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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱(chēng)為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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一文讀懂系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù):定義、應(yīng)用與前景
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)作為一種創(chuàng)新的集成電路封裝方式,正逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)中的關(guān)鍵一環(huán)。SiP技術(shù)通過(guò)將多個(gè)集成電路(IC)和...
2024-12-31 標(biāo)簽:晶圓SiP系統(tǒng)級(jí)封裝 5.6k 0
劃片機(jī)工藝要求嚴(yán)格且復(fù)雜,直接關(guān)系到芯片的質(zhì)量和生產(chǎn)成本。以下是劃片機(jī)工藝要求的主要方面:一、切割精度基本要求:劃片機(jī)的切割精度直接影響到芯片的尺寸精度...
300mm晶圓的厚度為775um,200mm晶圓的度為725um,這個(gè)厚度在實(shí)際封裝時(shí)太厚了。前段制程中晶圓要被處理、要在設(shè)備內(nèi)和設(shè)備間傳送,這時(shí)候上面...
半導(dǎo)體晶圓制造是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán),它是整個(gè)電子行業(yè)的基礎(chǔ)。這項(xiàng)工藝的流程非常復(fù)雜,包含了很多步驟和技術(shù),下面將詳細(xì)介紹其主要的制造工藝流程。...
本文介紹了什么是邊緣芯片(edge die)。 邊緣芯片(edge die)是指位于晶圓邊緣區(qū)域的芯片,由于晶圓制造過(guò)程中的掩模對(duì)準(zhǔn)誤差或晶圓切割等原因...
半導(dǎo)體晶圓測(cè)試中的關(guān)鍵之“手”,看陶瓷基板作用何處?
近年來(lái),隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷提升,工藝節(jié)點(diǎn)不斷縮小,單個(gè)芯片上有超過(guò)十億個(gè)晶體管。先進(jìn)制程的發(fā)展伴隨著半導(dǎo)體工業(yè)對(duì)于良品率(Yield)和成本的追求...
在科技飛速發(fā)展的今天,芯片作為現(xiàn)代科技的核心元器件,其制造過(guò)程復(fù)雜且充滿(mǎn)挑戰(zhàn)。芯片不僅推動(dòng)了信息技術(shù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的進(jìn)步,還成為衡量一個(gè)國(guó)家科...
晶圓切割機(jī)在氧化鋯材料高精度劃切中的應(yīng)用
晶圓切割機(jī)在氧化鋯中的劃切應(yīng)用主要體現(xiàn)在利用晶圓切割機(jī)配備的精密刀具和控制系統(tǒng),對(duì)氧化鋯材料進(jìn)行高精度、高效率的切割加工。以下是對(duì)該應(yīng)用的詳細(xì)分析:一、...
無(wú)偏差的刻蝕過(guò)程,我們稱(chēng)之為各向異性刻蝕。為了更清晰地理解這一過(guò)程,我們可以將其拆解為幾個(gè)基本環(huán)節(jié)。首先,第一個(gè)環(huán)節(jié)是刻蝕氣體的處理,這些氣體在等離子體...
晶圓為什么是圓的而不是方的?按理說(shuō),方型的Die放在圓形的Wafer里總會(huì)不可避免有空間浪費(fèi),為什么不做成方型的更節(jié)省空間。因?yàn)橹谱鞴に嚊Q定了它是圓形的...
晶圓料號(hào)打標(biāo)的方式及激光打標(biāo)的原理
本文介紹了晶圓料號(hào)打標(biāo)的方式以及激光打標(biāo)的原理。 ? 晶圓為什么要打標(biāo)? 晶圓在制造過(guò)程中有數(shù)百道工藝步驟,標(biāo)記使得每片晶圓能夠在不同階段進(jìn)行身份識(shí)別,...
全自動(dòng)變倍對(duì)焦顯微鏡:晶圓盤(pán)檢測(cè)的得力助手
全自動(dòng)變倍對(duì)焦顯微鏡,以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景,正成為晶圓盤(pán)檢測(cè)領(lǐng)域的一顆璀璨明星。
晶圓經(jīng)過(guò)前道工序后芯片制備完成,還需要經(jīng)過(guò)切割使晶圓上的芯片分離下來(lái),最后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同: 厚度100um以上的晶圓一般...
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓、晶粒與芯片是三個(gè)至關(guān)重要的概念,它們各自扮演著不同的角色,卻又緊密相連,共同構(gòu)成了現(xiàn)代電子設(shè)備的基石。本文將深入探討這三者之間的...
北京大學(xué)常林課題組:異質(zhì)集成Si/Ⅲ-Ⅴ激光器超全學(xué)習(xí)指南
來(lái)源:中國(guó)激光雜志社 封面解讀 硅波導(dǎo)上光流轉(zhuǎn),異質(zhì)激光共此盤(pán)。微環(huán)諧振調(diào)頻穩(wěn),光頻應(yīng)用盡開(kāi)端。 文章鏈接: 高旭, 常林. 異質(zhì)集成Si/III-V族...
本文重點(diǎn)介紹了安森美(onsemi)Treo平臺(tái)的模擬性能。引入了PPA三角形概念來(lái)比較不同工藝技術(shù)之間的模擬關(guān)鍵指標(biāo)??傮w而言,本文將展示基于65nm...
先進(jìn)封裝中的翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù)概述
引言 翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù)已成為半導(dǎo)體行業(yè)中不可或缺的封裝方法,在性能、尺寸減小和功能增加方面具有優(yōu)勢(shì)。本文概述翻轉(zhuǎn)芯片技術(shù),包括晶圓凸塊制作工藝、組裝方法和進(jìn)...
本文主要介紹??????晶圓 (wafer)/晶粒 (die)/芯片 (chip)之間的區(qū)別和聯(lián)系。 ? 晶圓(Wafer)——原材料和生產(chǎn)平臺(tái)?? 晶...
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