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標簽 > 開關(guān)損耗
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STGWA30IH160DF2 IGBT器件技術(shù)解析與應用指南
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT采用先進、專有的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)打造。在軟換向...
2025-10-15 標簽:IGBT續(xù)流二極管開關(guān)損耗 681 0
IGBT模塊的開關(guān)損耗(動態(tài)損耗)與導通損耗(靜態(tài)損耗)的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設計的核心挑戰(zhàn)。這兩種損耗存在固有的折衷關(guān)系:降低導通損耗通常需要提高載...
2025-08-19 標簽:IGBT開關(guān)損耗導通損耗 1.8k 0
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在電機驅(qū)動和電器控制等多種工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應用。IGBT在具有更低的開關(guān)損耗的同時,還要同時具備一定的抗短路能力。短路時,如...
2025-08-07 標簽:IGBT晶體管開關(guān)損耗 3k 0
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關(guān)損耗均較低,提供 650 V 和 ...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導體場效應晶體管)的開關(guān)...
2024-09-14 標簽:MOSFET半導體開關(guān)損耗 2.1k 0
MOSFET的操作可以分為兩種基本模式:線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下,晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道,但通道電阻相對較高。通道上的電壓和通過通道...
2024-06-13 標簽:MOSFET晶體管開關(guān)損耗 2.6k 0
電源開關(guān)損耗是電子電路中一個重要的性能指標,它反映了開關(guān)器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的能量損失。準確測量電源開關(guān)損耗對于優(yōu)化電路設計、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。...
2024-05-27 標簽:示波器電源開關(guān)開關(guān)損耗 2.3k 0
使用Cauer網(wǎng)絡仿真熱行為與對開關(guān)損耗影響的評估
過去,仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型,它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是,當涉及到功率器件時,這些簡單的模型通常無法預測與為優(yōu)化器件...
Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時間,MOS管24V時帶載27歐,輸出功率21.3W,輸出電壓正常,MOS管基本不發(fā)熱。 總結(jié)一:MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...
2023-12-11 標簽:電路設計限流電阻開關(guān)損耗 1.4k 0
問題1:在功率MOSFET管應用中,主要考慮哪些參數(shù)?在負載開關(guān)的功率MOSFET管導通時間計算,通常取多少比較好?相應的PCB設計,銅箔面積布設多大散...
2023-12-03 標簽:負載開關(guān)功率MOSFET管MOSFET管 2.1k 0
MOSFET 的選擇關(guān)乎效率,設計人員需要在其傳導損耗和開關(guān)損耗之間進行權(quán)衡。傳導損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間,由于電流流過導通電阻而造成;開關(guān)...
引言:上節(jié)(傳送門:DC-DC-21:如何選擇DC-DC的開關(guān)頻率-1簡述了DC-DC的工作頻率定義和基本的頻率影響因素,本節(jié)簡述開關(guān)頻率的另一個選擇考...
2023-07-04 標簽:PCBDC-DC開關(guān)頻率 4k 0
目前電力電子設備的發(fā)展趨勢都是小型化,同時對裝置的效率和電磁兼容性有著很高的要求。 設備向著高頻化的方向發(fā)展,這樣可以減小濾波器、變壓器等器件的體積和重...
2023-04-11 標簽:變壓器開關(guān)電路濾波器 1.6萬 0
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