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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
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氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) M...
大面積柔性透明的二硫化鉬場效應(yīng)晶體管及各種邏輯器件
這些器件表現(xiàn)出了優(yōu)異的特性:晶體管器件密度可達 1518 個 / 平方厘米,成品率高達 97%,是目前已報道結(jié)果中最高指標;單個器件也表現(xiàn)出較好的電學性...
晶閘管的控制角和電壓的關(guān)系是怎樣的? 晶閘管是一種電力控制元件,廣泛應(yīng)用于交流和直流電路中。它可以實現(xiàn)對電流和電壓的控制,是電力電子學領(lǐng)域的重要組成部分...
佳能新發(fā)售KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a”Grade10升級包 每小時晶圓產(chǎn)能可達300片 實現(xiàn)半導體光刻行業(yè)更高水平
佳能將于2022年8月初發(fā)售KrF?※1半導體光刻機“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產(chǎn)能升級配件包(以下簡稱“Grade10”升級包)。...
那么,電推進系統(tǒng)的基本原理是什么,目前中國的電推進技術(shù)發(fā)展處于怎樣的階段?相比于傳統(tǒng)的化學推進,電推進有何長處?稀有氣體與半導體器件在整個電推進系統(tǒng)中分...
1. 碳化硅的合成方法 碳化硅的合成方法主要有以下幾種: 直接合成法 :通過在高溫下將硅和碳直接反應(yīng)生成碳化硅。 化學氣相沉積(CVD) :利用氣體反應(yīng)...
2025-01-23 標簽:半導體器件碳化硅晶體結(jié)構(gòu) 4.7k 0
柵源短接的MOS管相當于什么 柵源短接的MOS管是一種特殊類型的MOS場效應(yīng)管,被廣泛應(yīng)用于電子電路中。柵源短接的MOS管常用于功率放大器、開關(guān)等應(yīng)用中...
2023-09-02 標簽:功率放大器場效應(yīng)管MOS管 4.7k 0
為什么加正向電壓PN結(jié)變薄,加反向會變厚呢? PN結(jié)是半導體器件中最基本和最常用的一種器件,具有正向?qū)ê头聪蚪刂沟奶匦?。如果將PN結(jié)的兩端施加正向電壓...
概倫電子旗下兩款業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件測試產(chǎn)品:9812DX 、FS-Pro
在這次產(chǎn)品升級中,9812DX 無縫集成了 FS-Pro 團隊提供的智能供電測試單元(SMU),提供了從直流參數(shù)到噪聲特性的完整測量解決方案,用戶不再需...
2020-07-15 標簽:eda半導體器件集成電路設(shè)計 4.5k 0
通過投票決定對某些半導體器件,集成電路和含有該器件的消費產(chǎn)品啟動337調(diào)查
美國ITC經(jīng)過投票,目前已經(jīng)啟動了此次的337調(diào)查(337-TA-1149),不過尚未對案件的案情作出任何決定。ITC的首席行政法法官將該案件分配給其中...
第三代半導體器件和集成電路未來產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
在目前的中美貿(mào)易摩擦下,電子產(chǎn)業(yè)首當其沖,特別是芯片產(chǎn)業(yè),據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,現(xiàn)在跟美國的公司交易,周期一般都特別長,而且基本都需要提前付款和面臨各種各樣的審查。
半導體器件并不完美——所有二極管和晶體管都因開關(guān)和導通而產(chǎn)生功率損耗。開關(guān)損耗發(fā)生在結(jié)的通斷狀態(tài)之間的間隔期間,此時器件端子上既有電壓又有電流流過。傳導...
2022-04-21 標簽:電子設(shè)備半導體器件開關(guān)損耗 4.4k 0
DIP是英文DoubleIn-linePackage的縮寫,即雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)IGBT作為新型功率半導體器件的主流器件,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、計算機、消費電子、汽車電子以及航空航天、國防軍工等產(chǎn)業(yè)...
元器件損壞的原因主要有兩個 元器件在電氣設(shè)備和電子產(chǎn)品中起著關(guān)鍵的作用,但在使用過程中也容易受到損壞,導致設(shè)備或產(chǎn)品無法正常工作。元器件損壞的原因可以分...
IGBT走虛擬IDM之路:設(shè)計與加工是分離還是統(tǒng)一?
目前我國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策及重大項目的推動及市場牽引下得到了迅速發(fā)展,呈現(xiàn)出大尺寸區(qū)溶(FZ)單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬...
日本京都大學工學院須田淳準教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導體器件。10月23日該研究組宣布了這一...
在半導體技術(shù)與微電子領(lǐng)域中,襯底和外延是兩個重要的概念。它們在半導體器件的制造過程中起著至關(guān)重要的作用。本文將詳細探討半導體襯底和外延的區(qū)別,包括它們的...
場效應(yīng)管的參數(shù)介紹 如何測試場效應(yīng)管的功能
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導體器件,主要通過改變輸入端的電壓來控制輸出端的電流。場效應(yīng)管廣...
2024-12-09 標簽:電流場效應(yīng)管參數(shù) 4.1k 0
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