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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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單電子晶體管 用一個(gè)或者少量電子就能記錄信號(hào)的晶體管。隨著半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)和工藝的發(fā)展,大規(guī)模集成電路的集成度越來(lái)越高。
2009-11-05 標(biāo)簽:晶體管 1.1k 0
ATI UVD通用解碼器=1000萬(wàn)個(gè)晶體管
ATI UVD通用解碼器=1000萬(wàn)個(gè)晶體管 在最近的一次技術(shù)投資會(huì)議上,AMD除了公布下一代CPU、GPU、Chipset規(guī)劃之外,...
與晶體管相關(guān)歷史事件 IBM將于12月在舊金山國(guó)際電子設(shè)備大會(huì)上介紹新晶體管設(shè)計(jì)方案的詳細(xì)內(nèi)容,并于2005~2006年投入生產(chǎn),其210GHz晶體...
2009-11-05 標(biāo)簽:晶體管 905 0
晶體管的檢測(cè)和更換方法 電路中的晶體管主要有晶體二極管、晶體三極管、可控硅和場(chǎng)效應(yīng)管等等,其中最常用的是三極管和二極管
2009-11-05 標(biāo)簽:晶體管 975 0
晶體管分類(lèi) 按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 標(biāo)簽:晶體管 4.9k 0
晶體管出現(xiàn)的意義 晶體管的出現(xiàn),是電子技術(shù)之樹(shù)上綻開(kāi)的一朵絢麗多彩的奇葩?! ⊥娮庸芟啾?,晶體管具有諸多優(yōu)越性: ?、倬w管的構(gòu)
2009-11-05 標(biāo)簽:晶體管 3.9k 0
晶體管的發(fā)展歷史及其重要里程碑 1947年12月16日:威廉·邵克雷(William Shockley)、約翰·巴頓(Joh...
2009-11-05 標(biāo)簽:晶體管 4.3k 0
晶體管的六十年:從搖滾時(shí)代到鉿 貝爾實(shí)驗(yàn)室 60 年前研制出的那款晶體管。幾乎我們今天使用的所有電子設(shè)備離開(kāi)晶體管都
2009-11-05 標(biāo)簽:晶體管 723 0
使用晶體管時(shí)的注意事項(xiàng) 如果在螺栓上裝上一塊焊片,把電路引線事先焊在焊片上,把晶體管管腳夾在螺栓上兩個(gè)螺帽之間,就能減少
2009-10-13 標(biāo)簽:晶體管 2k 0
下一代晶體管露臉 ATDF 公司和HPL 公司最近展示了面向多柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MuGFET)的45nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的工藝能力,MuGFET 這種先進(jìn)的半導(dǎo)體
2009-08-31 標(biāo)簽:晶體管 893 0
晶體管在電子學(xué)中的含義是什么? 使用電晶體的(Solid-state)電子設(shè)備與我們的日常生活息息相關(guān)。貝爾試驗(yàn)室于1947年發(fā)明的晶體管在二十世紀(jì)6...
2009-08-21 標(biāo)簽:晶體管 1.2k 0
通過(guò)外形標(biāo)志和標(biāo)準(zhǔn)封裝代號(hào)判別常用晶體管的引腳排列
通過(guò)外形標(biāo)志和標(biāo)準(zhǔn)封裝代號(hào)判別常用晶體管的引腳排列在晶體管的產(chǎn)品治療說(shuō)明或工具書(shū)中,常常只給晶體管的封裝代號(hào),這些晶體管的引腳排列都是符合
單結(jié)晶體管原理 單結(jié)晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)UJT)又稱(chēng)基極二極管,它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件,它的基片為條狀的高阻N型硅片,兩端分別
2009-07-16 標(biāo)簽:晶體管 1.1k 0
單結(jié)晶體管(雙基極二極管)原理 單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管,它的符號(hào)和外形見(jiàn)附圖。
2009-07-16 標(biāo)簽:晶體管 944 0
新型高耐壓功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 摘要:分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導(dǎo)通電阻間的矛盾,介紹了內(nèi)建橫向電場(chǎng)的高壓MOSFE
2009-07-16 標(biāo)簽:晶體管 1.9k 0
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