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臺(tái)積電

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臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，簡(jiǎn)稱臺(tái)積電、TSMC，是臺(tái)灣一家半導(dǎo)體制造公司，成立于1987年，是全球第一家、以及最大的專業(yè)集成電路制造服務(wù)（晶圓代工）企業(yè)，總部與主要工廠位于新竹科學(xué)園區(qū)。2013年?duì)I收19.85億美元，晶圓代工市占率46%，為全球第一。

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臺(tái)積電技術(shù)

高端SerDes集成到FPGA中的挑戰(zhàn)

在過去的幾十年里，電子通信行業(yè)一直是 FPGA 市場(chǎng)增長(zhǎng)背后的重要推動(dòng)力，并將繼續(xù)保持下去。這背后的一個(gè)主要原因是 FPGA 中內(nèi)置了許多不同的高速接口...

2023-02-22 標(biāo)簽：dsp fpga 臺(tái)積電 2.1k 0

Marvell高速芯片互連采用臺(tái)積電最新3nm工藝，傳輸速率每秒240Tbps

當(dāng)今汽車產(chǎn)業(yè)的品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)會(huì)告訴你‘不要碰多芯片系統(tǒng)’，你甚至不能在封裝上堆疊導(dǎo)孔。但我們也看到產(chǎn)業(yè)導(dǎo)入越來越多系統(tǒng)級(jí)的安全措施。這些在設(shè)計(jì)上具有足夠安全性...

2023-10-23 標(biāo)簽：臺(tái)積電芯片設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心 2k 0

2nm制程報(bào)價(jià)直逼2.5萬美元

芯片制造領(lǐng)域正迎來3納米工藝的興起，并且2納米競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)全面展開。

2023-06-28 標(biāo)簽：臺(tái)積電芯片制造 2nm 2k 0

決戰(zhàn)7納米制程，臺(tái)積電拼足了勁！

臺(tái)積電則是透過CEO劉德音表態(tài)指出，7納米制程的SRAM良率已經(jīng)達(dá) 30%到40% ，將會(huì)是業(yè)界首家通過7納米制程認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。

2016-06-12 標(biāo)簽：臺(tái)積電半導(dǎo)體芯片格羅方德 1.9k 0

臺(tái)積電的先進(jìn)工藝及其影響

隨著 N3E、N4P 和 3DFabric 工藝的發(fā)布，新的獨(dú)特設(shè)計(jì)要求要求進(jìn)行新的認(rèn)證，以確保同時(shí)滿足設(shè)計(jì)人員的系統(tǒng)要求和 TSMC 的工藝要求，從而...

2022-11-07 標(biāo)簽：臺(tái)積電 eda 1.8k 0

AI為晶圓代工產(chǎn)業(yè)將帶來什么的未來？

在12英寸晶圓產(chǎn)能利用率上，位于頭部的晶圓代工企業(yè)的產(chǎn)能利用率大致也能達(dá)到80%左右。不過可以發(fā)現(xiàn)，三星在先進(jìn)工藝上名列前茅，但產(chǎn)能利用率處于比較末尾的...

2023-12-13 標(biāo)簽：英特爾 asic 臺(tái)積電 1.7k 0

淺談半導(dǎo)體技術(shù)的未來發(fā)展路線圖

機(jī)器學(xué)習(xí)（訓(xùn)練和推理）支持上述應(yīng)用程序的作用也將擴(kuò)大，對(duì)HPC吞吐量提出了進(jìn)一步的要求。Mii博士評(píng)論說，這些HPC要求將繼續(xù)推動(dòng)研發(fā)工作，以提高半導(dǎo)體...

2022-12-26 標(biāo)簽：集成電路臺(tái)積電機(jī)器學(xué)習(xí) 1.7k 0

先進(jìn)制程工藝止步14nm制程的原因有哪些？

臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)...

2023-04-14 標(biāo)簽：臺(tái)積電 14nm 三星 1.6k 0

三星和臺(tái)積電開掛工藝之爭(zhēng) 英特爾成靶子

競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和臺(tái)積電，在14/16nm節(jié)點(diǎn)之后好像開掛一樣，10nm工藝都已經(jīng)量產(chǎn)商用，其中臺(tái)積電拿下了華為麒麟970、蘋果A11，三星則搞定了高通驍龍...

2018-04-13 標(biāo)簽：英特爾三星電子臺(tái)積電 1.6k 0

M3芯片內(nèi)部裸片是什么樣子的？

High Yield的顏色編碼幫助我們快速獲得現(xiàn)代SoC中每個(gè)不同構(gòu)建塊的相對(duì)尺寸的高級(jí)視圖，如圖所示的三個(gè)處理器。當(dāng)我們?yōu)g覽這個(gè)系列時(shí)，你可以看到蘋果...

2023-11-29 標(biāo)簽：處理器臺(tái)積電蘋果 1.6k 0

先進(jìn)封裝Chiplet全球格局分析

Chiplet 封裝領(lǐng)域，目前呈現(xiàn)出百花齊放的局面。Chiplet 的核心是實(shí)現(xiàn)芯片間的高速互聯(lián)，同時(shí)兼顧多芯片互聯(lián)后的重新布線。

2023-01-05 標(biāo)簽：mcu amd 臺(tái)積電 1.5k 0

ADC框圖解析

本數(shù)據(jù)表描述了臺(tái)積電40nm ULP工藝中的TetraMem ADC IP。

2023-08-23 標(biāo)簽：傳感器臺(tái)積電 adc 1.5k 0

淺析業(yè)界最快的3nm CMOS平臺(tái)技術(shù)可行性

基于品質(zhì)因數(shù)（FOM），該3nm技術(shù)的2-1鰭配置提供了18%的等功率速度增益，或在相同速度下比我們的5nm技術(shù)降低了34%的功率。

2023-03-07 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管人工智能 1.2k 0

臺(tái)積電計(jì)劃在美國(guó)生產(chǎn)3納米芯片

作為全球最大的芯片代工廠，臺(tái)積電正在美國(guó)亞利桑那州建設(shè)一座價(jià)值120億美元的工廠。臺(tái)積電此前曾透露，亞利桑那州工廠建成后采用5nm制程工藝，預(yù)計(jì)2024...

2022-11-22 標(biāo)簽：臺(tái)積電 3nm工藝 1.2k 0

臺(tái)積電下調(diào)代工報(bào)價(jià) 28/22nm工藝降價(jià)幅度達(dá)10%

據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，據(jù)消息人士透露，臺(tái)積電提出的從2023年第三季度開始到2024年第二季度為止的8英寸生產(chǎn)能力價(jià)格因生產(chǎn)量將大幅減少，8英寸平均生...

2023-08-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓納米 1.1k 0

臺(tái)積電取得“綠色工廠標(biāo)章”

臺(tái)灣積體電路製造股份有限公司宣佈，座落于新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)之臺(tái)積晶圓十二廠第四期廠房成功通過經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局綠色工廠認(rèn)證，成為全國(guó)第一家獲頒「綠色工廠標(biāo)章」的...

2012-08-29 標(biāo)簽：集成電路臺(tái)積電晶圓代工 1.1k 0

ARM攜手臺(tái)積電探究半導(dǎo)體芯片制造工藝

ARM與臺(tái)積電宣布簽署一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對(duì)象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)方法。

2012-08-12 標(biāo)簽：ARM 半導(dǎo)體臺(tái)積電 1.1k 0

俄羅斯自研Elbrus-8SV處理器性能實(shí)測(cè)

紙面規(guī)格上，Elbrus-8SV采用臺(tái)積電28nm工藝，8核1.5GHz，16MB三級(jí)緩存，支持四通道DDR4-2400 ECC內(nèi)存，性能號(hào)稱是前一代E...

2023-02-21 標(biāo)簽：處理器臺(tái)積電 1k 0

臺(tái)積電引領(lǐng)新興存儲(chǔ)技術(shù)潮流，功耗僅為同類技術(shù)的1%

MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié)，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動(dòng)。

2024-01-22 標(biāo)簽：臺(tái)積電存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù) 1k 0

美國(guó)政府斥資逾60億美元支持三星德克薩斯項(xiàng)目

盡管目前尚不清楚這些額外投資將具體用于哪些領(lǐng)域，但無疑將進(jìn)一步推動(dòng)三星在美國(guó)的業(yè)務(wù)發(fā)展，并有望為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)帶來更加積極的影響。

2024-03-15 標(biāo)簽：臺(tái)積電半導(dǎo)體行業(yè)三星 1k 0

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　IIoT（Industrial Internet of Things）是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的簡(jiǎn)稱 —— 微型低成本傳感器和高帶寬無線網(wǎng)絡(luò)的出現(xiàn)，意味著當(dāng)下只要有一定水平的數(shù)字智能，即使是最小的設(shè)備也可以連接起來。
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AWS即Amazon Web Services，是亞馬遜（Amazon）公司的云計(jì)算IaaS和PaaS平臺(tái)服務(wù)。AWS面向用戶提供包括彈性計(jì)算、存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)庫(kù)、應(yīng)用程序在內(nèi)的一整套云計(jì)算服務(wù)，能夠幫助企業(yè)降低IT投入成本和維護(hù)成本。
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HTC Vive是由HTC與Valve聯(lián)合開發(fā)的一款VR頭顯（虛擬現(xiàn)實(shí)頭戴式顯示器）產(chǎn)品，于2015年3月在MWC2015上發(fā)布。由于有Valve的SteamVR提供的技術(shù)支持，因此在Steam平臺(tái)上已經(jīng)可以體驗(yàn)利用Vive功能的虛擬現(xiàn)實(shí)游戲。2016年6月，HTC推出了面向企業(yè)用戶的Vive虛擬現(xiàn)實(shí)頭盔套裝—Vive BE（即商業(yè)版），其中包括專門的客戶支持服務(wù)。
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nbiot即窄帶物聯(lián)網(wǎng)，窄帶物聯(lián)網(wǎng)成為萬物互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的一個(gè)重要分支。NB-IoT構(gòu)建于蜂窩網(wǎng)絡(luò)，只消耗大約180kHz的帶寬，可直接部署于GSM網(wǎng)絡(luò)、UMTS網(wǎng)絡(luò)或LTE網(wǎng)絡(luò)，以降低部署成本、實(shí)現(xiàn)平滑升級(jí)。
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電力物聯(lián)網(wǎng)是物聯(lián)網(wǎng)在智能電網(wǎng)中的應(yīng)用，是信息通信技術(shù)發(fā)展到一定階段的結(jié)果，其將有效整合通信基礎(chǔ)設(shè)施資源和電力系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施資源，提高電力系統(tǒng)信息化水平，改善電力系統(tǒng)現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施利用效率，為電網(wǎng)發(fā)、輸、變、配、用電等環(huán)節(jié)提供重要技術(shù)支撐。
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物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備是非標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算設(shè)備，可無線連接到網(wǎng)絡(luò)并具有傳輸數(shù)據(jù)的能力。物聯(lián)網(wǎng)涉及將互聯(lián)網(wǎng)連接范圍從臺(tái)式機(jī)，筆記本電腦，智能手機(jī)和平板電腦之類的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備擴(kuò)展到任何范圍的傳統(tǒng)“啞”或未啟用互聯(lián)網(wǎng)的物理設(shè)備和日常物品。
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上海移遠(yuǎn)通信技術(shù)股份有限公司是全球領(lǐng)先的5G、LTE/LTE-A、NB-IoT/LTE-M、車載前裝、安卓智能、GSM/GPRS、WCDMA/HSPA(+)和GNSS模組供應(yīng)商，同時(shí)也是全球首個(gè)符合3GPP R13標(biāo)準(zhǔn)的NB-IoT模組廠商。

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