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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)管
場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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杭州士蘭集成電路有限公司是由杭州士蘭微電子股份有限公司(滬市600460)出資設(shè)立的專業(yè)從事硅集成電路和分立器件的制造企業(yè),與母公司士蘭微電子有限公司一...
2021-04-02 標(biāo)簽:場效應(yīng)管處理芯片通訊芯片 2.2k 0
無錫芯朋微電子股份有限公司(Chipown)是一家專業(yè)從事模擬及數(shù)模混合集成電路設(shè)計(jì)的高科技創(chuàng)新企業(yè),總部位于江蘇省無錫市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi),并在蘇州和香...
2021-04-02 標(biāo)簽:場效應(yīng)管電源管理芯片通訊芯片 2.7k 0
低內(nèi)阻小節(jié)電容發(fā)熱小中低壓MOS大全TO-252?SOT23-3封裝 100V MOS管100V 30A 35A 50A 23 23L SOP8 TO-...
2021-09-27 標(biāo)簽:芯片場效應(yīng)管封裝 3.4k 0
調(diào)光LED燈MOS管霧化器MOS管HC085N10L參數(shù)概述
型號:HC085N10L 參數(shù):100V 15A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻71mR 低結(jié)電容436pF? 封裝:貼片(SOT89-3) 低開啟電壓1...
2022-03-23 標(biāo)簽:led場效應(yīng)管MOS管 2.4k 0
30V場效應(yīng)管 N溝道 大電流RGB燈帶專用調(diào)光MOS管HC3400M介紹
型號:HC3400M 參數(shù):30V 5.8A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻27mR(Vgs=10V) 低結(jié)電容635pF? 封裝:SOT23-3 低開啟...
2022-03-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管調(diào)光 4.2k 0
N溝道場效應(yīng)管HC3400M產(chǎn)品資料
型號:HC3400M 參數(shù):30V 5.8A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻27mR(Vgs=10V) 低結(jié)電容635pF? 封裝:SOT23-3 低開啟...
2021-09-27 標(biāo)簽:電容場效應(yīng)管MOS管 2.9k 0
60Vmos管HC080N06LS LED升降壓專用 低開啟電壓1.8V 結(jié)電容435PF小體積散熱能力強(qiáng)
型號:HC080N06LS 參數(shù):60V 6A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 溝槽型 內(nèi)阻72mR 低結(jié)電容435pF? 封裝:SOT23-3 低開啟電壓1....
2021-05-24 標(biāo)簽:led場效應(yīng)管MOS管 4.4k 0
電弧打火機(jī)應(yīng)用100vMOS 打火猛低內(nèi)阻25N10貼片MOS管 溫升低HG021N10L
惠海半導(dǎo)體專業(yè)從事30-150V中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,性價(jià)比高,量產(chǎn)穩(wěn)定成熟,提供方案及技術(shù)支持。 場效應(yīng)管廣泛使用在模擬電路中與數(shù)字...
2021-02-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS 4.1k 0
安防監(jiān)控專用HC606介紹 60V常用低壓MOS管6A MOS N溝道小體積散熱能力好
型號:HC080N06LS【06N06】 絲?。篐C606 參數(shù):60V 6A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 溝槽型 內(nèi)阻72mR 低結(jié)電容435pF? 封裝...
2021-02-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS 4.7k 0
HG5511D參數(shù)特性 60V低壓MOS 40A結(jié)電容低 手機(jī)快充專用MOS管
MOS管型號:HG5511D 參數(shù):60V 40A? 封裝:DFN3333 內(nèi)阻:11mR(Vgs=10V) ? ? ? ? ? 14mR(Vgs=4....
2021-01-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 4k 0
HC030N10L介紹 場效應(yīng)管100V MOS管100V 30A TO-252 N溝道MOS管
? ■HC030N10L是一款采用SGT工藝超結(jié)MOS管,低開啟電壓1.5V,低內(nèi)阻,低結(jié)電容,低開啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過電流大,抗沖擊能力強(qiáng)。...
2021-01-20 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS 6.8k 0
H012N06L參數(shù)特性 替代PAO4264E 貼片MOS管SOP-8
MOS管參數(shù):60V50A 內(nèi)阻:14mR(VGS=4.5V) 結(jié)電容:550pF 類型:SGT工藝NMOS 開啟電壓:1.8V 封裝:TO-252 H...
2021-01-19 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 3.6k 0
100v低壓MOS管HG1006D參數(shù) DFN3X3
參數(shù):100V 25A? 封裝:DFN3333 內(nèi)阻:25mR(Vgs=10V) 30mR(Vgs=4.5V) 結(jié)電容:839pF 開啟電壓:1.7V ...
2021-01-15 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 3.6k 0
HC085N10L-B特性 100V貼片MOS管15N10低壓MOS 低結(jié)電容低內(nèi)阻
型號:HC085N10L 參數(shù):100V 15A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻71mR 低結(jié)電容436pF? 封裝:貼片(SOT89-3) 低開啟電壓1...
2021-01-15 標(biāo)簽:led場效應(yīng)管MOS管 3.7k 0
60VMOS管30N06 30A 低結(jié)電容場效應(yīng)管SOP-8封裝
型號:HC037N06LS 參數(shù):60V 8A? 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻31mR 低結(jié)電容650pF? 封裝:貼片(SOP-8) 低開啟電壓1.8V...
2021-01-11 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 6.2k 0
霧化器推薦器件選型 100V耐壓Mos 5N10 150毫歐 SOT23-3
惠海半導(dǎo)體中低壓場效率管(MOSFET) MOS管型號:HC160N10LS 絲?。篐C510 參數(shù):100V5A(5N10) 內(nèi)阻:145mR(VGS...
2021-01-09 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管霧化器 4.5k 2
LED升降壓照明專用MOS管 6N15/HC1519D/低開啟電壓1.7V
MOS管型號:HC1519D 參數(shù):150V 6A? 封裝:DFN3333 內(nèi)阻:238mR(Vgs=10V) ? ? ? ? ? 242mR(Vgs=...
2021-01-09 標(biāo)簽:led照明場效應(yīng)管MOS管 4.1k 0
Nmos(DFN3x3)-惠海半導(dǎo)體HC1033D耐壓100V 8A
型號:HC1033D 參數(shù):100V8A 類型:N溝道場效應(yīng)管 內(nèi)阻150mR 低結(jié)電容400pF 封裝:DFN3*3-8L 小體積,散熱強(qiáng) 低開啟電壓...
2021-01-07 標(biāo)簽:場效應(yīng)管電壓 3.5k 0
用阿拉伯?dāng)?shù)字和單位符號在電阻器表面直接標(biāo)出標(biāo)稱阻值和技術(shù)參數(shù),電阻值單位歐姆用“Ω”表示,千歐用“KΩ”表示,兆歐用“MΩ”表示,吉?dú)W用“GΩ”表示,允...
2020-11-29 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管晶體管 1.5萬 0
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