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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)管
場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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在工程界有一句古老的格言——“如果它移動(dòng),它就會(huì)斷裂”。我們都知道,像風(fēng)扇或繼電器這樣的機(jī)械設(shè)備通常是第一個(gè)發(fā)生故障的東西,在關(guān)鍵系統(tǒng)中,您需要一個(gè)先發(fā)...
2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 636 0
場效應(yīng)管的測量方法 場效應(yīng)管的注意事項(xiàng)
場效應(yīng)管(fet)是電場效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點(diǎn)...
2023-02-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管FET 5.4k 0
場效應(yīng)管的特點(diǎn) 場效應(yīng)管的使用優(yōu)勢
場效應(yīng)管是一種電子元件,它可以控制電流或電壓,通過改變極化層的電場來控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分為MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)、JF...
2023-02-17 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管JFET 6k 0
場效應(yīng)管電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識
FET廣泛用于分立式和IC電路,提供電壓增益和高輸入阻抗。
2023-02-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)管電路設(shè)計(jì)晶體管 1.5k 0
所謂的 H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡單的 H 橋電路,它由 2 個(gè) P 型場效應(yīng)管 Q1、Q2 與 2 個(gè) N 型場效應(yīng)管 Q3、Q3...
2023-02-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)管H橋電路控制電機(jī) 4.9k 0
當(dāng)然,D2PAK-7L 的“主要”屬性是它外形扁平且表面貼裝,適用于功率密集 AC/DC、DC/DC 和逆變器產(chǎn)品的現(xiàn)代自動(dòng)化裝配技術(shù)。較舊的最終產(chǎn)品設(shè)...
2023-02-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管碳化硅 1k 0
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。
2023-02-16 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體場效應(yīng)管 4k 0
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 2.3k 0
電路中,晶體管常常被用來當(dāng)做開關(guān)使用。晶體管用作開關(guān)時(shí)有兩種不同的接線方式:高邊(high side)和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在...
2023-02-16 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 6.6k 0
簡單認(rèn)識功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET,但很少用于耐高壓的功率電路中),如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。
2023-02-16 標(biāo)簽:電阻MOSFET場效應(yīng)管 3k 0
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號, 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。
2023-02-16 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管MOS管 1.4k 0
功率MOSFET是較常使用的一類功率器件?!癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 905 0
由RC電路和P溝道場效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路講解
下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路。
2023-02-15 標(biāo)簽:電容場效應(yīng)管RC電路 5.3k 0
晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管等。晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號...
2023-02-14 標(biāo)簽:三極管二極管場效應(yīng)管 3.1k 0
IGBT基礎(chǔ)知識:IGBT工作原理/優(yōu)缺點(diǎn)/選型/應(yīng)用
IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS,集電極電流IC類似于漏極電流ID,集電極-發(fā)射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。
2023-02-14 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 9.8k 0
什么是功率開關(guān)管?它和場效應(yīng)管一樣嗎?
功率開關(guān)管是指能承受較大電流,漏電流較小,在一定條件下有較好飽和導(dǎo)通及截止特性的三極管,可不太考慮其放大性能
2023-02-13 標(biāo)簽:放大器三極管場效應(yīng)管 3.4k 0
場效應(yīng)管(FET)輸入運(yùn)算放大器能帶來什么好處
FET輸入的運(yùn)算放大器具備幾個(gè)優(yōu)勢。由于它具有極低的輸入偏置電流,通常在pA范圍內(nèi),因而對輸入電路產(chǎn)生的負(fù)載也極低,這樣就可使用大的源電阻,而不會(huì)引入明...
2023-02-13 標(biāo)簽:場效應(yīng)管運(yùn)算放大器電源電壓 1.4萬 0
結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理
在PN結(jié)施加反向電壓,耗盡層會(huì)逐漸變寬,通過改變耗盡層寬度來對導(dǎo)電通道進(jìn)行控制。
2023-02-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管 8.6k 0
但是,對于產(chǎn)品處于工廠生產(chǎn)階段,可能不便采用防差錯(cuò)接頭,這可能就會(huì)造成由于生產(chǎn)人員的疏忽造成反接,帶來損失。 所以給電路增加防接反電路有時(shí)還是有必要的,...
2023-02-12 標(biāo)簽:二極管場效應(yīng)管單元電路 1.5k 0
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