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導(dǎo)通電阻

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　　導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比，是二極管的重要參數(shù)。

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導(dǎo)通電阻技術(shù)

模擬開關(guān)的作用、模擬開關(guān)的選擇方法

模擬開關(guān)由于其應(yīng)用的信號(hào)鏈路為電子板低壓工作環(huán)境，耐壓值一般在15v以內(nèi)，常見的有3.3v、5v、12v、15v等最大耐壓值。選擇時(shí)必須注意信號(hào)鏈路的最...

2024-03-05 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻模擬開關(guān)等效電容 5.5k 0

同步Buck和異步Buck的結(jié)構(gòu)對(duì)比同步Buck的PCB布局要點(diǎn)

異步Buck變換器采用肖特基二極管作為續(xù)流管，而同步Buck變換器用MOSFET替代肖特基二極管進(jìn)行續(xù)流，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，所以導(dǎo)通損耗較...

2024-01-24 標(biāo)簽：pcb MOSFET BUCK 6k 0

基于AW329XX系列OVP的應(yīng)用設(shè)計(jì)方案

OVP芯片有這幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)：輸入電壓Vin、開關(guān)連續(xù)電流Isw、過壓保護(hù)電壓Vovlo導(dǎo)通阻抗Ron、快速關(guān)斷時(shí)間toff，以上參數(shù)在選型時(shí)需要特別關(guān)注。

2024-01-18 標(biāo)簽：過壓保護(hù)導(dǎo)通電阻 OVP 2.4k 0

特斯拉12V到48V的配電系統(tǒng)改變

連接器被優(yōu)化了，用來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)線束橋接，并且我們能看到使用48V Efuse以后，整個(gè)配電單元的體積減小了。我們?cè)谀壳暗男畔砜矗?8V轉(zhuǎn)換到16V的專...

2023-12-18 標(biāo)簽：微控制器 mcu MOSFET 2k 0

ADC中采樣開關(guān)引起的誤差的兩種因素分析

當(dāng)開關(guān)關(guān)斷的時(shí)候，溝道電荷需要消失，電荷只能流入到MOS管本身的S端或D端，對(duì)兩端的電壓造成影響。因此流入采樣電容上的電荷會(huì)產(chǎn)生一個(gè)offset，off...

2023-11-30 標(biāo)簽：三極管電容器 MOS管 1.9k 0

什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析

近年來，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因?yàn)?，為了?yīng)對(duì)全球共通的“節(jié)...

2023-11-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料 SiC 1.5k 0

附錄一芯片量產(chǎn)測(cè)試常用“黑話”

CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對(duì)一些...

2023-11-23 標(biāo)簽：芯片電路導(dǎo)通電阻 8.9k 0

【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素

2023-12-13 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 RDS 1.4k 0

同步整流是采用極低導(dǎo)通電阻的的MOSFET來取代二極管以降低損耗的技術(shù)，大大提高了DCDC的效率。物理特性的極限使二極管的正向電壓難以低于0.3V...

2023-11-09 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 導(dǎo)通電阻 2.9k 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：超結(jié)結(jié)構(gòu)

高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但...

2023-11-04 標(biāo)簽：MOSFET 電容導(dǎo)通電阻 6.2k 0

功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指...

2023-11-03 標(biāo)簽：芯片 MOSFET 導(dǎo)通電阻 1.1k 0

春風(fēng)極核AE8電機(jī)控制器拆解分析

NCEP15T14D為新潔能Super Trench系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品采用了具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽（Super Trench）技術(shù)，全面提升了...

2023-10-07 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 MOS 3.8k 0

芯片導(dǎo)通電阻是什么？如何用ATECLOUD-IC測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試？

導(dǎo)通電阻測(cè)試就是用來檢測(cè)導(dǎo)線或連線情況是否正常的一種方法，是指兩個(gè)導(dǎo)體間在一定電壓下通過的電流所引起的電壓降之比，通俗的說就是導(dǎo)線通電后的電阻值。芯片引...

2023-09-28 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻測(cè)試系統(tǒng)芯片測(cè)試 2.9k 0

關(guān)于MOS管燒毀的原因有哪些？

大電流的快速切換會(huì)導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個(gè)或多個(gè)電源軌，則可能會(huì)對(duì)控制電路產(chǎn)生干擾。

2023-09-19 標(biāo)簽：二極管 MOS管導(dǎo)通電阻 1.5k 0

超結(jié)理論應(yīng)用：平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

功率器件要得到較高的擊穿電壓，就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度，常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。

2023-09-18 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 8k 0

氮化鎵功率器就是電容嗎氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開...

2023-09-11 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件氮化鎵 943 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減...

2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFET 元器件導(dǎo)通電阻 4.7k 0

閾值電壓對(duì)傳播延遲和躍遷延遲的影響

如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對(duì)電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關(guān)于NMOS的。您也可以為PMOS導(dǎo)出類似的公式(只需...

2023-09-07 標(biāo)簽：NMOS 導(dǎo)通電阻 PMOS 2k 0

氧化鎵功率器件研究成果

隨著電力電子技術(shù)在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究和發(fā)展也進(jìn)入了加速階段。

2023-08-24 標(biāo)簽：處理器功率二極管導(dǎo)通電阻 1.6k 0

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標(biāo)簽：放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵 691 0

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Arduino

Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
20nm

20nm

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村田

村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時(shí)再行處理。
金升陽

金升陽

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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
Vicor

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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制

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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
模擬芯片

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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
閃存技術(shù)

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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
美滿電子

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Zynq

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
Kinetis

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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
華星光電

華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
研華

研華

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32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
STM32F4

STM32F4

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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
超級(jí)本

超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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導(dǎo)通電阻

導(dǎo)通電阻技術(shù)

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