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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導熱系數(shù)高、開關頻率高、抗輻射能力強等優(yōu)點。 其中，高開關頻率意味著應用電路...
海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優(yōu)點，轉換效率高達91%，應用廣泛，性價比高...
隨著氮化鎵GaN技術在PD快充領域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過工程師在設計GaN充電器時，卻面臨一些棘手挑戰(zhàn)： 在高頻狀態(tài)下，電磁...
氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，...
LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG342xR0x0 半橋板（如 LMG3422EVM-043）配置為同步降壓轉換器。...
在65W氮化鎵快充設計中，輸入欠壓保護與過壓保護協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化...
用于CRPS應用的采用氮化鎵功率集成電路的帶平面矩陣變壓器的高頻高效LLC模塊
隨著云計算和人工智能的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對電源的需求不斷增加，對其功率密度和效率也提出了更高要求。在數(shù)據(jù)中心中， Common Redundant Po...
TI DRV7308 具有保護和電流檢測功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)
DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增強型氮化鎵 (GaN)，用于驅動高達 450V 直流電源軌的三相 ...
如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降...
MasterGaN 將硅與 GaN 相結合，以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達 400 W 的消費和工業(yè)應用。通過使用 GaN...
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
HMC8415 40W（46 dBm），9GHz至10.5GHz，GaN功率放大器技術手冊
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 （GaN） 功率放大器，可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內(nèi)提供 40 W （46 dBm） 的...
基于D1A32 GaN器件設計的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...
基于GaN的轉換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度，最高效率為 96.8%，最低 94.5%。此外，隨著開關頻率和死區(qū)時間的增加，基于硅的轉...
芯片?恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運行。當檢測到系統(tǒng)溫度過高時，主動降功率功能會啟動...
硅基半導體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
通過重新設計基于氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關頻率提高了四倍，減少了體積和重量...
近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)...
單片雙向開關(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展的關鍵推動者。基于橫向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術具有獨特優(yōu)勢，可有效...
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