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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場(chǎng)效應(yīng)...
2023-06-05 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電壓晶體管 3.2k 0
三極管是一種具有放大作用的元器件,其主要作用是將小信號(hào)放大為大信號(hào)。三極管的種類也很多,常見(jiàn)的有NPN型三極管、PNP型三極管等。
2023-06-02 標(biāo)簽:三極管元器件場(chǎng)效應(yīng)管 979 0
MDD推出MOSFET系列產(chǎn)品,助力汽車電子等行業(yè)發(fā)展
根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù),2020年全球功率MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模為81億美元,在新能源汽車,工業(yè)控制、5G通訊等市場(chǎng)需求的加持下,全球增速將保持高速增長(zhǎng),...
2023-05-24 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管汽車電子 1.7k 0
中低壓場(chǎng)效應(yīng)管替代選型技術(shù)支持
深圳市美臺(tái)微電子有限公司專業(yè)生產(chǎn)中低壓場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),二三級(jí)管 現(xiàn)貨供應(yīng),價(jià)優(yōu)~ SI23XX系列 AO34XX系列 AO4XXX系列 ...
2023-05-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管 1.8k 0
薩科微slkor宋仕強(qiáng):推動(dòng)IGBT市場(chǎng)高成長(zhǎng)的重要因素
薩科微slkor(www.slkoric.com)半導(dǎo)體總經(jīng)理宋仕強(qiáng)介紹,家電節(jié)能、電機(jī)節(jié)能與新能源等領(lǐng)域,成為推動(dòng)我國(guó)IGBT 市場(chǎng)高成長(zhǎng)的重要因素。...
2023-04-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT國(guó)產(chǎn)芯片 1.7k 0
雙通道源表測(cè)試軟件,搞定場(chǎng)效應(yīng)管FET測(cè)試半導(dǎo)體漏電流測(cè)試不在話下
在電測(cè)行業(yè)中我們經(jīng)常會(huì)使用源表軟件來(lái)采集電子材料的特性曲線和數(shù)據(jù),但對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管、雙極晶體管、發(fā)光器件等這類具有多個(gè)柵極的器件來(lái)說(shuō)普通的單通道源表和源表...
2023-03-28 標(biāo)簽:測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管FET 1.1k 0
BSB017N03LX3 G替代型號(hào)PC003NG-E,30V150A 33mΩ
BSB017N03LX3 G替代型號(hào)PC003NG-E,30V150A 33mΩ
2023-03-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS 1.3k 0
場(chǎng)效應(yīng)管怎樣修_場(chǎng)效應(yīng)管制作可調(diào)電源
場(chǎng)效應(yīng)管怎樣修(1)首先觀察待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管外觀,看待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管是否完好,如果存在燒焦或針腳斷裂等情況說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管已發(fā)生損壞,如圖1所示,本次待測(cè)的場(chǎng)效應(yīng)管...
2023-02-11 標(biāo)簽:電源萬(wàn)用表場(chǎng)效應(yīng)管 3k 0
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo)
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc...
2023-02-03 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵 2.8k 0
基于場(chǎng)效應(yīng)管的高靈敏度柔性葡萄糖傳感器設(shè)計(jì)
各種電子器件一直顯示出作為生物傳感器的潛力。近年來(lái),人們對(duì)用于葡萄糖傳感的先進(jìn)技術(shù)進(jìn)行了廣泛的研究,例如光學(xué)傳感、電化學(xué)傳感和微波傳感。
2023-01-12 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FETPET 995 0
超精密、低噪聲、2.500 V XFET基準(zhǔn)電壓源ADR421特性概述
ADR42x系列為超精密、第二代外加離子注入場(chǎng)效應(yīng)管(XFET)基準(zhǔn)電壓源,具有低噪聲、高精度和出色的長(zhǎng)期穩(wěn)定特性,采用SOIC和MSOP封裝。 利用溫...
2023-01-12 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電壓源基準(zhǔn)電壓源 989 0
場(chǎng)效應(yīng)管在電路中的應(yīng)用
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常,場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的主體與源極端子相連,從...
2023-01-08 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 3.2k 0
絕緣柵雙極型晶體管IGBT簡(jiǎn)介、結(jié)構(gòu)及原理
所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其...
2022-12-20 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 5k 0
使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)的注意事項(xiàng)
場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,而晶體管是既利用多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,由于少數(shù)載流子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感,因此,對(duì)于環(huán)境變化較大...
2022-12-09 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管MOS 2.4k 0
電路設(shè)計(jì)其實(shí)也可以很有趣。先說(shuō)一說(shuō)這個(gè)電路的用途:當(dāng)兩個(gè)MCU在不同的工作電壓下工作(如MCU1 工作電壓5V;MCU2 工作電壓3.3V),那么MCU...
利用FHF13N50W國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管延長(zhǎng)紫外線殺菌燈的使用壽命
怎么從電路設(shè)計(jì)的角度來(lái)延長(zhǎng)紫外線殺菌燈的使用壽命呢?這個(gè)問(wèn)題對(duì)于紫外線殺菌燈廠家而言應(yīng)該是蠻重要的。今天飛虹電子就來(lái)回答對(duì)于110W紫外線殺菌燈-電子鎮(zhèn)...
2022-11-18 標(biāo)簽:電源開關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)管 2.1k 0
逆變器Q1-Q2組成推免拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)適用的MOS管:FHP3710C管型更匹配!
逆變器整體的企業(yè)發(fā)展趨勢(shì)在不斷增強(qiáng),2022年僅1-9月國(guó)內(nèi)新增光伏裝機(jī)容量52.6GW,接近去年全年水平。發(fā)展如此迅猛,如何選擇一款好的MOS管應(yīng)用于...
2022-11-09 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管逆變器 2.6k 0
AON6236場(chǎng)效應(yīng)管在吸塵器直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用
根據(jù)多方面的數(shù)據(jù)顯示,中國(guó)家電的制造在全球已經(jīng)占領(lǐng)70%的市場(chǎng)份額,其中吸塵器在全球已經(jīng)占領(lǐng)了80%以上的份額。顯然,國(guó)產(chǎn)品牌家電已經(jīng)贏得不錯(cuò)的戰(zhàn)役,但...
2022-11-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.1k 0
三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理及實(shí)例說(shuō)明
三極管屬于電流型控制元器件,而場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制元器件,首先要熟悉三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理,只有懂得其基本原理,才知道如何運(yùn)用它。
2022-11-06 標(biāo)簽:三極管元器件場(chǎng)效應(yīng)管 5.7k 0
SiC功率器件的發(fā)展及技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù),特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管SiC 2.4k 0
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