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存儲技術(shù)

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當(dāng)前的磁帶機（庫）支持的備份技術(shù)主要有DAT、8mm、DLT、LTO、AIT及VXA等。存儲容量是指在數(shù)據(jù)未被壓縮前磁帶機所能存儲的最大數(shù)據(jù)量。

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存儲技術(shù)技術(shù)

什么是QoS? 去中心化存儲QoS的作用是什么

無用協(xié)議率。在P2P傳輸系統(tǒng)中，只要不是實際傳輸文件內(nèi)容的協(xié)議消耗，就是無用協(xié)議。無用協(xié)議率就是指無用協(xié)議的大小占所有協(xié)議大小的比。

2018-11-14 標(biāo)簽：存儲技術(shù)QoS 去中心化 7k 0

NAND Flash的擦寫次數(shù)介紹

NAND Flash作為非易失性存儲技術(shù)的重要一員，其擦寫次數(shù)是評估其性能和壽命的關(guān)鍵因素之一。以下將詳細介紹NAND Flash的擦寫次數(shù)，包括其定義...

2024-07-29 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲技術(shù) 6.6k 0

第三類存儲技術(shù)誕生,二維材料的新異質(zhì)結(jié)構(gòu)

第三類存儲技術(shù)寫入速度比目前的U盤快一萬倍，數(shù)據(jù)刷新時間是內(nèi)存技術(shù)的156倍，并且擁有卓越的調(diào)控性，可以實現(xiàn)按照數(shù)據(jù)有效時間需求設(shè)計存儲器結(jié)構(gòu)。它既滿足...

2018-04-16 標(biāo)簽：存儲技術(shù)U盤二維材料 6.2k 0

如何看待傳統(tǒng)存儲復(fù)制存在的8大痛點

災(zāi)備技術(shù)涉及的領(lǐng)域很多，有很多廠商提供了多種技術(shù)解決方案，當(dāng)前比較常見的數(shù)據(jù)復(fù)制技術(shù)有幾大類，例如基于傳統(tǒng)存儲的復(fù)制技術(shù)，技術(shù)數(shù)據(jù)庫的復(fù)制技術(shù)，基于存儲...

2018-11-14 標(biāo)簽：存儲技術(shù)災(zāi)難恢復(fù) 6k 0

速度比U盤快萬倍的黑科技竟是它_10納秒寫入速度創(chuàng)紀(jì)錄

近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團隊實現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，寫入速度比目前U盤快一萬倍，數(shù)據(jù)存儲時...

2018-04-13 標(biāo)簽：存儲技術(shù)U盤 5.5k 0

如何系統(tǒng)化的認(rèn)識存儲技術(shù)

CPU、內(nèi)存、硬盤絕大部分的臺式機、服務(wù)器、手機，都是內(nèi)置存儲系統(tǒng)。也就是說，它們的硬盤安裝在設(shè)備內(nèi)部。以普通臺式機為例，硬盤通過專用接口和...

2020-08-27 標(biāo)簽：存儲技術(shù)SSD 數(shù)據(jù)存儲 5.4k 0

存儲技術(shù)的新動向：DDR5與DDR4 DIMMs比較

JEDEC將DDR5描述為一種“具備革命意義”的存儲器架構(gòu)，認(rèn)為它的出現(xiàn)標(biāo)志整個產(chǎn)業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式存儲器模塊（DIMM）過渡。

2022-12-05 標(biāo)簽：存儲器存儲技術(shù)DDR5 5.3k 0

淺談Hbase多版本存儲

hbase的多版本存儲特性是一個強大的功能，在使用的時候應(yīng)該注意盡量不要修改默認(rèn)取當(dāng)前時間戳的邏輯，如果修改了那么在其他添加，刪除，更新的時候都應(yīng)該考慮...

2018-04-22 標(biāo)簽：存儲技術(shù)hbase 5.3k 0

從DDR的前世與今生入手，關(guān)于存儲的基礎(chǔ)知識，你又知道多少呢？

DDR SDRAM又是在SDRAM的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，這種改進型的DRAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得...

2018-06-15 標(biāo)簽：DDR 存儲技術(shù) 5.1k 0

新興存儲技術(shù)的詳細知識分析

當(dāng)下，新興存儲技術(shù)越來越受到業(yè)界的矚目，如PCM、MRAM、ReRAM、FRAM等存儲器已經(jīng)蟄伏待機了幾十年，以尋求適合其自身特點的應(yīng)用機會，今天看來它...

2018-12-15 標(biāo)簽：PCM 存儲技術(shù)FRAM 5.1k 0

一文讀懂NRAM技術(shù) NRAM原理大揭秘

一種名為NRAM的新技術(shù)或可取代現(xiàn)有的NAND閃存，為固態(tài)硬盤帶來近乎無限的使用壽命。

2021-01-12 標(biāo)簽：RFID 存儲技術(shù)化學(xué)傳感器 5k 0

國產(chǎn)SSD主控性能全解

大幅簡化機房建設(shè) 浪潮為建筑工程行業(yè)提供MDC解決方案在我國鐵路、公路等基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)不斷加速的背景下，建筑工程企業(yè)正在普遍推動數(shù)字化轉(zhuǎn)型，強化信息化能...

2018-06-07 標(biāo)簽：存儲技術(shù)SSD 5k 0

內(nèi)存數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)全面解析

隨著從通信設(shè)備到航空裝備和工業(yè)控制器等技術(shù)中對數(shù)據(jù)管理需求的不斷增長，以及受到這些設(shè)備中不斷增加的板載CPU、RAM和存儲資源的推動，數(shù)據(jù)庫管理系統(tǒng)（...

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TiFlash整體模塊分層及DeltaTree 引擎優(yōu)化方案

在 TiFlash 內(nèi)做 Rough Set Filter，跟一般的 AP 數(shù)據(jù)庫不同點，主要在還需要考慮粗粒度索引對?MVCC?正確性的影響。

2022-06-22 標(biāo)簽：cpu 存儲技術(shù) 4.7k 0

開源存儲的六大優(yōu)勢

擴展的軟件定義存儲服務(wù)都被添加到傳統(tǒng)綁定專有代碼的方法中。開源軟件包現(xiàn)在是存儲中的主流解決方案。

2018-06-07 標(biāo)簽：開源軟件存儲技術(shù)COTS 4.5k 0

SSD硬盤為什么成主要存儲技術(shù) 主要是這6個原因

第一批基于閃存的固態(tài)（SSD）硬盤在12年前就已經(jīng)出現(xiàn)，但直到現(xiàn)在，該技術(shù)才有望取代數(shù)據(jù)中心的機械（HDD）硬盤，至少在主存儲領(lǐng)域是如此。為什么需要這么...

2018-05-15 標(biāo)簽：存儲技術(shù)ssd hdd 4.4k 0

關(guān)于新興NVM存儲技術(shù)分析介紹及工藝選擇的分析

但實際上還有很多事情需要解決，如將不同的材料引入晶圓廠總是需要小心，因為這可能會增加采用成本。這就是為什么還有基于更熟悉的材料的非易失性存儲器的原因之一...

2019-08-30 標(biāo)簽：存儲器存儲技術(shù) 4.4k 0

分布式存儲系統(tǒng)技術(shù)解讀

一般來說，對分布式系統(tǒng)的性能分析的結(jié)果是不精確的，然而，至少可以保證，估算的結(jié)果與實際值不會相差一個數(shù)量級。舉個例子，Google的BigTable中隨...

2017-10-17 標(biāo)簽：存儲技術(shù)存儲系統(tǒng)分布式存儲 4.1k 0

內(nèi)存之后,下一代存儲技術(shù)怎么用?

隨著存儲技術(shù)的發(fā)展，對存儲性能的不懈追求，高性能存儲開始探索向內(nèi)存通道的遷移。在這樣的情況下， NVDIMM 技術(shù)便應(yīng)運而生了。

2019-03-21 標(biāo)簽：存儲技術(shù)內(nèi)存 4.1k 0

虛擬存儲器的概念和特征

隨著計算機技術(shù)的飛速發(fā)展，存儲器的容量和速度成為了影響計算機性能的關(guān)鍵因素。在解決內(nèi)存容量不足和速度瓶頸的過程中，虛擬存儲器（Virtual Memor...

2024-05-24 標(biāo)簽：存儲技術(shù)計算機虛擬存儲器 4k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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