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標簽 > 柵極驅(qū)動
什么是柵極驅(qū)動,說白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動,柵極用PWM方波驅(qū)動,但是會形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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本文介紹了一種多級圖騰柱PFC拓撲,該拓撲利用硅MOSFET的簡單性和成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅(qū)動方法,實現(xiàn)了與使用寬帶隙半導(dǎo)體的傳統(tǒng)電路相比,通...
并聯(lián)MOSFET可實現(xiàn)高功率設(shè)計(如交錯式升壓轉(zhuǎn)換器),并且可以在多個級別完成。在為并聯(lián)MOSFET實現(xiàn)驅(qū)動器時,其柵極不應(yīng)直接連接在一起,而應(yīng)將柵極電...
高頻逆變器后級電路圖一: 中C1,C2分別是Q1,Q2的GD結(jié)電容,左邊上下兩個波形分別是Q1,Q2的柵極驅(qū)動波形。我們先從t1-t2死區(qū)時刻開始分...
恩智浦GD3160高級柵極驅(qū)動確保功率轉(zhuǎn)換器安全、高效運行
RoadPak SiC MOSFET 1.2kV模塊完美滿足上述要求,其采用半橋配置,每側(cè)可并聯(lián)多達10個SiC MOSFET芯片,支持大電流。
2022-08-12 標簽:轉(zhuǎn)換器恩智浦柵極驅(qū)動 4.6k 0
TMC6140 是一款完全集成的通用三相 MOSFET 柵極驅(qū)動器,適用于 PMSM 伺服或 BLDC 電機。支持高達 100 A 電機電流的外部MOS...
1SP0350V SCALE?-2 單通道即插即用柵極驅(qū)動器可靠、安全地驅(qū)動 4500 V 壓裝 IEGT 和 IGBT 以及其他 IEGT 和 IGB...
獨特的柵極驅(qū)動應(yīng)用支持高功率放大器快速開啟/關(guān)閉
通過漏極控制開關(guān)HPA的典型配置如圖1所示。一個串聯(lián)FET開啟輸入HPA的高電壓??刂齐娐沸枰獙⑦壿嬰娖矫}沖轉(zhuǎn)換為更高電壓以使串聯(lián)FET導(dǎo)通。
電機驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過采用電子馬達驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機的增強型控制,此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
650V SiC MOSFET的擁護者可能會指出,他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...
簡化汽車車身電機控制器設(shè)計,快速實現(xiàn)輕量化
本文中,我們將討論可幫助應(yīng)對這些設(shè)計挑戰(zhàn)、集成到電機驅(qū)動集成電路中的特定模擬功能。
2020-12-14 標簽:德州儀器場效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動 1.5k 0
ACPL-302J智能柵極驅(qū)動光耦合器技術(shù)分析
新型ACPL-302J是一款智能柵極驅(qū)動光電耦合器,可改善隔離式電源并簡化柵極驅(qū)動設(shè)計。
2021-05-24 標簽:光耦合器DC-DC轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動 4k 0
功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動相關(guān)的損耗
損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動器電壓或者實測,或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 標簽:MOSFET功率開關(guān)柵極驅(qū)動 4.6k 0
基于UCC21225A隔離雙路柵極驅(qū)動和參考設(shè)計
TI公司的ucc21225A是隔離雙路柵極驅(qū)動器,具有源電流4A和沉峰值電流6A,封裝為5-mm x 5-mm LGA-13.可以驅(qū)動高達5MHz的功率...
光電隔離柵極驅(qū)動器的CMTI額定值僅為35 V/ns至50 V/ns,這限制了功率FET的切換速度。這導(dǎo)致功率FET的功耗更高、效率更低、尺寸更大、系統(tǒng)...
本文詳細介紹了MOS管的電路模型、開關(guān)過程、輸入輸出電容、等效電容、電荷存儲等對MOS管驅(qū)動波形的影響,及根據(jù)這些參數(shù)對驅(qū)動波形的影響進行的驅(qū)動波形的優(yōu)...
柵極驅(qū)動的應(yīng)用領(lǐng)域介紹及如何優(yōu)化驅(qū)動器設(shè)計?
熟練掌握高壓MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計
超級結(jié)MOSFET開關(guān)速度和導(dǎo)通損耗問題
利用仿真技術(shù)驗證了由于源極LSource生成反電動勢VLS,通過MOSFET的電壓并不等于全部的驅(qū)動電壓VDRV。MOSFET導(dǎo)通時3引腳封裝的反電動勢...
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