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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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LM185-ADJ 可調(diào)微功率基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊(cè)
LM185/LM285/LM385 是微功率 3 端子可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源二極管。工作電壓范圍為 1.24 至 5.3V,電流范圍為 10μA 至 20m...
?LM185-2.5QML 數(shù)據(jù)手冊(cè)摘要
LM185-2.5 是微功率 2 端子帶隙穩(wěn)壓二極管。它們的工作電流范圍為 20 μA 至 20 mA,具有極低的動(dòng)態(tài)阻抗和良好的溫度穩(wěn)定性。片上微調(diào)用...
2025-08-18 標(biāo)簽:電源電阻器穩(wěn)壓二極管 498 0
LM285-1.2-N系列 1.235V、–40°C 至 +85°C、微功率基準(zhǔn)電壓二極管技術(shù)手冊(cè)
LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N 是微功率 2 端子帶隙穩(wěn)壓二極管。它們的工作電流范圍為10μA至20mA,具有極...
2025-08-18 標(biāo)簽:電阻器穩(wěn)壓二極管晶體管 532 0
LM385-ADJ 可調(diào)、70°C、微功率基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊(cè)
LM185/LM285/LM385 是微功率 3 端子可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源二極管。工作電壓范圍為 1.24 至 5.3V,電流范圍為 10μA 至 20m...
?LM385-1.2-N系列電壓基準(zhǔn)二極管技術(shù)文檔總結(jié)
LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N 是微功率 2 端子帶隙穩(wěn)壓二極管。它們的工作電流范圍為10μA至20mA,具有極...
2025-08-18 標(biāo)簽:電阻器穩(wěn)壓二極管晶體管 575 0
?LM3411精密次級(jí)穩(wěn)壓器與驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
LM3411 是一款低功耗固定電壓(3.3 V 或5 V)精密分流穩(wěn)壓器,專為驅(qū)動(dòng)光隔離器而設(shè)計(jì),可提供開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器中的反饋隔離。 LM3411 電...
2025-08-15 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器晶體管 628 0
?LM185QML 可調(diào)微功耗電壓基準(zhǔn)芯片技術(shù)文檔總結(jié)
LM185 是微功率 3 端子可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源二極管。 工作電壓范圍為1.24至5.3V,電流范圍為10μA至20mA,具有極低的特點(diǎn) 動(dòng)態(tài)阻抗和良好...
?XTR111精密電壓-電流轉(zhuǎn)換器技術(shù)文檔總結(jié)
XTR111 是一款精密電壓電流轉(zhuǎn)換器,專為標(biāo)準(zhǔn) 0mA 至 20mA 或 4mA 至 20mA 模擬信號(hào)而設(shè)計(jì),并提供高達(dá) 32mA 的信號(hào)源。輸入電...
上海貝嶺650V80A IGBT在光伏逆變器上的應(yīng)用
當(dāng)今世界的主要能源來(lái)源還是化石能源,而化石能源在使用后會(huì)排出大量的污染物,嚴(yán)重影響到人類(lèi)的健康問(wèn)題。太陽(yáng)能因其取之不盡用之不竭且無(wú)環(huán)境污染等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成...
IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用實(shí)踐筆記 v3.0
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫(kù)」知識(shí)星球-關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南v3.0版本-「SysPro|動(dòng)力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容,全文155...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電器控制等多種工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。IGBT在具有更低的開(kāi)關(guān)損耗的同時(shí),還要同時(shí)具備一定的抗短路能力。短路時(shí),如...
2025-08-07 標(biāo)簽:IGBT晶體管開(kāi)關(guān)損耗 3.1k 0
TPS2378 IEEE 802.3at PoE 大功率 PD 接口,帶 AUX 控制數(shù)據(jù)手冊(cè)
這款 8 引腳集成電路包含實(shí)現(xiàn) IEEE802.3at 2 類(lèi)受電器件 (PD) 所需的所有功能。0.5 Ω的低內(nèi)部開(kāi)關(guān)電阻,加上 PowerPAD? ...
TPS2379 IEEE 802.3at PoE 高功率 PD 接口,帶外部柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2379器件為8針集成電路 包含實(shí)現(xiàn) IEEE802.3at Type-2 受電設(shè)備 (PD) 所需的所有功能 例如檢測(cè)、分類(lèi)、2 類(lèi)硬件分類(lèi)和 ...
2025-08-06 標(biāo)簽:集成電路晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 662 0
電荷泵技術(shù)(Charge Pumping)經(jīng)過(guò)四十多年的發(fā)展,通過(guò)測(cè)量MOS 晶體管中的界面電荷,已成為測(cè)量和表征 MOS 器件界面性質(zhì)的最有效、最可靠...
Texas Instruments TMP4718遠(yuǎn)程和本地溫度傳感器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments TMP4718高精度遠(yuǎn)程和本地溫度傳感器具有一個(gè)本地集成傳感器和一個(gè)遠(yuǎn)程溫度傳感器輸入,可實(shí)現(xiàn)1°C的精度。該輸入可...
在無(wú)線通信中,接收器接收到的信號(hào)非常小,以至于系統(tǒng)中只能容忍有限的噪聲。因此,對(duì)于電路設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),能夠以合理的精度預(yù)測(cè)MOS器件的噪聲以及了解噪聲對(duì)器...
LM2578A 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM2578A是一個(gè)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,可以輕松設(shè)置此類(lèi)DC-DC電壓 轉(zhuǎn)換電路作為降壓、升壓和反相配置。該LM2578A具有獨(dú)特的 比較器輸入級(jí),不僅具有用于...
2025-07-29 標(biāo)簽:振蕩器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器晶體管 492 0
絕緣體上硅(SOI)技術(shù)作為硅基集成電路領(lǐng)域的重要分支,其核心特征在于通過(guò)埋氧層(BOX)實(shí)現(xiàn)有源層與襯底的電學(xué)隔離,從而賦予場(chǎng)效應(yīng)晶體管獨(dú)特的電學(xué)特性。
傳輸線法(TLM)優(yōu)化接觸電阻:實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管電氣性能優(yōu)化
本文通過(guò)傳輸線方法(TLM)研究了不同電極材料(Ti、Al、Ag)對(duì)非晶Si-Zn-Sn-O(a-SZTO)薄膜晶體管(TFT)電氣性能的影響,通過(guò)TL...
基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計(jì)
鑒于對(duì)能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂,當(dāng)前對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求不斷加速增長(zhǎng),尤其是在住宅太陽(yáng)能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)的微...
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