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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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柵源短接的MOS管相當(dāng)于什么 柵源短接的MOS管是一種特殊類(lèi)型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管,被廣泛應(yīng)用于電子電路中。柵源短接的MOS管常用于功率放大器、開(kāi)關(guān)等應(yīng)用中...
2023-09-02 標(biāo)簽:功率放大器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 4.7k 0
元器件損壞的原因主要有兩個(gè) 元器件在電氣設(shè)備和電子產(chǎn)品中起著關(guān)鍵的作用,但在使用過(guò)程中也容易受到損壞,導(dǎo)致設(shè)備或產(chǎn)品無(wú)法正常工作。元器件損壞的原因可以分...
2023-08-29 標(biāo)簽:升壓電源電解電容半導(dǎo)體器件 4.3k 0
半導(dǎo)體器件中性能最好的是什么?? 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中最為重要的組成部分之一,是連接芯片和外部電路的中間介質(zhì)。通常,半導(dǎo)體器件的性能被評(píng)價(jià)的標(biāo)準(zhǔn)是...
國(guó)產(chǎn)SiC MOS又添新軍,性能媲美國(guó)際大廠(chǎng)
據(jù)介紹,他們的新一代產(chǎn)品是基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開(kāi)發(fā),主要有4款新產(chǎn)品(K3M040120-R、K3M040120-R4、K3M080120-R以及K3...
2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 4.7k 0
大功率數(shù)字電源市場(chǎng)應(yīng)用,哪些值得關(guān)注?
近年來(lái),隨著電子設(shè)備的不斷智能化和高性能化,高效、可靠的電源解決方案需求越來(lái)越大。
2023-08-28 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器芯片設(shè)計(jì)數(shù)字電源 958 0
簡(jiǎn)述半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理
簡(jiǎn)述半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理? 半導(dǎo)體是一種非金屬材料,具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的電導(dǎo)率。在半導(dǎo)體中,是否能導(dǎo)電的關(guān)鍵是它的能帶結(jié)構(gòu)。由于原子的能級(jí)分布,半導(dǎo)體...
2023-08-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 6.6k 0
穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能是利用什么實(shí)現(xiàn)的
穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能是利用什么實(shí)現(xiàn)的 穩(wěn)壓管是一種半導(dǎo)體器件,可以穩(wěn)定電壓并保證其恒定輸出,使其在電路中起到非常重要的作用。穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能是如何實(shí)現(xiàn)的呢?...
晶體管的三種基本接法是什么 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,是現(xiàn)代電子技術(shù)中的重要組成部分,可用于放大、開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓等電路。晶體管的三種基本接法是共射極、共集電極...
2023-08-25 標(biāo)簽:晶體管電壓跟隨器半導(dǎo)體器件 8.5k 0
電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)——半導(dǎo)體器件,揭示各國(guó)半導(dǎo)體器件命名方法
第二部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí):A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí):A-PN...
2023-08-11 標(biāo)簽:三極管電子元器件半導(dǎo)體器件 2.8k 0
西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件推出新的Solido 設(shè)計(jì)環(huán)境軟件
新的IC設(shè)計(jì)和驗(yàn)證解決方案結(jié)合了人工智能技術(shù)與云服務(wù)的可擴(kuò)展性?xún)?yōu)勢(shì),旨在解決產(chǎn)品的復(fù)雜性,加快產(chǎn)品上市速度 西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件日前推出新的Solido...
EUV光刻市場(chǎng)高速增長(zhǎng),復(fù)合年增長(zhǎng)率21.8%
EUV掩膜,也稱(chēng)為EUV掩模或EUV光刻掩膜,對(duì)于極紫外光刻(EUVL)這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù),用于制造具有更小特征尺寸和增...
2023-08-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件光刻技術(shù)EUV 1.1k 0
儲(chǔ)能風(fēng)起 誰(shuí)能承載著東風(fēng)一躍而上?
7月18日,江蘇北人在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,開(kāi)展儲(chǔ)能業(yè)務(wù)是公司的重要戰(zhàn)略布局,公司采取“產(chǎn)品設(shè)計(jì)—產(chǎn)線(xiàn)研發(fā)—供應(yīng)鏈—規(guī)?;圃臁Y產(chǎn)持有—資產(chǎn)運(yùn)營(yíng)”一體化...
2023-07-20 標(biāo)簽:機(jī)器人PCS半導(dǎo)體器件 775 0
【芯聞時(shí)譯】研究人員找到了一種減少半導(dǎo)體器件過(guò)熱的方法
來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技編譯 縮小半導(dǎo)體尺寸的需求,加上器件熱點(diǎn)處產(chǎn)生的熱量無(wú)法有效分散的問(wèn)題,對(duì)現(xiàn)代器件的可靠性和耐用性產(chǎn)生了負(fù)面影響?,F(xiàn)有的熱管理技術(shù)無(wú)法...
2023-07-18 標(biāo)簽:SPP半導(dǎo)體器件 929 0
國(guó)家統(tǒng)計(jì)局:上半年半導(dǎo)體器件專(zhuān)用設(shè)備制造業(yè)同比增長(zhǎng)30.9%
二是產(chǎn)業(yè)升級(jí)穩(wěn)步推進(jìn)。工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)密集程度持續(xù)提高,上半年裝備制造業(yè)增加值同比增長(zhǎng)6.5%,比規(guī)模以上工業(yè)的增長(zhǎng)率高2.7個(gè)百分點(diǎn),對(duì)全部規(guī)模以上工業(yè)的...
加速新賽道固態(tài)半導(dǎo)體器件破繭而出—LED芯片技術(shù)
近年來(lái),由于我國(guó)宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)持續(xù)增長(zhǎng)、國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的扶持以及LED技術(shù)的不斷突破;國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,并已形成完整的產(chǎn)業(yè)鏈。
2023-07-14 標(biāo)簽:發(fā)光二極管LED技術(shù)LED芯片 1.3k 0
航天級(jí)IC助推詹姆斯·韋伯太空望遠(yuǎn)鏡深入探索宇宙奧秘
NASA發(fā)布了使用其超大超強(qiáng)太空望遠(yuǎn)鏡以空前分辨率和靈敏度觀(guān)測(cè)宇宙時(shí)拍攝的首批圖像。
2023-07-12 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器望遠(yuǎn)鏡半導(dǎo)體器件 941 0
JEDEC 制定的 JEP 95 《 JEDEC 注冊(cè)外形圖》標(biāo)淮與 IEC SC47D 發(fā)布的標(biāo)淮異曲同工,只不過(guò)其外形標(biāo)淮是由其會(huì)員公司提出的。
2023-06-30 標(biāo)簽:封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件 2.5k 0
國(guó)際上對(duì)封裝外形標(biāo)淮化工作開(kāi)展得較早,一般采用標(biāo)淮增補(bǔ)單或外死注冊(cè)形式。 IEC SC47D 發(fā)布的 IEC 60191-2《半導(dǎo)體器件封裝標(biāo)準(zhǔn) 第2部...
2023-06-30 標(biāo)簽:集成電路封裝半導(dǎo)體器件 3k 0
三極管-功率半導(dǎo)體元器件的未來(lái)替代空間大
隨著當(dāng)今產(chǎn)品設(shè)計(jì)走向輕、薄、短、小,尤其是在手機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中,功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率分立器件、電源管理IC和...
2021-09-10 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體器件大功率三極管 1.6k 0
貼片3904三極管_MMBT3904 絲印1AM三極管主要參數(shù)資料
3904三極管作為一種常見(jiàn)的低電壓、低電流信號(hào)晶體三極管,是半導(dǎo)體基本元器件之一。MMBT3904 SOT-23封裝型號(hào)的應(yīng)用范圍很廣,人們家庭中的小家...
2021-11-12 標(biāo)簽:三極管晶體管半導(dǎo)體器件 6.5萬(wàn) 0
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