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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上，一個電容等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
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教科書上沒講清楚的MOS管開關(guān)重點(diǎn)今天全交代 MOS管開關(guān)的過程解析
MOS管?？梢哉f，幾乎所有的電子設(shè)備都離不開這個它。雖然它看起來原理簡單，但實(shí)際工作起來卻暗藏玄機(jī)。特別是它的開關(guān)過程，平時(shí)用著沒事，一旦出問題往往很多...
一文帶你了解線路寄生電感對開關(guān)器件的影響及解決方案
開關(guān)器件作為數(shù)字電源的核心部件，其性能直接影響整個電源系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。隨著開關(guān)頻率從傳統(tǒng)的kHz級躍升至MHz級，以及碳化硅（SiC）和氮化...
本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS管設(shè)計(jì)中的重要作用，指出其在防止電流尖峰、保護(hù)驅(qū)動芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外，文章還強(qiáng)調(diào)了參數(shù)選擇的重要性，提出...
2025-06-27 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻MOS管寄生電容 610 0
Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質(zhì)（ILD）。其核心目標(biāo)是通過降低金...
電子系統(tǒng)中的噪聲有多種形式。無論是從外部來源接收到的，還是在PCB布局的不同區(qū)域之間傳遞，噪聲都可以通過兩種方法無意中接收：寄生電容和寄生電感。寄生電感...
2025-03-17 標(biāo)簽：pcb寄生電容調(diào)節(jié)器 2k 0
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計(jì)者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、材料特性或布局布線等因素而自然產(chǎn)生的非預(yù)期電氣參數(shù)。...
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進(jìn)一步的變更為類...
CAN通信節(jié)點(diǎn)多時(shí)，如何減少寄生電容和保障節(jié)點(diǎn)數(shù)量？
導(dǎo)讀在汽車電子與工業(yè)控制等領(lǐng)域，CAN通信至關(guān)重要。本文圍繞CAN通信，闡述節(jié)點(diǎn)增多時(shí)如何減少寄生電容的策略，同時(shí)從發(fā)送、接收節(jié)點(diǎn)等方面，講解保障節(jié)點(diǎn)數(shù)...
本文介紹了半大馬士革工藝：利用空氣隙減少寄生電容。 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程已經(jīng)進(jìn)入了3納米節(jié)點(diǎn)及更先進(jìn)階段。在這個過程中，中道（MEOL）金...
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)中，MOS管無疑是最常用的電子元件之一。
寄生效應(yīng)和Via及Ground Bounce的詳細(xì)介紹和綜合應(yīng)用資料概述立即下載
類別：電子元器件應(yīng)用 2018-10-22 標(biāo)簽：放大器寄生電容Via 3.3k 0
PCB Layout中直角走線產(chǎn)生的影響解析立即下載
類別：PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-12-02 標(biāo)簽：pcbemi寄生電容 1.7k 0
淺談PCB Layout中直角走線產(chǎn)生的影響立即下載
類別：PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-12-01 標(biāo)簽：pcbemi寄生電容 1.3k 0
類別：PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-11-18 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)寄生電容高速pcb 2.5k 0
過孔寄生參數(shù)對PCB電路板性能有著顯著的影響，主要體現(xiàn)在以下幾個方面。
在電子測試和測量領(lǐng)域，探頭是連接被測設(shè)備(DUT)與測量儀器(如示波器)之間的關(guān)鍵組件。探頭的性能直接影響到測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。其中，寄生電容是探...
瑤芯榮獲“中國IC設(shè)計(jì)成就獎-年度最佳傳感器/MEMS獎項(xiàng)”
2024 IIC國際集成電路展覽會今日在上海張江科學(xué)會堂盛大閉幕?，幮咀鳛閲鴥?nèi)功率器件和數(shù)模混合信號鏈芯片產(chǎn)品的領(lǐng)軍企業(yè)，攜MEMS、IGBT、SiC ...
碳納米管晶體管兼容已有半導(dǎo)體制程工藝，解決碳納米管均勻可控?fù)诫s難題
研究中，他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該...
寄生電容對MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)...
低溫對電子元器件影響是什么？電子元器件低溫失效原因有哪些？ 隨著科技的進(jìn)步和應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，人們對于電子元器件的質(zhì)量和可靠性要求也越來越高，因?yàn)殡娮?..
而當(dāng)狀態(tài)發(fā)生變化時(shí)，暫時(shí)會有Q3和Q4管同時(shí)導(dǎo)通，這時(shí)在電源和地之間形成了短暫的低阻抗，產(chǎn)生了30～100 mA的尖峰電流。當(dāng)門輸出電平從低變?yōu)楦邥r(shí)，電...
一種可以實(shí)現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面
近年來，太赫茲（THz）技術(shù)已經(jīng)成為第六代（6G）無線通信、雷達(dá)探測、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
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