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      標(biāo)簽　>　導(dǎo)通電阻

      導(dǎo)通電阻

      +關(guān)注0人關(guān)注

      　　導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比，是二極管的重要參數(shù)。

      文章：165個(gè) 瀏覽：20454次 帖子：3個(gè)

      導(dǎo)通電阻技術(shù)

      CBMG726_732模擬多路復(fù)用器功能框圖及特征介紹

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      CBMG726/CBMG732分別是單片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）32通道和雙16通道模擬多路復(fù)用器。CBMG732將32個(gè)輸入（S1至S32）中...

      2023-08-14 標(biāo)簽：CMOS導(dǎo)通電阻多路復(fù)用器 948 0

      MOS管如何選？怎么確定選的MOS是合適的？

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      怎么判定MOS管的帶載能力，如何選擇MOS管?

      2023-07-24 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻等效電路 4.9k 0

      MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法

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      MOS 管計(jì)算導(dǎo)通損耗時(shí)，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？

      2023-07-19 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻輸出電流 3.7k 0

      英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車(chē)規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

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      采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車(chē)規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說(shuō)...

      2023-07-03 標(biāo)簽：英飛凌MOSFET導(dǎo)通電阻 1.6k 0

      新能源汽車(chē)高效節(jié)能MPQ4371的高效節(jié)能方案

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      MPQ4371是一款42V、6A-11A多相同步降壓轉(zhuǎn)換器，可以應(yīng)用于新能源汽車(chē)的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）、智能座艙（Cockpit）、車(chē)燈（Lig...

      2023-06-14 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)導(dǎo)通電阻智能座艙 1.5k 0

      CMSH10H12G 100V N-Channel SGT MOSFET：功能強(qiáng)大的應(yīng)用解決方案

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      摘要：CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。該器件采用SGTLV MOSFET技術(shù)，具有出色的Qg*Ro...

      2023-06-08 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻 1.8k 0

      芯佰微最新推出單芯片CMOS工藝器件——CBMG774

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      CBMG774的帶寬大于200MHz；與低失真特性（通常為0.5%）相結(jié)合，使該器件廣泛應(yīng)用于切換USB 1.1數(shù)據(jù)信號(hào)和快速以太網(wǎng)信號(hào)等電路設(shè)計(jì)。

      2023-05-22 標(biāo)簽：以太網(wǎng)導(dǎo)通電阻多路復(fù)用器 662 0

      淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

      淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

      高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。

      2023-05-04 標(biāo)簽：二極管MOSFET導(dǎo)通電阻 4.1k 0

      芯佰微推出四個(gè)獨(dú)立可選開(kāi)關(guān)的單芯片CMOS工藝器件

      CBMG713表現(xiàn)出先斷后合的切換動(dòng)作。CBMG711/CBMG712/CBMG713支持TSSOP16和SOP16封裝。

      2023-04-17 標(biāo)簽：CMOS導(dǎo)通電阻低導(dǎo)通電阻 764 0

      NMOS晶體管線性區(qū)導(dǎo)通電阻詳解

      NMOS晶體管線性區(qū)導(dǎo)通電阻詳解

      NMOS晶體管工作在線性區(qū)時(shí)，漏源兩端的溝道存在阻性連接，以下文字對(duì)這種阻性連接進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。

      2023-04-17 標(biāo)簽：電流NMOS電壓 5.2k 0

      mos管損壞的五種現(xiàn)象及原因

      主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過(guò)電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括安裝和和測(cè)定設(shè)備的帶電）而導(dǎo)致的柵極破壞

      2023-04-04 標(biāo)簽：二極管MOS管導(dǎo)通電阻 1.2萬(wàn) 0

      一文講透上下拉電阻能否增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力

      既然開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)力比電阻強(qiáng)，那么能不能把電阻也換成開(kāi)關(guān)？恭喜你，發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)代CMOS邏輯電路的基本單元：倆互補(bǔ)的開(kāi)關(guān)。

      2023-03-13 標(biāo)簽：二極管上拉電阻下拉電阻 1.9k 0

      各轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)-開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響

      各轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)-開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響

      上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例”的其1和其2。本文將探討“開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響”。

      2023-02-24 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通電阻傳遞函數(shù) 1.5k 0

      Mos開(kāi)關(guān)原理 Mos損壞主要原因

      Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為Mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。

      2023-02-07 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻MOS 3.4k 0

      基于BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的自舉升壓電路設(shè)計(jì)

      在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是...

      2023-01-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻MOS驅(qū)動(dòng)電路 837 0

      EDA技術(shù)探索之DIBL應(yīng)用分析

      DIBL不僅只發(fā)生在亞閾值區(qū)，引起閾值電壓的下降。在飽和區(qū)晶體管導(dǎo)通后，由于勢(shì)壘的降低，同樣會(huì)引入更多的載流子注入，從而降低晶體管的導(dǎo)通電阻。

      2023-01-07 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻eda 5.7k 0

      基于仿真工具對(duì)100VN TrenchMOSFET器件設(shè)計(jì)研究

      溝槽（Trench）MOSFET 是一種新型垂直結(jié)構(gòu)的 MOSFET 器件，是從傳統(tǒng)平面 MOSFET 結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上優(yōu)化發(fā)展而來(lái)，Trench MOSFE...

      2022-10-08 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻MOSFET器件功率半導(dǎo)體器件 1.9k 0

      羅姆第4代SiC MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)電控系統(tǒng)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)

      羅姆第4代SiC MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)電控系統(tǒng)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)

      羅姆于2020年完成開(kāi)發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。

      2022-03-09 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻emc 3.7k 0

      導(dǎo)通電阻值多少為標(biāo)準(zhǔn)

      導(dǎo)通電阻是二極管的重要參數(shù)，它是指二極管導(dǎo)通后兩段電壓與導(dǎo)通電流之比。生活中常用的測(cè)量導(dǎo)通電阻的方法有測(cè)量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬(wàn)用表測(cè)量法、接地?fù)u表測(cè)量法...

      2022-01-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻電阻值 2.8萬(wàn) 0

      一文詳解MOSFET的導(dǎo)通電阻

      一文詳解MOSFET的導(dǎo)通電阻

      對(duì)于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對(duì)于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到?jīng)Q定作用。

      2021-05-01 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻 2.0萬(wàn) 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車(chē)道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
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        超級(jí)本
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