MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例

MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小...

2023-04-10 標(biāo)簽：ledMOSFET晶圓 1k 0

全橋LLC電路移相發(fā)波原理詳解

在調(diào)寬狀態(tài)當(dāng)占空比較小的時(shí)候，由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動(dòng)信號(hào)有很長(zhǎng)一段時(shí)間處于低電平，諧振電流只能流過(guò)MOS管的體二極管。一旦諧振電流...

2023-03-30 標(biāo)簽：MOS管LLC功率電路 1.1萬(wàn) 0

MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的計(jì)算方法

MOS管在電源應(yīng)用中作為開(kāi)關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。

2023-03-26 標(biāo)簽：電源MOSFET電容 1.1萬(wàn) 0

探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng) 其1

上一篇文章介紹了輸入電壓升高時(shí)損耗增加的部分、注意事項(xiàng)及相應(yīng)的對(duì)策。本文將介紹在探討輸出電流較大的應(yīng)用時(shí)應(yīng)該注意的兩個(gè)事項(xiàng)之一。探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET輸出電流開(kāi)關(guān)損耗 1.3k 0

DC/DC評(píng)估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)損耗

上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗：見(jiàn)文識(shí)意，開(kāi)關(guān)損耗就是開(kāi)關(guān)工...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)損耗 1.7k 0

通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳將開(kāi)關(guān)損耗降低約35%

－接下來(lái)，請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開(kāi)關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說(shuō)明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引...

2023-02-16 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器引腳開(kāi)關(guān)損耗 1.1k 0

通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗-電路板布線布局相關(guān)的注意事項(xiàng)

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?由于具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同，因此在圖案布局時(shí)需要注意。

2023-02-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電路板布線 1.1k 0

通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗-有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異及其效果

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以消除VLSOURCE對(duì)VGS_INT的影響。?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以提高導(dǎo)通速度。

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器引腳 1k 0

通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動(dòng)方法

MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開(kāi)關(guān)器件產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.5k 0

全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。

2023-02-08 標(biāo)簽：IGBTSiC功率模塊 1.4k 0

有源鉗位反激轉(zhuǎn)換器如何比傳統(tǒng)QRF運(yùn)行得更快

QRF 功率轉(zhuǎn)換器是 150W 或更低輸出功率范圍內(nèi)的低功率離線應(yīng)用的熱門選擇，原因有很多

2022-08-10 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)損耗 6.4k 0

終端區(qū)域?qū)﹂_(kāi)關(guān)損耗的物理分析

盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在高功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的一個(gè)相關(guān)因素，因?yàn)楦邘对诟邷?、電?..

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET開(kāi)關(guān)損耗 1.8k 0

通過(guò)AI嵌入實(shí)現(xiàn)EV范圍提高多達(dá)12％

Pre-Switch通過(guò)將AI嵌入到FPGA中來(lái)解決這一挑戰(zhàn)，該FPGA用于精確控制輔助諧振晶體管的時(shí)序，如圖1所示為S1和S2。

2021-03-16 標(biāo)簽：fpgaAI開(kāi)關(guān)損耗 9.9k 0