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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
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2024中國華東電機智造與創(chuàng)新應用交流會圓滿舉辦!
智造創(chuàng)芯,驅(qū)動發(fā)展。交流會議程精彩紛呈,閃耀瞬間快來回顧! 隨著智能制造與新能源技術(shù)的飛速發(fā)展,電機行業(yè)迎來了前所未有的創(chuàng)新與變革機遇。6月28日,由B...
華虹宏力半導體制造有限公司"半導體器件制造"專利公開
該技術(shù)方案主要包括以下步驟:首先在襯底內(nèi)構(gòu)建第一溝槽與第二溝槽,其中第一溝槽位于MOS區(qū)域,第二溝槽位于SBR區(qū)域;接著在上述溝槽的內(nèi)壁依次制備第一氧化...
在半導體技術(shù)與微電子領(lǐng)域中,襯底和外延是兩個重要的概念。它們在半導體器件的制造過程中起著至關(guān)重要的作用。本文將詳細探討半導體襯底和外延的區(qū)別,包括它們的...
隨著半導體器件不斷向高頻、高功率、高集成度方向發(fā)展,器件的有源區(qū)工作溫升也隨之升高,導致性能及長期可靠性降低。為了有效進行散熱設計和性能檢測,必須精確測...
該發(fā)明涉及一種新型半導體器件冷卻裝置,主要由冷卻部及驅(qū)動部組成。冷卻部內(nèi)置第一冷卻介質(zhì)通道,驅(qū)動部可在第一位置與第二位置間移動,在第一位置時,驅(qū)動部與冷...
據(jù)日本媒體報道,東芝計劃在日本本土裁員約5000人,這一數(shù)字占其日本員工總數(shù)的近十分之一。
碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料,具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作,同時保持穩(wěn)定性和效率。
功率半導體器件IGBT及新材料工藝技術(shù)發(fā)展
功率半導體:電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心功率半導體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導體是一種廣泛用于電力電子裝置和電能轉(zhuǎn)換和控制電路的半導...
江西薩瑞微獨家研發(fā)【一種LDMOS場效應管及其制備方法】
一種LDMOS場效應管及其制備方法本發(fā)明涉及半導體器件設計領(lǐng)域,具體涉及一種LDMOS場效應管及其制備方法。在當前半導體行業(yè)競爭日趨激烈的背景下,LDM...
捷捷微電2024年第一季度業(yè)績預增,凈利潤或增175%-195%
公司緊跟行業(yè)趨勢,強化團隊實力,以市場為導向,把握功率半導體器件進口替代機遇以及產(chǎn)品升級和客戶需求增長,拓寬下游應用領(lǐng)域,推動業(yè)務穩(wěn)步增長。
該發(fā)明涉及一種半導體器件,包含底座,又劃分為第一和第二園區(qū),一個位于另兩個鄰側(cè)之間;兩個子漏區(qū),坐落于底座的第一園區(qū);虛擬結(jié)構(gòu),位于兩子漏區(qū)間的底座上;...
該發(fā)明提出一種制備半導體器件的新方法,首先需要在基板上制備劃分明確且排列整齊的鰭部;之后在基板上構(gòu)建覆于鰭部之上的偽柵結(jié)構(gòu);再制備并在偽柵結(jié)構(gòu)上方安裝一...
蘇州工業(yè)園區(qū)集成電路出口增幅81.5%,推動園區(qū)進出口增長27%
相比之下,集成電路進出口相對增幅較園區(qū)整體超出45個百分點。實際上,在同期園區(qū)進出口總值中,這個數(shù)字占據(jù)了44.1%,拉動園區(qū)總體進出口增長了27個百分...
近日,據(jù)企查查APP顯示,深圳市景弘瑞訊電子有限公司成立,注冊資本1000萬元,經(jīng)營范圍包含:電子專用材料研發(fā);
2024-03-14 標簽:半導體器件 1.8k 0
12家半導體/芯片公司齊聚EDICON發(fā)表演講和進行展示!
EDICON China 2024·電子設計創(chuàng)新大會 歡迎參加 EDICON China(電子設計創(chuàng)新大會)是射頻/微波/無線和高頻/高速電子設計領(lǐng)域的...
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