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封裝技術(shù)

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所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例，實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌，而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過(guò)封裝后的產(chǎn)品。

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封裝技術(shù)技術(shù)

3種典型封裝+互連技術(shù)

引線鍵合:特點(diǎn) ●批量、自動(dòng); ●鍵合參數(shù)可精密控制，導(dǎo)線機(jī)械性能重復(fù)性高， ●高速焊接: 100- 125ms/互連

2023-03-24 標(biāo)簽：封裝技術(shù)互連技術(shù) 829 0

探秘半導(dǎo)體制造全流程：從晶圓加工到封裝測(cè)試

前一個(gè)步驟完成后，需要用金剛石鋸切掉鑄錠的兩端，再將其切割成一定厚度的薄片。錠薄片直徑?jīng)Q定了晶圓的尺寸，更大更薄的晶圓能被分割成更多的可用單元，有助于降...

2023-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 3.5k 0

深度解讀2.5D/3D及Chiplet封裝技術(shù)和意義

雖然Chiplet異構(gòu)集成技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化剛剛開(kāi)始，但其已在諸多領(lǐng)域體現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用范圍從高端的高性能CPU、FPGA、網(wǎng)絡(luò)芯片到低端的藍(lán)牙、物聯(lián)網(wǎng)及...

2023-03-15 標(biāo)簽：封裝技術(shù)先進(jìn)制程 chiplet 1.7萬(wàn) 0

淺談QFN成熟封裝技術(shù)

長(zhǎng)電科技針對(duì)QFN后道可以采用沖壓或封裝成品切割方式。沖壓分離是在封裝流程的最后把塑封過(guò)的封裝體通過(guò)沖壓的方式從整條框架上分離出來(lái)，而以陣列式排布的封裝...

2023-03-12 標(biāo)簽：晶圓封裝技術(shù)qfn 3.6k 0

先進(jìn)封裝三種技術(shù)：IPD/Chiplet/RDL技術(shù)

工藝選擇的靈活性。芯片設(shè)計(jì)中，并不是最新工藝就最合適。目前單硅SoC，成本又高，風(fēng)險(xiǎn)還大。像專用加速功能和模擬設(shè)計(jì)，采用Chiplet，設(shè)計(jì)時(shí)就有更多選擇。

2023-03-08 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)封裝技術(shù)晶圓工藝 1.5萬(wàn) 0

探究異構(gòu)集成時(shí)代封裝技術(shù)的意義、作用

們來(lái)看封裝工藝的四項(xiàng)主要功能。第一也是最基本的，保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受外部沖擊或損壞。第二，將外部電源傳輸至芯片，以確保芯片的正常運(yùn)行。

2023-03-08 標(biāo)簽：封裝技術(shù)半導(dǎo)體封裝異構(gòu)集成 905 0

封裝技術(shù)發(fā)展歷程和競(jìng)爭(zhēng)格局大解析

目前封裝歷史主要按封裝技（是否焊線）將封裝工藝分為傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝。傳統(tǒng)封裝的基本連接系統(tǒng)主要采用引線鍵合工藝，先進(jìn)封裝指主要以凸點(diǎn)(Bumping)...

2023-03-03 標(biāo)簽：pcb 封裝技術(shù)wlp 4.9k 0

IGBT功率模塊是什么？

IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng)，利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...

2023-02-22 標(biāo)簽：封裝技術(shù)IGBT 功率模塊 6.2k 0

芯片制造封裝技術(shù)發(fā)展歷程

前封裝歷史主要按封裝技（是否焊線）將封裝工藝分為傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝。傳統(tǒng)封裝的基本連接系統(tǒng)主要采用引線鍵合工藝，先進(jìn)封裝指主要以凸點(diǎn)(Bumping)方...

2023-02-22 標(biāo)簽：集成電路 pcb SiP 5.9k 0

開(kāi)關(guān)電源功率器件熱設(shè)計(jì)

開(kāi)關(guān)電源熱設(shè)計(jì)是指在開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)過(guò)程中，通過(guò)合理的熱設(shè)計(jì)技術(shù)，使電源能夠在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)正常工作。開(kāi)關(guān)電源熱設(shè)計(jì)的主要技術(shù)包括熱封裝技術(shù)、冷封裝技術(shù)...

2023-02-16 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源封裝技術(shù)熱設(shè)計(jì) 1.4k 0

SiC功率器件的封裝形式

SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...

2023-02-16 標(biāo)簽：封裝技術(shù)功率器件 SiC 4.8k 0

射頻芯片和基帶芯片的關(guān)系發(fā)射電路的結(jié)構(gòu)和工作原理

射頻芯片封裝方面，5G射頻芯片一方面頻率升高導(dǎo)致電路中連接線的對(duì)電路性能影響更大，封裝時(shí)需要減小信號(hào)連接線的長(zhǎng)度。

2023-02-15 標(biāo)簽：功率放大器封裝技術(shù)射頻芯片 3.3k 0

柔性可拉伸封裝技術(shù)領(lǐng)域研究成果

研究團(tuán)隊(duì)?wèi)?yīng)用該液態(tài)金屬密封復(fù)合材料對(duì)基于水系電解質(zhì)的可拉伸鋰離子電池進(jìn)行封裝和性能測(cè)試（圖2A, B）。測(cè)試發(fā)現(xiàn)，在自然未拉伸狀態(tài)下，封裝的鋰離子電池可...

2023-02-06 標(biāo)簽：鋰離子電池封裝技術(shù)復(fù)合材料 1.6k 0

無(wú)可替代的封裝技術(shù)LTCC——工藝及設(shè)備篇

LTCC工藝流程大致步驟為：粉料制備—漿料配制—流延—切片—通孔成型—通孔填充—印刷—疊層—層壓—排膠—燒結(jié)—檢測(cè)。其詳細(xì)工藝流程圖如下

2023-02-01 標(biāo)簽：封裝技術(shù)LTCC 工藝流程 6.2k 0

高功率半導(dǎo)體激光器過(guò)渡熱沉封裝技術(shù)研究

摘要：近些年，在市場(chǎng)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體激光器的輸出功率越來(lái)越高，器件產(chǎn)生的熱量也在增加，同時(shí)封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊，這對(duì)半導(dǎo)體激光器的熱管理提出了更高的...

2023-01-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器封裝 3.4k 0

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來(lái)，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。

2023-01-17 標(biāo)簽：封裝封裝技術(shù)功率器件 1.1k 1

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合...

2023-01-07 標(biāo)簽：MOSFET 封裝封裝技術(shù) 2.4k 0

一文解析微電子制造和封裝技術(shù)

微電子技術(shù)作為當(dāng)今工業(yè)信息社會(huì)發(fā)展最快、最重要的技術(shù)之一，是電子信息產(chǎn)業(yè)的“心臟”。而微電子技術(shù)的重要標(biāo)志，正是半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的飛速進(jìn)步和發(fā)展。

2023-01-06 標(biāo)簽：集成電路封裝技術(shù)微電子制造 2.6k 0

一文詳解精密封裝技術(shù)

2022-12-30 標(biāo)簽：電子產(chǎn)品 IC 封裝 2.2k 0

半導(dǎo)體封裝技術(shù)解析

半導(dǎo)體制造的工藝過(guò)程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測(cè)試(wafer Probe/Sorting)、芯片封裝(Assemble)...

2022-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 5.2k 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。

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