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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱(chēng)雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電容等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
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熱插拔一般對(duì)電子系統(tǒng)有兩方面影響：1.熱插拔時(shí)，連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳，引起電源振蕩；2.熱插拔時(shí)，由于系統(tǒng)大容量?jī)?chǔ)能電容的充電效應(yīng)，系統(tǒng)...
如何解決三相非隔離DCAC EMI的傳導(dǎo)問(wèn)題？
上圖是帶阻感負(fù)載的三相無(wú)變壓器型兩電平PCS，考慮寄生參數(shù)的拓?fù)湓韴D。C2為直流側(cè)寄生電容，N為負(fù)載中性點(diǎn)。
如何通過(guò)有源器件實(shí)現(xiàn)低功耗及小的芯片面積呢？
高速SerDes的數(shù)據(jù)和時(shí)鐘通路上需要很多buffer，傳統(tǒng)CML buffer的有限帶寬往往限制系統(tǒng)的奈奎斯特頻率
在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白，只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。
放大器是如何描述其驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載的能力的呢？
放大器一般不允許輸出端對(duì)地直接加比較大的電容。有的時(shí)候電容并不是有意加上的，比如驅(qū)動(dòng)長(zhǎng)線纜時(shí)線纜的寄生電容，它不會(huì)在電路原理圖上，但卻真實(shí)存在。
傳統(tǒng)CMOS技術(shù)的缺陷在于： 襯底的厚度會(huì)影響片上的寄生電容， 間接導(dǎo)致芯片的性能下降。 SOI技術(shù)主要是將 源極/漏極 和 硅片襯底分開(kāi)， 以達(dá)到（部...
瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用案例—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)（3）
在本實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)中，將在Lab session 1的基礎(chǔ)上，增加MEC多電極連接功能，12個(gè)按鍵電極將在內(nèi)部連接在一起，作為一個(gè)MEC電極工作，此時(shí)不識(shí)別1...
瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用案例—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)(2)-3
自動(dòng)調(diào)整過(guò)程 (Auto Tuning Process) 完成前四步準(zhǔn)備工作后，開(kāi)始第五步。
在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
工程中要謹(jǐn)慎設(shè)計(jì),合理使用金屬導(dǎo)線的電感。 金屬導(dǎo)線可以看作一個(gè)電極,它與地線或其他電子元件之間存在一定的電容量,這個(gè)電容對(duì)射頻/微波電路的工作性能也會(huì)...
超結(jié)MOSFET開(kāi)關(guān)特性2-理想二極管模型
寄生電容和開(kāi)關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開(kāi)關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間
CAN總線終端電阻，顧名思義就是加在總線末端的電阻。此電阻雖小，但在CAN總線通信中卻有十分重要的作用。
如果信號(hào)傳輸過(guò)程中感受到阻抗的變化，就會(huì)發(fā)生信號(hào)的反射。這個(gè)信號(hào)可能是驅(qū)動(dòng)端發(fā)出的信號(hào)，也可能是遠(yuǎn)端反射回來(lái)的反射信號(hào)。
通過(guò)上面對(duì)過(guò)孔寄生特性的分析，我們可以看到，在高速PCB設(shè)計(jì)中，看似簡(jiǎn)單的過(guò)孔往往也會(huì)給電路的設(shè)計(jì)帶來(lái)很大的負(fù)面效應(yīng)。
高速PCB過(guò)孔設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該考慮哪些問(wèn)題
過(guò)孔的寄生電容延Κ了電路中信號(hào)的上升時(shí)問(wèn)，降低了電路的速度。如果一塊厚度為25mil的PCB，使用內(nèi)徑為10mil，焊盤(pán)直徑為20mil的過(guò)孔，內(nèi)層電氣...
2019-07-31 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)寄生電容寄生電感 1.3k 0
負(fù)載電容（Load capacitance）是以晶振為核心的整個(gè)振蕩回路的全部有效電容的總和。這個(gè)CL值的大小決定著振蕩器的工作頻率，通過(guò)調(diào)整負(fù)載電容，...
開(kāi)關(guān)MOS的驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)分享
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。
2023-06-07 標(biāo)簽：MOSFET開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 1.2k 0
過(guò)孔的寄生電容延Κ了電路中信號(hào)的上升時(shí)問(wèn)，降低了電路的速度。如果一塊厚度為25mil的PCB，使用內(nèi)徑為10mil，焊盤(pán)直徑為20mil的過(guò)孔，內(nèi)層電氣...
硅的潛在設(shè)計(jì)——MoS 2或 WSe 2溝道
臺(tái)積電的幾個(gè)不同小組一直在從不同角度研究WSe2傳導(dǎo)和摻雜。一組使用氧等離子體將WSe2半導(dǎo)體單層轉(zhuǎn)化為Ox。該過(guò)程是自限性的，不影響底層的WSe2材料...
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