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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設(shè)計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電容等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
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串?dāng)_是指有害信號從一個網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到相鄰網(wǎng)絡(luò)。任何一對網(wǎng)絡(luò)之間都存在串?dāng)_。通常把噪聲源所在網(wǎng)絡(luò)稱為動態(tài)網(wǎng)絡(luò)或攻擊網(wǎng)絡(luò)。把受影響的網(wǎng)絡(luò)稱為靜態(tài)網(wǎng)絡(luò)或者受害網(wǎng)絡(luò)。
我們平時在PCB布線的時候，對于比較重要的信號都要做特殊處理，比如包地或者時“3W”，所謂3w指的是線與線之間的間距要滿足三倍的線寬，那么我們怎么理解這...
對于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效...
小外形封裝 (Small Outine Package, SOP）器件屬于引腳從封裝體兩側(cè)子出呈翼狀的表面貼裝器件，其封裝結(jié)構(gòu)分 為嵌人式和外露式兩種。
高速CAN網(wǎng)絡(luò)需要在CAN_H和CAN_L加終端電阻，電纜上的終端電阻應(yīng)與電纜的標(biāo)稱阻抗相匹配，終端匹配電阻一般為120Ω，每個終端電阻應(yīng)能消耗0.25...
2023-04-07 標(biāo)簽：CAN總線寄生電容CAN網(wǎng)絡(luò) 2k 0
從PCB布局可以看出，12MHZ的晶體正好布置在了PCB邊緣，當(dāng)產(chǎn)品放置與輻射發(fā)射的測試環(huán)境中時，被測產(chǎn)品的高速器件與實驗室中參考接地會形成一定的容性耦...
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
上圖所示為LLC諧振變換器的工作原理圖，由圖中我們知道LLC即為諧振槽參數(shù)：諧振電感Lr，諧振電容Cr，激磁電感Lm；其中，諧振電感和激磁電感都可以整合...
所謂安規(guī)電容器，指的就是必須過安規(guī)認(rèn)證的特殊電容器，比如X和Y安規(guī)電容
穿心電容是電容的一種，它是三端電容，作用是消除高頻。不像普通的三端電容，穿心電容它是直接安裝在金屬面板上，這樣一來接地電感更小，對于引線電感的影響幾乎可...
臺積電的幾個不同小組一直在從不同角度研究WSe2傳導(dǎo)和摻雜。一組使用氧等離子體將WSe2半導(dǎo)體單層轉(zhuǎn)化為Ox。該過程是自限性的，不影響底層的WSe2材料...
前面我們詳細(xì)的介紹了共射放大電路的設(shè)計步驟，對于低頻信號，可以不考慮三極管的頻率特性，但是隨著輸入信號頻率的增加，MOS管的寄生電容就不得不考慮。MOS...
工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計中，考慮到耐高壓、安全、抗噪等因素，對隔離設(shè)計的需求越來越廣泛，而將信號/功率轉(zhuǎn)化為隔離的方式進(jìn)行傳輸一直是系統(tǒng)設(shè)計的難點之一。
2023-02-16 標(biāo)簽：變壓器數(shù)字隔離器隔離電源 2k 0
手算法其實就是根據(jù)設(shè)計要求，把結(jié)構(gòu)定下來之后運用運放的一些基礎(chǔ)知識將MOS管的W/L參數(shù)一一定下來的方法，這個方法不一定能設(shè)計出很完美的運放，但是對...
過孔（via）是多層PCB的重要組成部分之一，鉆孔的費用通常占PCB制板費用的30%到40%。簡單的說來，PCB上的每一個孔都可以稱之為過孔。
使用DCDC同步電源過程中，測試波形會出現(xiàn)電壓尖峰過沖問題，文中給出調(diào)試此問題過程中的解決方法。
過孔（via）是多層PCB的重要組成部分之一，鉆孔的費用通常占PCB制板費用的30%到40%。簡單的說來，PCB上的每一個孔都可以稱之為過孔。
2023-02-13 標(biāo)簽：PCBPCB設(shè)計寄生電容 2.6k 0
如果信號傳輸過程中感受到阻抗的變化，就會發(fā)生信號的反射。這個信號可能是驅(qū)動端發(fā)出的信號，也可能是遠(yuǎn)端反射回來的反射信號。
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單，單元...
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補充說明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結(jié)...
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