寄生電感

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寄生電感技術(shù)

在MOSFET開關(guān)中，柵極驅(qū)動器(Gate Driver)承擔(dān)著為其充電與放電的關(guān)鍵任務(wù)，而這背后的能量轉(zhuǎn)換過程，直接影響驅(qū)動系統(tǒng)的效率與熱設(shè)計。傳統(tǒng)功...

2025-08-19 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動電路寄生電感 2k 0

電路板ESD保護(hù)優(yōu)化指南

如今，從液晶電視到手機(jī)等現(xiàn)代電子產(chǎn)品中使用的許多芯片組都是采用遠(yuǎn)低于130nm的先進(jìn)技術(shù)開發(fā)的。這些技術(shù)對3.3V以上直流電壓的耐受性極低，因此靜電放電...

2025-07-11 標(biāo)簽：ESD 電路板保護(hù)器 2.2k 0

泰克科技如何攻克電流檢測電阻的高頻失真難題

在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和射頻系統(tǒng)中，＞1MHz的電流測量精度直接決定系統(tǒng)性能。傳統(tǒng)方案依賴電流互感器（CT）或霍爾傳感器，卻常受限于相位漂移、磁飽和和帶寬...

2025-06-23 標(biāo)簽：開關(guān)電源互感器串聯(lián)電感 901 0

疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用（2）

回路中各環(huán)節(jié)電感值對于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值，其降低只能通過器件制造商提高制造和工藝水平來實現(xiàn)。...

2025-06-17 標(biāo)簽：IGBT 寄生電感變流器 1.5k 0

UCC27311A 具有 8V UVLO 和使能功能的 120V 4A 半橋驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27311A 是一款堅固耐用的柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動采用半橋或同步降壓配置的兩個 N 溝道 MOSFET，絕對最大自舉電壓為 120V。其 3....

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 寄生電感拉電流 474 0

UCC24636 具有超低待機(jī)電流的同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊

UCC24636 SR 是一款緊湊的 6 引腳次級側(cè)同步整流器 MOSFET 控制器和驅(qū)動器，用于在非連續(xù) （DCM）和過渡模式（TM）。與測量 ...

2025-03-24 標(biāo)簽：MOSFET 控制器寄生電感 624 0

用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊

LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，...

2025-02-21 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵 GaN 652 0

Layout設(shè)計注意事項

VS器件要盡可能布局在緊鄰干擾源的輸入端（端口靠近面板處）。

2024-12-29 標(biāo)簽：元器件 Layout 寄生電感 893 0

更高性能OBC的關(guān)鍵設(shè)計考慮因素

消費(fèi)者需求不斷攀升，電動汽車(EV)必須延長續(xù)航里程，方可與傳統(tǒng)的內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情...

2024-11-14 標(biāo)簽：電動汽車安森美寄生電感 1k 0

瓷介電容器在性能上有哪些主要優(yōu)缺點(diǎn)

瓷介電容器是一種使用陶瓷材料作為介質(zhì)的電容器，廣泛應(yīng)用于電子電路中，用于儲存和釋放電能、濾波、去耦、諧振等。由于陶瓷材料的介電常數(shù)較高，瓷介電容器通常具...

2024-09-20 標(biāo)簽：瓷介電容器電能寄生電感 1.9k 0

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芯片的接電源端要用一個大電容和小電容接地是什么原因？

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電源系統(tǒng)的各種電容的值和數(shù)量是如何確定的

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模塊化結(jié)構(gòu)與同容量分立器件結(jié)構(gòu)的不同

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如何提高VMMK器件的性能？

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壓接型IGBT芯片動態(tài)特性實驗平臺設(shè)計與實現(xiàn)立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2023-08-08 標(biāo)簽：IGBT 寄生電感動態(tài)特性 545 0

【科普文】寄生電感怎么來的？立即下載

類別：可編程邏輯 2021-03-01 標(biāo)簽：寄生電感 2k 0

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并聯(lián)增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管提高轉(zhuǎn)換器性能立即下載

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寄生電感資訊

合金電阻的寄生電感及其影響

貼片合金電阻在電子電路中應(yīng)用廣泛，尤其是在高精度測量和功率應(yīng)用中被頻繁使用。然而，在高頻或?qū)纫筝^高的應(yīng)用中，寄生電感成為一個不可忽視的問題。

2024-11-06 標(biāo)簽：電阻寄生電感合金電阻 1.3k 0

AMEYA360代理 | 村田電子去寄生電感降噪元件(LCT)特點(diǎn)和規(guī)格

株式會社村田制作所(以下簡稱“村田”)開發(fā)了行業(yè)首款(1)利用負(fù)互感(2)、能對從數(shù)MHz到1GHz的諧波(3)范圍內(nèi)電源噪聲進(jìn)行抑制的去寄生電感降噪元...

2024-05-29 標(biāo)簽：電路板寄生電感村田電子 768 0

宏微科技推出分別針對汽車800V平臺和增程式混動的兩款I(lǐng)GBT模塊

宏微科技本次推出適合汽車800V平臺電驅(qū)控制器的產(chǎn)品 MMG600V120X6RS，以及針對1.5L增程器70KW GCU的產(chǎn)品 MMG280VD075...

2024-04-12 標(biāo)簽：新能源汽車控制器寄生電感 1.5k 0

聯(lián)合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉工廠迎來首次批產(chǎn)

2024年3月，聯(lián)合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉工廠迎來首次批產(chǎn)。本次量產(chǎn)標(biāo)志著聯(lián)合電子在400V電壓平臺上實現(xiàn)了Si和SiC技術(shù)的全面覆蓋...

2024-04-01 標(biāo)簽：逆變器 Boost SiC 2k 0

PowerPAIR 3x3 FS 封裝80 V對稱雙通道MOSFET

RDS(ON) 達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，提高功率密度、能效和熱性能

2024-03-08 標(biāo)簽：pcb MOSFET 邏輯電平 1.2k 0

寄生電感到底是什么？如何計算過孔的寄生電感？

從式中可以看出：過孔的直徑對寄生電感的影響較小，而長度才是影響寄生電感的關(guān)鍵因素。所以，在設(shè)計電路板時，要盡量減小過孔的長度，以提高電路的性能。

2024-02-27 標(biāo)簽：電流寄生電感 2.8k 0

寄生電感的介紹

2023-11-29 標(biāo)簽：芯片寄生電感 3.3k 0

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2023-11-29 標(biāo)簽：芯片 PCB MOS管 1.7k 0

應(yīng)用于200kW及以上光伏逆變系統(tǒng)的1000V-400A ANPC三電平模塊

JSAB正式推出兼容國外一流品牌的EasyPACK-3B封裝的1000V-400A模塊，產(chǎn)品型號為 JG3R400AL100HT。

2023-11-20 標(biāo)簽：寄生電感光伏逆變系統(tǒng) 1.4k 0

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后，近日，國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOS...

2023-10-24 標(biāo)簽：封裝寄生電感 MOSFET器件 1.7k 0

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單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）?；鹁€和零線的區(qū)別在于它們對地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時的電流非常大，在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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