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標(biāo)簽 > 氧化鎵
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超寬帶隙半導(dǎo)體有望成為大功率晶體管 ? 高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)...
本文通過(guò)導(dǎo)模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶,晶體外形完整,通過(guò)勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線 分析確認(rèn)晶體結(jié)晶質(zhì)量較高。采用濕法刻蝕的方法,研究了晶體...
第四代半導(dǎo)體我們其實(shí)叫超禁帶半導(dǎo)體,它分兩個(gè)方向,一是超窄禁帶,禁帶寬度(指被束縛的價(jià)電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量)在零點(diǎn)幾電子伏特(eV),比超窄...
FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3,結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。然而,由于α型在帶隙等特性方面優(yōu)越(S...
2022-07-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料新材料氧化鎵 2.3k 0
第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵的優(yōu)勢(shì)與發(fā)展進(jìn)程
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)這幾年GaN和SiC等第三代半導(dǎo)體器件的商用化進(jìn)展還不錯(cuò),GaN器件在快充上開(kāi)始大規(guī)模應(yīng)用,SiC器件也在汽車上嶄露頭角。...
志在替代第三代半導(dǎo)體材料,氧化鎵目前有沒(méi)有這個(gè)實(shí)力?
韓國(guó)政府在近日宣稱將加大非硅功率半導(dǎo)體在本土的發(fā)展,用于電動(dòng)汽車和其他對(duì)功效和耐用性要求較高的技術(shù)。該計(jì)劃將支持5種以上的半導(dǎo)體在2025年實(shí)現(xiàn)本土商業(yè)...
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