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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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CMOS 邏輯由至少兩個晶體管組成:一個 n 溝道 MOS FET 和一個 p 溝道 MOS FET。晶體管數(shù)量最少的邏輯電路是反相器(邏輯反相電路),...
半導(dǎo)體行業(yè)將從設(shè)備時代過渡到材料時代
美國耗材制造商Entegris的首席技術(shù)官James O‘Neill指出,現(xiàn)如今,控制“更為精密”半導(dǎo)體工藝技術(shù)的責(zé)任已悄然轉(zhuǎn)移至先進(jìn)的硅晶圓加工材料及...
由于中科二期擴(kuò)建先前已獲臺中市都市計(jì)劃委員會通過變更案,內(nèi)政部昨天審議通過,符合臺積電內(nèi)部預(yù)期,因此公司除了感謝相關(guān)單位協(xié)助外,不對此案后續(xù)規(guī)劃做任何回應(yīng)。
半導(dǎo)體行業(yè)邁入"材料時代",創(chuàng)新材料至關(guān)重要
他強(qiáng)調(diào)了材料領(lǐng)域的創(chuàng)新對于提升半導(dǎo)體元件生產(chǎn)效率至關(guān)重要。對此,默克集團(tuán)電子業(yè)務(wù)總經(jīng)理凱·貝克曼 (Kai Beckmann) 亦持相同看法,并贊同未來...
英飛凌科技推出集成溫度傳感器全新CoolMOS S7T產(chǎn)品系列
SSR是各種電子設(shè)備的基本配置,如果能夠?qū)鞲衅骱统Y(jié) MOSFET集成到同一封裝中,客戶便可以獲得多方面的好處。
在經(jīng)歷了近十年和五個主要節(jié)點(diǎn)以及一系列半節(jié)點(diǎn)之后,半導(dǎo)體制造業(yè)將開始從 FinFET過渡到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。 相對于FinFE...
帕特·基辛格進(jìn)一步預(yù)測,盡管摩爾定律顯著放緩,到2030年英特爾依然可以生產(chǎn)出包含1萬億個晶體管的芯片。這將主要依靠新 RibbonFET晶體管、Pow...
IBM發(fā)布首款專為液氮冷卻設(shè)計(jì)的CMOS晶體管
IBM突破性研發(fā)的納米片晶體管,通過將硅通道薄化切割為納米級別的薄片,再用柵極全方位圍繞,實(shí)現(xiàn)更為精準(zhǔn)控電。此結(jié)構(gòu)使得在指甲蓋大小空間內(nèi)可容納最多達(dá)50...
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步,并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興...
面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢
近年來,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問題依然存在。
英特爾CEO基辛格:摩爾定律仍具生命力,且仍在推動創(chuàng)新
摩爾定律概念最早由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾在1970年提出,明確指出芯片晶體管數(shù)量每兩年翻一番。得益于新節(jié)點(diǎn)密度提升及大規(guī)模生產(chǎn)芯片的能力。
過去五年來,英特爾在先進(jìn)芯片制造方面一直落后于臺積電和三星?,F(xiàn)在,為了重新奪回領(lǐng)先地位,該公司正在采取大膽且冒險(xiǎn)的舉措,在其臺式機(jī)和筆記本電腦Arrow...
增強(qiáng)GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用
熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要,而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。
信號發(fā)生器接晶體管放大電路的方法與技巧 一、引言 在電子設(shè)備中,信號發(fā)生器是一種能夠產(chǎn)生穩(wěn)定、準(zhǔn)確信號的儀器,常常用于測試和校準(zhǔn)其他電子設(shè)備。而放大電路...
SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別? SiC三極管與SiC二極管是兩種使用碳化硅(SiC)材料制造的電子元件,它們在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些明顯...
第一代半導(dǎo)體材料是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料,鍺做的晶體管曾經(jīng)也是流行的老大,但由于速度較慢、不耐熱等缺點(diǎn),在八十年代初就被硅基管給取代了,一直到現(xiàn)今...
2023-12-20 標(biāo)簽:晶體管特斯拉半導(dǎo)體器件 428 0
IC的片內(nèi)和片間非均勻性是什么?有什么作用呢? IC的片內(nèi)和片間非均勻性是指在IC設(shè)計(jì)和制造的過程中,芯片內(nèi)部或芯片之間出現(xiàn)的性能或結(jié)構(gòu)的不均勻分布現(xiàn)象...
2023-12-19 標(biāo)簽:集成電路IC設(shè)計(jì)晶體管 1.1k 0
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