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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

晶體管如何利用“0”和“1”處理數(shù)據(jù)？

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的同樣有三個(gè)極，分別為源極（Source）、柵極（Gate 也叫閘極）和漏極（Drain）。通過(guò)在柵極和源極之間施加電壓就能改變?cè)礃O和漏極之...

2023-02-16 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3.4k 0

EDA探索之新型垂直互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

集成電路密度的提升是一個(gè)業(yè)界持續(xù)追求的方向，也是“集成”的含義所在。提升集成電路器件密度有多種方式，其中降低器件的單位面積是最根本也是最有效的途徑。

2023-02-16 標(biāo)簽：集成電路振蕩器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.7k 0

選用MOS管還是三極管？

三極管，全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。

2023-02-16 標(biāo)簽：三極管場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 1.4k 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理

在PN結(jié)施加反向電壓，耗盡層會(huì)逐漸變寬，通過(guò)改變耗盡層寬度來(lái)對(duì)導(dǎo)電通道進(jìn)行控制。

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8.6k 0

MOS管的原理是什么？它是如何起作用的？

mos管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。是金屬（metal）—氧化物（oxid）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2023-02-12 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管晶體管 1.6k 0

低溫傳輸測(cè)量證明了高質(zhì)量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時(shí)的預(yù)期特征。在圖1b中，四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎(chǔ)混合室溫度為40 mK時(shí)使...

2023-02-10 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管石墨烯晶格 1.5k 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）的工作原理/工作模式/特性/優(yōu)點(diǎn)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)JFET，已被廣泛用于電子電路中。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET是一種可靠且有用的電子元件，可以很容易地用于從放大器到開(kāi)關(guān)電路的各種電子電路中。

2023-02-09 標(biāo)簽：JFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 jfet器件 3.1萬(wàn) 0

淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。

2023-02-08 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲(chǔ)器 1.2k 0

如何應(yīng)用GaN 提高功率密度和效率？

集成驅(qū)動(dòng)器可減小解決方案尺寸，實(shí)現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時(shí)，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...

2023-02-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 GaN 1k 0

FET與BJT的比較 FET的分類(lèi)介紹

　　FET的全稱(chēng)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor)，和BJT不同，F(xiàn)ET的核心工作原理是：通過(guò)在半導(dǎo)體上施加一個(gè)電場(chǎng)來(lái)改變...

2023-02-03 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 FET 7.7k 0

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝流程（FinFET）

首先沉積鰭軸( Mandrel)和硬掩模層，掩模圖形化鰭軸并刻蝕，形成第一側(cè)墻；

2023-01-31 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 FinFET 4.7k 0

平面互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程

該工藝是指在形成層間介質(zhì)層（ILD）后，插入工序以形成高k介質(zhì)和金屬柵疊層，即在化學(xué)機(jī)械拋光（露出多晶硅柵疊層）后，刻蝕掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用...

2023-01-17 標(biāo)簽：CMOS 多晶硅晶體管 3.5k 0

關(guān)于模擬電路的40個(gè)實(shí)用小常識(shí)

穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。

2023-01-09 標(biāo)簽：pcb 模擬電路穩(wěn)壓二極管 615 1

柵氧化層和多晶硅柵工藝示意圖解析

當(dāng)核心區(qū)域和 I/O 區(qū)域都已經(jīng)生長(zhǎng)晶體管后，沉積多晶硅層（Poly-Si）和硬掩模層（薄的SiON和PECVD二氧化硅）。沉積柵疊層(Cate-Sta...

2022-12-08 標(biāo)簽：CMOS 晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8.6k 1

智能化與電動(dòng)化雙輪驅(qū)動(dòng)，汽車(chē)MOSFET大有可為

MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀(jì)80年代開(kāi)始興起，在如今電力電子功率器件中，無(wú)疑成為了最重要...

2022-11-30 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 1.2k 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路詳解

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路，場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大...

2022-11-30 標(biāo)簽：放大電路 MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.7k 0

第一個(gè)晶體管的誕生你知道嗎

雙極結(jié)型晶體管使用幾乎相同的原理實(shí)現(xiàn)放大，但具有兩個(gè)半導(dǎo)體界面或結(jié)，而不是一個(gè)。與點(diǎn)接觸晶體管一樣，施加的電壓克服勢(shì)壘并使電流流動(dòng)，該電流由較小的輸入電流調(diào)制。

2022-11-22 標(biāo)簽：三極管晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.1k 0

IGBT模塊參數(shù)詳解車(chē)用IGBT模塊可靠性

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor）是由雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（...

2022-11-16 標(biāo)簽：IGBT 場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極結(jié)型晶體管 919 0

一種用于實(shí)時(shí)檢測(cè)溶液中COVID-19刺突抗原的電子生物傳感器

這款GO-FET生物傳感器采用由p型硅（Si）襯底以及覆蓋其上的二氧化硅（SiO2）介電層組成的p型硅片（Si/SiO2）制備。

2022-11-10 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器 958 0

應(yīng)用于汽車(chē)功放電路的FHP45N20W場(chǎng)效應(yīng)管

如何能夠從品質(zhì)提升自己的產(chǎn)品力，進(jìn)而獲取市場(chǎng)青睞。對(duì)于汽車(chē)音響功放，選用一款能替代國(guó)外IRFB38N20D型號(hào)參數(shù)的MOS管尤為重要。

2022-10-28 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.7k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專(zhuān)注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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