關(guān)于IGBT芯片的簡介與發(fā)展方向及應(yīng)用領(lǐng)域

芯片的種類五花八門，今天跟大家介紹一種與我們的生活息息相關(guān)的芯片IGBT（絕緣柵雙極晶體管 Insulated－gate bipolar transis...

2021-03-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件igbt芯片 1.9萬 0

常用的13種功率半導(dǎo)體器件介紹

IGCT是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件，適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中，是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。

2021-03-05 標(biāo)簽：晶閘管功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.2萬 0

DO-254為機(jī)載電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)保證定義了5個等級

DO-254主體中的指南（章節(jié)1到11）是為電子硬件設(shè)計(jì)保證等級C所寫的。DO-254通過附錄B提供更高的設(shè)計(jì)保證等級（A和B），包括附加的驗(yàn)證相關(guān)的活...

2021-03-04 標(biāo)簽：電子系統(tǒng)半導(dǎo)體器件DO-254 7.6k 0

Nexperia計(jì)劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出 滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求

通過新投資支持全球戰(zhàn)略，滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù); 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力...

2021-02-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN功率半導(dǎo)體 3k 0

SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟加入SEMI，成為策略合作伙伴

SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟將繼續(xù)履行其使命，加速SOI行業(yè)的發(fā)展，并為成員帶來新的商機(jī)。

2021-01-14 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體器件醫(yī)療技術(shù) 2.3k 0

元器件失效機(jī)理有哪些？

溫度變化對半導(dǎo)體器件的影響：構(gòu)成雙極型半導(dǎo)體器件的基本單元P-N結(jié)對溫度的變化很敏感，當(dāng)P-N結(jié)反向偏置時，由少數(shù)載流子形成的反向漏電流受溫度的變化影響...

2021-01-07 標(biāo)簽：熱敏電阻電壓半導(dǎo)體器件 3.6k 0

三極管的管型管腳測判方法與口訣

　找出三極管的基極后，我們就可以根據(jù)基極與另外兩個電極之間pn結(jié)的方向來確定管子的導(dǎo)電類型。將萬用表的黑表筆接觸基極，紅表筆接觸另外兩個電極中的任一電極...

2021-01-07 標(biāo)簽：三極管管腳半導(dǎo)體器件 8.6k 0

旭宇光電擬沖刺A股IPO，華安證券擔(dān)任其輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)

旭宇光電成立于2011年，專業(yè)從事全波段（255nm-1600nm）半導(dǎo)體器件封裝研發(fā)、制造、銷售和服務(wù)。其LED產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于家居照明、商業(yè)照明、工業(yè)...

2021-01-05 標(biāo)簽：ledipo半導(dǎo)體器件 2.4k 0

肖特基二極管的原理

用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區(qū)域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其...

2020-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體肖特基二極管半導(dǎo)體器件 1.3萬 0

太赫茲射線可能有一系列令人眩暈的應(yīng)用

先前的研究表明，所謂的量子級聯(lián)激光器可能會彌合這一鴻溝。這些器件的核心是由具有不同導(dǎo)電率的半導(dǎo)體材料交替層組成的晶圓。當(dāng)帶電時，電子仍被限制在兩個更具導(dǎo)...

2020-12-07 標(biāo)簽：激光器半導(dǎo)體器件太赫茲 2.5k 0

朝微電子的營收保持連續(xù)增長趨勢

對于半導(dǎo)體器件而言，航空航天領(lǐng)域的門檻很高，這也讓朝微電子享受了這個領(lǐng)域發(fā)展的紅利。目前，航空航天主要掌握在科研機(jī)構(gòu)和軍工集團(tuán)下屬單位，隨著國內(nèi)該領(lǐng)域?qū)?..

2020-12-04 標(biāo)簽：產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體器件 1.9k 0

朝微電子實(shí)現(xiàn)逾百項(xiàng)半導(dǎo)體器件國產(chǎn)化

在此背景下，作為一家為軍工集團(tuán)、科研院所提供半導(dǎo)體分立器件和電源的公司，朝陽微電子科技股份有限公司（簡稱“朝微電子”）為升級分立器件/集成電路生產(chǎn)線，朝...

2020-12-03 標(biāo)簽：集成電路ipo半導(dǎo)體器件 2.1k 0

占比最大的半導(dǎo)體出口關(guān)稅究竟有何變化呢？

對半導(dǎo)體器件最關(guān)鍵的硅材料皆從4%的基準(zhǔn)稅率朝零關(guān)稅發(fā)展，而電子工業(yè)用直徑在7.5厘米到30厘米范圍內(nèi)的單晶硅棒只會降至3%的稅率。對半導(dǎo)體器件封裝材料...

2020-11-30 標(biāo)簽：單晶硅半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體市場 4.1k 0

芯聞精選：發(fā)力碳化硅半導(dǎo)體器件，致瞻科技完成Pre-A輪融資

碳化硅半導(dǎo)體器件供應(yīng)商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日，毅達(dá)資本在官方微信宣布，已完成對致瞻科技的投資。依托核心團(tuán)隊(duì)10余年的碳化硅功...

2020-11-30 標(biāo)簽：中芯國際半導(dǎo)體器件5G設(shè)備 2.7k 0

EDA需由點(diǎn)及面突破 國產(chǎn)EDA軟件產(chǎn)業(yè)逐漸實(shí)現(xiàn)點(diǎn)工具從0到1的突破

如今芯片已經(jīng)大步走進(jìn)5nm制程的時代，在一塊指甲蓋大小的芯片上，要集成上百億顆晶體管，想要在這樣微小的面積上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜且精密的布局，EDA工具是其中的關(guān)鍵...

2020-10-26 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體EDA工具 1.7k 0

大面積柔性透明的二硫化鉬場效應(yīng)晶體管及各種邏輯器件

這些器件表現(xiàn)出了優(yōu)異的特性：晶體管器件密度可達(dá) 1518 個 / 平方厘米，成品率高達(dá) 97%，是目前已報道結(jié)果中最高指標(biāo)；單個器件也表現(xiàn)出較好的電學(xué)性...

2020-10-23 標(biāo)簽：電阻晶體管半導(dǎo)體器件 5.2k 0

NS Nanotech宣布，它已經(jīng)突破了半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的主要障礙

NS納米技術(shù)公司的新型氮化物半導(dǎo)體芯片是首款能發(fā)射波長200至222納米的遠(yuǎn)紫外光的固態(tài)器件。第三方研究表明，在這個波長范圍內(nèi)發(fā)射的隱形消毒光可以中和9...

2020-10-23 標(biāo)簽：芯片紫外光半導(dǎo)體器件 3.4k 0

第三代半導(dǎo)體器件和集成電路未來產(chǎn)業(yè)的發(fā)展

在目前的中美貿(mào)易摩擦下，電子產(chǎn)業(yè)首當(dāng)其沖，特別是芯片產(chǎn)業(yè)，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，現(xiàn)在跟美國的公司交易，周期一般都特別長，而且基本都需要提前付款和面臨各種各樣的審查。

2020-09-08 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體器件 4.5k 0

“新一輪產(chǎn)業(yè)升級，全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時代“

碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。

2020-09-02 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)SiC半導(dǎo)體器件 1.8k 0