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標簽 > 場效應晶體管
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個半導體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結構,溝...
研究人員對硅納米線Bio-FET進行了制造和表征,如圖1a和圖2所示,該器件由硅納米線FET器件和PDMS微流體層構成,尺寸為15mm × 26mm,具...
EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場效應晶體管
宜普電源轉換公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應晶體管(EPC2071),為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高...
UnitedSiC宣布推出行業(yè)先進的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
中國北京 -?2022 年 5 月 17 日 – 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QR...
場效應管(FieldEffectTransistor)又稱場效應晶體管,是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。由多數(shù)載流子參與...
TI全新緩沖放大器可將數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的信號帶寬提高十倍
德州儀器推出了具有業(yè)界超寬帶寬的高輸入阻抗(Hi-Z)緩沖放大器BUF802,能夠支持高達3GHz的頻率帶寬。
得益于高集成度和低成本潛力,F(xiàn)ET(場效應晶體管)引起了生物傳感(例如DNA、蛋白質、病毒檢測及pH傳感等)應用領域的廣泛興趣。當生物分子與柵極的化學修...
散射機制調(diào)控實現(xiàn)二維Bi2O2Se高效熱電轉換
不同于目前廣泛研究的石墨烯,過渡金屬硫化物,黑磷等二維材料,二維Bi2O2Se的低聲子群速度和強聲子非諧散射使其具有極低的熱導率(~0.92 W/mK ...
FET柵極驅動器和電源的支持組件集成在柵極驅動器中,從而縮減了串聯(lián)柵極電阻器、柵極灌電流路徑二極管、柵源電壓(VGS)鉗位二極管、柵極無源下拉電阻器和電...
MOS管漲價最新消息mosfet價格走勢長紅 Diodes 士蘭微等陸續(xù)發(fā)布漲價通知
受上游晶圓供應緊缺情況的持續(xù)影響,近日,國內(nèi)外多家金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)廠商發(fā)布漲價通知,目前已累計四家MOS管廠商已經(jīng)啟動漲價,漲...
EPC推出300W、雙向、1/16磚型轉換器評估模塊——EPC9151
面向高功率密度且低成本的DC/DC轉換,EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級實現(xiàn)性能更高和尺寸更小的解決方案。
宜普電源轉換公司推出100V ~ 200V產(chǎn)品系列的EPC2059氮化鎵場效應晶體管
宜普電源轉換公司是增強型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應晶體管和集成電路的全球領先供應商,致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本,最新推出EP...
TI推出其首款帶集成驅動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的車用GaN FET
德州儀器高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示:“工業(yè)和汽車應用日益需要在更小的空間內(nèi)提供更多的電力,設計人員必須提供能在終端設備長久...
宜普電源轉換推出eGaN?FET 98%效率、250W/48V的DC/DC解決方案
EPC9153是一款250 W超薄電源模塊,采用簡單且低成本的同步降壓配置,峰值效率高達98.2%,元件的最大厚度為6.5 毫米。
ROHM推出適用于FA和機器人等工業(yè)設備的Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出非常適用于FA和機器人等工業(yè)設備以及空調(diào)等消費電子產(chǎn)品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)...
宜普電源轉換公司推出兩款100V eGaN FET,為業(yè)界樹立全新性能基準
EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導通電阻降低了接近20...
宜普電源轉換公司推出兩款新一代200 V 氮化鎵場效應晶體管
EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%...
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