分享一種MOS管及其外圍電路設(shè)計(jì)方案

常用的mos管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后，經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos管驅(qū)動(dòng)。

2023-06-19 標(biāo)簽：二極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 2.3k 0

什么是EMI？一文看懂電源EMI的解決辦法

有限且不斷縮小的電路板空間、緊張的設(shè)計(jì)周期以及嚴(yán)格的電磁干擾（EMI）規(guī)范（例如CISPR 32和CISPR 25）這些限制因素，都導(dǎo)致獲得具有高效率和...

2023-06-18 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源emi電磁干擾 1.6萬(wàn) 0

千萬(wàn)別小瞧了100fF電容器

在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白，只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。

2023-06-13 標(biāo)簽：電源電容器濾波器 1.5k 0

提升PCB板Layout質(zhì)量的6個(gè)細(xì)節(jié)

現(xiàn)在很多的PCB Layout工程師都是按照硬件工程師或者PI SI工程師給出的約束規(guī)則來(lái)完成布局布線的，俗稱的“拉線工”。

2023-06-12 標(biāo)簽：PCB板Layout寄生電容 1.1k 0

RC Corner基礎(chǔ)知識(shí)詳細(xì)講解

90nm后更新的工藝，考慮到互連線coupling的影響，出現(xiàn)了RCworst, RCbest corner.

2023-06-11 標(biāo)簽：寄生電容耦合電容電容電阻 9.3k 0

射頻頻率上電感、電阻、電容都有變化？

理想的電感，其電抗為jwL，即會(huì)隨著頻率的升高而升高，但是實(shí)際的電感，由于寄生電容的影響，這個(gè)寄生電容會(huì)與電感諧振，從而在某個(gè)頻率處產(chǎn)生一個(gè)很高的阻抗。

2023-06-09 標(biāo)簽：電阻射頻電容 5.6k 0

具體分析RLC諧振電路

RLC諧振電路，分為RLC 電路的串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振，下面主要從這兩種諧振電路形式來(lái)具體分析。

2023-06-08 標(biāo)簽：濾波電路emc諧振電路 3.0萬(wàn) 0

如何實(shí)施IGBT裝置的絕緣耐壓測(cè)試？

IGBT作為大功率電力電子器件廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備中。為了滿足安全要求，這些設(shè)備在電氣設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中要遵循相應(yīng)的規(guī)范。

2023-06-08 標(biāo)簽：整流二極管接觸器寄生電容 8.2k 0

開(kāi)關(guān)MOS的驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)分享

MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。

2023-06-07 標(biāo)簽：MOSFET開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 1.2k 0

提高RS485抗干擾能力的5個(gè)實(shí)用技巧

RS485總線具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、通信距離遠(yuǎn)、通信速度快、成本低等優(yōu)點(diǎn)。

2023-06-07 標(biāo)簽：收發(fā)器寄生電容脈沖信號(hào) 3.2k 0

電感（線圈）具有哪些基本特性

所以，到諧振頻率之前呈現(xiàn)電感本來(lái)的感性特性（阻抗隨著頻率升高而增加），但諧振頻率之后寄生電容的影響占主導(dǎo)地位，呈現(xiàn)出容性特性（阻抗隨著頻率升高而減?。?。...

2023-06-06 標(biāo)簽：阻抗電感寄生電容 3.3k 0

MOSFET原理詳解與參數(shù)測(cè)試（2）

Rds(ON)是MOSFET工作（啟動(dòng)）時(shí)，漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導(dǎo)通后，Rds(ON)的值不是一成不變的，主要取...

2023-05-26 標(biāo)簽：二極管MOSFETMOS管 1.7萬(wàn) 0

芯片的百萬(wàn)億的晶體管是怎么來(lái)的？

傳統(tǒng)CMOS技術(shù)的缺陷在于： 襯底的厚度會(huì)影響片上的寄生電容， 間接導(dǎo)致芯片的性能下降。 SOI技術(shù)主要是將 源極/漏極 和 硅片襯底分開(kāi)， 以達(dá)到（部...

2023-05-23 標(biāo)簽：芯片晶體管寄生電容 1.4k 0

硬件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)60條

另外， 在技術(shù)文章中還有兩種與“半節(jié)距”意義相近的表達(dá)方式，就是“線寬”、“線距”和“特征尺寸”，如果線寬等于線距，則半節(jié)距就等于線寬、線距，它們不過(guò)是...

2023-05-22 標(biāo)簽：線圈寄生電容硬件設(shè)計(jì) 943 0

淺談CDM的原因與機(jī)理

CDM(Charge Device Model)，與MM與HBM一起作為ESD的三種類型之一。隨著IC工藝進(jìn)程的發(fā)展與自動(dòng)化生產(chǎn)流程的普及，CDM已經(jīng)取...

2023-05-16 標(biāo)簽：ESDCDM寄生電容 1.8萬(wàn) 0

幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路

了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒(méi)有比較大的驅(qū)...

2023-05-12 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路寄生電容 2.3k 0

MOS管G極與S極之間的電阻作用

MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書(shū)中可以體現(xiàn)（規(guī)格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MO...

2023-05-08 標(biāo)簽：變壓器電阻MOS管 5.1k 1

如何解決植物燈關(guān)斷余暉問(wèn)題

種植者現(xiàn)在越來(lái)越意識(shí)到，“余暉”的微弱光線可以極大地影響植物的產(chǎn)量。正如著名教授布魯斯博士在他的課程中指出的那樣。所以了解為什么會(huì)出現(xiàn)余暉以及如何避免余...

2023-05-06 標(biāo)簽：ledLED電源寄生電容 2.3k 0

信號(hào)完整性之串?dāng)_(二)

和上一篇文章中5根信號(hào)線之間的寄生電容值矩陣類似，5根信號(hào)線之間也有寄生電感值矩陣。如下圖，對(duì)角線紅色數(shù)值表示信號(hào)路徑和返回路徑上的回路自感。其他是信號(hào)...

2023-05-06 標(biāo)簽：信號(hào)完整性寄生電容傳輸線 3.3k 0