(shù)與型號的關(guān)系
雙向觸發(fā)二極管(Bidirectional Trigger Diode,簡稱BTD)是一種具有雙向?qū)ㄌ匦缘陌雽w器件,廣泛應用于電子電路中。 一、雙向...
可控硅,又稱為晶閘管(Thyristor),是一種半導體器件,主要用于電力電子領(lǐng)域中的功率控制。它具有單向?qū)щ娦?,可以控制較大的功率,廣泛應用于調(diào)速、調(diào)...
晶閘管有幾個pn結(jié)?晶閘管的參數(shù)有哪些?
晶閘管是一種四層三端半導體器件,由多層PN結(jié)組成。一個標準的晶閘管包含三個PN結(jié),這些PN結(jié)交替排列,形成四個半導體區(qū)域:陽極區(qū)、陰極區(qū)以及兩個中間的區(qū)域。
從 20 世紀 80 年代 IGBT 被首次提出至今,IGBT 器件不斷朝著更低的正向?qū)▔航?、更小的開關(guān)損 耗方向發(fā)展;但是,鑒于 IGBT 器件的各...
MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。根據(jù)其導電特性,MOSFET可以分為增強型(Enhancemen...
電力二極管屬于半導體器件,通常也被稱為功率二極管。它們主要用于高功率、高電壓和高頻率的電路中,用于控制和轉(zhuǎn)換電能。電力二極管具有低導通電阻、高擊穿電壓和...
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種常見的半導體器件,廣泛應用于電子電路中。場效應管的工作原理是通過改變柵極電壓...
光電二極管是一種將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的半導體器件,其工作原理基于PN結(jié)的光電效應。 一、光電二極管的工作原理 PN結(jié)的光電效應 光電二極管的核心是PN結(jié)...
測量可控硅模塊的好壞是一項重要的工作,它可以幫助我們判斷可控硅模塊是否能夠正常工作,以及是否存在故障。 一、可控硅模塊的基本知識 可控硅模塊的定義 可控...
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種常用的半導體器件,廣泛應用于模擬和數(shù)字電路中。場效應管的工作原理是通過改變柵...
二極管是一種半導體器件,具有單向?qū)щ娦?。它的伏安特性曲線是描述二極管在不同電壓下電流變化的圖形。根據(jù)二極管的工作狀態(tài),伏安特性曲線可分為以下幾個區(qū): 截...
雙向觸發(fā)二極管(Bidirectional Trigger Diode,簡稱BTD)是一種具有雙向?qū)ㄌ匦缘陌雽w器件,廣泛應用于電子電路中,如過壓保護...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應用于電力電子領(lǐng)域的功率半導體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點。然而,在實際應用過程中,IGBT功率管發(fā)熱是...
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