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      標簽　>　柵極電壓

      柵極電壓

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      2023-12-19 標簽：半導體MOS管電荷 4.8k 0

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      2023-12-01 標簽：MOS晶體管漏電流柵極電壓 2.2萬 2

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      2023-11-30 標簽：石墨烯傅里葉柵極電壓 1.2k 0

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      2023-11-27 標簽：MOSFETIGBT靜態(tài)特性 4.9k 0

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      2023-11-24 標簽：IGBT直流母線脈沖測試 1.5萬 0

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      死區(qū)時間，也**稱為互鎖延時時間（互鎖：即互相掣肘，對開關管來說就是Q1開通時候，Q2通過結合Q1控制邏輯必須關閉）

      2023-11-21 標簽：驅動器IGBT脈沖變壓器 6.2k 0

      ROHM推出新型BD2311NVX-LB柵極驅動器IC

      ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB柵極驅動器IC。該器件可實現(xiàn)納秒 (ns) 級的柵極驅動速度，因此非常適合高速 ...

      2023-11-14 標簽：驅動器IC服務器Rohm 1.6k 0

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      高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但...

      2023-11-04 標簽：MOSFET電容導通電阻 6.2k 0

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      2023-11-03 標簽：芯片MOSFET導通電阻 1.1k 0

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      2023-10-19 標簽：二極管MOSFET電容 1.5k 0

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      2023-08-18 標簽：場效應晶體管可變電阻電解電容器 2.9k 0

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      2023-02-03 標簽：MOS管晶體管MOS 2.7k 0

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