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開關(guān)損耗

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開關(guān)損耗技術(shù)

STGWA30IH160DF2 IGBT器件技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT采用先進、專有的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)打造。在軟換向...

2025-10-15 標(biāo)簽：IGBT 續(xù)流二極管開關(guān)損耗 661 0

如何平衡IGBT模塊的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗

IGBT模塊的開關(guān)損耗（動態(tài)損耗）與導(dǎo)通損耗（靜態(tài)損耗）的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計的核心挑戰(zhàn)。這兩種損耗存在固有的折衷關(guān)系：降低導(dǎo)通損耗通常需要提高載...

2025-08-19 標(biāo)簽：IGBT 開關(guān)損耗導(dǎo)通損耗 1.8k 0

IGBT短路振蕩的機制分析

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）在電機驅(qū)動和電器控制等多種工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。IGBT在具有更低的開關(guān)損耗的同時，還要同時具備一定的抗短路能力。短路時，如...

2025-08-07 標(biāo)簽：IGBT 晶體管開關(guān)損耗 3k 0

雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響(1)

IGBT的開關(guān)損耗特性研究對IGBT變流器設(shè)計具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場合，都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進行大余量...

2025-04-22 標(biāo)簽：IGBT 變流器雜散電感 1.4k 0

安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 ...

2025-02-21 標(biāo)簽：MOSFET 安森美分立器件 1.5k 0

影響MOSFET開關(guān)損耗的因素

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的開關(guān)...

2024-09-14 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體開關(guān)損耗 2.1k 0

一文讀懂MOSFET開關(guān)損耗介紹

MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道，但通道電阻相對較高。通道上的電壓和通過通道...

2024-06-13 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管開關(guān)損耗 2.6k 0

如何使用示波器測量電源開關(guān)損耗

電源開關(guān)損耗是電子電路中一個重要的性能指標(biāo)，它反映了開關(guān)器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的能量損失。準(zhǔn)確測量電源開關(guān)損耗對于優(yōu)化電路設(shè)計、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。...

2024-05-27 標(biāo)簽：示波器電源開關(guān)開關(guān)損耗 2.3k 0

使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對開關(guān)損耗影響的評估

過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預(yù)測與為優(yōu)化器件...

2023-12-29 標(biāo)簽：安森美 SiC 熱仿真 2.6k 0

mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么？

Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時間，MOS管24V時帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱。總結(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...

2023-12-11 標(biāo)簽：電路設(shè)計限流電阻開關(guān)損耗 1.4k 0

開關(guān)損耗帖子

MOS管損耗理論計算公式推導(dǎo)及LTspice仿真驗證

標(biāo)簽：MOS管仿真 LTspice 1396 0

開關(guān)電源技術(shù)開關(guān)損耗和吸收+熱設(shè)計-交大課件

標(biāo)簽：開關(guān)電源開關(guān)損耗 474 0

MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

標(biāo)簽：開關(guān)損耗 MOSFET開關(guān) 409 0

MOS開關(guān)損耗，計算值和datasheet給定值差異很大是什么原因？

標(biāo)簽：MOS datasheet 開關(guān)損耗 440 2

集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗分析

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準(zhǔn)確測量開關(guān)損耗的幾個方式

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寫一個全橋軟開關(guān)的知識

標(biāo)簽：電源開關(guān)軟開關(guān)開關(guān)損耗 1915 0

開關(guān)損耗包括哪幾種

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MOS管開關(guān)電源損耗

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開關(guān)電源內(nèi)部的損耗有哪些？通常會在什么情況下出現(xiàn)？

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并網(wǎng)逆變器學(xué)習(xí)筆記5---三電平DPWM立即下載

類別：電子資料 2023-03-03 標(biāo)簽：逆變器 DPWM 開關(guān)損耗 809 0

FGH60N60SMD 60A600V IGBT單管在工業(yè)逆變應(yīng)用中的解決方案立即下載

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IGBT數(shù)據(jù)手冊中開關(guān)損耗圖表的理解立即下載

類別：電子資料 2023-02-23 標(biāo)簽：IGBT 開關(guān)損耗 544 0

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類別：電子資料 2023-02-23 標(biāo)簽：IGBT 開關(guān)損耗導(dǎo)通損耗 1k 0

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類別：電子資料 2023-02-22 標(biāo)簽：IGBT 開關(guān)損耗 606 0

開關(guān)損耗原理分析立即下載

類別：實用工具 2021-10-22 標(biāo)簽：開關(guān)電源電源開關(guān)開關(guān)管 1.4k 0

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類別：電子資料 2021-04-16 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)損耗 1.4k 1

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類別：開關(guān)電源 2017-11-16 標(biāo)簽：鉗位雙晶體管開關(guān)損耗 1.1k 0

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類別：電源技術(shù) 2016-11-05 標(biāo)簽：軟開關(guān)無源無損開關(guān)損耗 848 0

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開關(guān)損耗資訊

芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗

在功率器件的世界里，開關(guān)損耗是一個繞不開的關(guān)鍵話題。

2025-05-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 768 0

差分探頭在測量開關(guān)損耗中的應(yīng)用

開關(guān)損耗是電力電子設(shè)備中的一個重要性能指標(biāo)，它直接影響到設(shè)備的效率和熱管理。差分探頭作為一種高精度的測量工具，在開關(guān)損耗的測量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將介...

2024-08-09 標(biāo)簽：差分探頭開關(guān)損耗 764 0

SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

2023-05-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 開關(guān)損耗 894 0

利用示波器探頭進行開關(guān)損耗測試

如今的開關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導(dǎo)體開關(guān)器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同時在On或Of...

2022-06-20 標(biāo)簽：MOSFET 示波器探頭 2.5k 0

深度剖析半導(dǎo)體熱阻數(shù)據(jù)

半導(dǎo)體器件并不完美——所有二極管和晶體管都因開關(guān)和導(dǎo)通而產(chǎn)生功率損耗。開關(guān)損耗發(fā)生在結(jié)的通斷狀態(tài)之間的間隔期間，此時器件端子上既有電壓又有電流流過。傳導(dǎo)...

2022-04-21 標(biāo)簽：電子設(shè)備半導(dǎo)體器件開關(guān)損耗 4.4k 0

開關(guān)損耗測量中的注意事項及影響因素解析

功率損耗是開關(guān)器件性能評估的重要環(huán)節(jié)，也是工程師在選配時重點關(guān)注的一項高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環(huán)境，對設(shè)備和探頭也投入不菲，但如果工程...

2021-12-15 標(biāo)簽：示波器探頭開關(guān)損耗 1.1k 0

怎樣準(zhǔn)確測量開關(guān)損耗

一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95％，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。...

2019-06-26 標(biāo)簽：開關(guān)損耗 1.1k 0

175W Slim-TV SPS解決方案（安富利）

Avnet Design Service電源實驗室開發(fā)出薄板電視SPS電源解決方案。滿負(fù)荷工作條件下，電源模塊輸出總功率達175 W。解決方案提供多種組...

2012-08-01 標(biāo)簽：電源安富利電源模塊 2k 0

理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

為了使MOSFET整個開關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實現(xiàn)其在開通過程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管，由于其寄生的二極管或...

2012-04-12 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)損耗 6.3萬 1

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LED英文為（light emitting diode），LED燈珠就是發(fā)光二極管的英文縮寫簡稱LED，這是一個通俗的稱呼。LED燈珠廣泛用于燈飾照明、LED大屏幕顯示、交通燈、裝飾、電腦、電子玩具禮品、交換機、電話機、廣告、城市光彩工程等諸多生產(chǎn)領(lǐng)域
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