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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達100GHz以上。
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解析一下技術(shù)節(jié)點的意思以及晶體管的縮小過程中涉及到三個問題和解答
常聽說的,諸如,臺積電16nm工藝的Nvidia GPU、英特爾14nm工藝的i5,等等,這個長度的含義,具體的定義需要詳細的給出晶體管的結(jié)構(gòu)圖才行,簡...
APT是一個獨一無二的微電子測量分析方法,但是,當測量由不同蒸發(fā)場區(qū)(例如,不同的化學成分和/或晶體結(jié)構(gòu))構(gòu)成的三維結(jié)構(gòu)時,這種方法將會受到諸多限制。蒸...
晶閘管的四點工作特性_晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理
本文主要介紹了晶閘管的四點工作特性以及晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理。晶閘管正常工作時,承受反向電壓時,不論門極是否有觸發(fā)電流,晶閘管都不會導通;承受正向電壓時...
最近,麻省理工學院(MIT)、半導體公司IQE、哥倫比亞大學、IBM以及新加坡MIT研究與技術(shù)聯(lián)盟的科研人員展示出一項新型設(shè)計,讓氮化鎵功率器件處理的電...
2018-01-04 標簽:功率轉(zhuǎn)換晶體管氮化鎵 1.2萬 0
電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放,人對電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會在黑暗中探索。 然而在電力電...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入...
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入...
SMT晶體管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的設(shè)計與實現(xiàn)
氮化鎵技術(shù)的不斷進步促使設(shè)備在更高的功率、電源電壓和頻率下工作。 本文介紹了使用市售SMT晶體管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的設(shè)計與實現(xiàn)...
基于高性能GaAsSb基區(qū)的射頻和微波測試儀器設(shè)計
Abstract 一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū),InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為...
有效抑制了HBT大信號Kink效應(yīng)的寬帶功率放大器
功率放大器輸出端的負載特性將直接影響到輸出端匹配電路的復雜度,為了獲得最佳功率輸出負載阻抗,在4~12 GHz頻帶內(nèi)進行常規(guī)的負載牽引(Load-Pul...
晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因_晶體管防護措施
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展和新型元器件的問世, 開關(guān)電源以其體積小、重量輕、效率高、對電網(wǎng)電壓適應(yīng)范圍寬等優(yōu)勢, 越來越受到大家的青睞, 在絕大多數(shù)領(lǐng)域中取...
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