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場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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P溝道場效應(yīng)管(P-channel Field-Effect Transistor,簡稱P-FET)的電流方向是半導(dǎo)體器件工作中的一個基本特性,它決定了...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管漏極 3.3k 0
P溝道場效應(yīng)管(P-channel Field-Effect Transistor,簡稱P-FET)的導(dǎo)通條件是其能夠正常工作的關(guān)鍵要素。以下是關(guān)于P溝...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管p溝道 4.6k 0
P溝道增強型場效應(yīng)管(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 2.2k 0
P溝道增強型場效應(yīng)管,簡稱P-MOSFET(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor F...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管p溝道 3.8k 0
什么是N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種通過改變電場來控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電子器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道中載流子的類型,...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管p溝道 4.9k 0
N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管有什么區(qū)別
N溝道場效應(yīng)管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場效應(yīng)管(P-Channel ...
2024-09-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管N溝道p溝道 6.4k 0
N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的應(yīng)用有哪些
N溝道結(jié)型場效應(yīng)管(N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Channel JFET)作為半導(dǎo)體器件...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管N溝道 1.9k 0
N溝道結(jié)型場效應(yīng)管(N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Channel JFET)的工作原理是半...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管N溝道 3.9k 0
廣電計量|功率場效應(yīng)管過壓失效機理及典型特征分析
失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過電失效,分為過壓失效及過流失效的兩種失效模式。對于以功率器件為代表的EOS過電失效樣品,其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...
2024-09-18 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS失效機理 2.2k 0
結(jié)型場效應(yīng)管柵源極之間的pn結(jié)
結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)柵源極之間的PN結(jié)是其核心組成部分之一,對于理解JFET的工作原理和特性至關(guān)重要。以下是對該PN結(jié)的介紹: 一、PN結(jié)的形成與特...
2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管源極 1.6k 0
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱BJT...
2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管雙極型晶體管 3.1k 0
電力場效應(yīng)管,特別是指電力MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),是一種重要...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1.7k 0
電力場效應(yīng)管(特別是MOSFET)在電力電子系統(tǒng)中扮演著重要角色,但由于其工作環(huán)境的復(fù)雜性和多樣性,必須采取一系列的保護(hù)措施來確保其安全、穩(wěn)定地運行。以...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1.4k 0
電力場效應(yīng)管(特別是MOSFET)的安全工作區(qū)(SOA,Safe Operating Area)是指在該區(qū)域內(nèi),MOSFET能夠安全、穩(wěn)定地工作,而不會...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1.3k 0
電力場效應(yīng)管的動態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 2.9k 0
電力場效應(yīng)管的靜態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1.9k 0
電力場效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET)和MOSFET(Metal-Oxide-Semicon...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 2k 0
電力場效應(yīng)管,又稱電力場效應(yīng)晶體管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET),是一種基于電場效應(yīng)來調(diào)控電流的...
2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管晶體管 2.3k 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管在MPPT控制器的應(yīng)用
對于從事MPPT控制器研發(fā)的工程師來說,在眾多場效應(yīng)管中選出最佳搭檔無疑是一大難題。選型不當(dāng),不僅會影響控制器效率,還可能拖累整個項目進(jìn)度。面對成千上萬...
2024-09-04 標(biāo)簽:控制器場效應(yīng)管MOS管 958 0
組成放大電路時必須遵循的原則主要包括以下幾個方面: 一、電源與偏置設(shè)置 直流電源設(shè)置 :必須根據(jù)所用放大管的類型提供直流電源,以便設(shè)置合適的靜態(tài)工作點,...
2024-09-03 標(biāo)簽:放大電路場效應(yīng)管放大管 1.7k 0
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