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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Power Integrations榮獲“國際功率器件行業(yè)卓越獎”
Power Integrations，憑借其全球領(lǐng)先的功率器件技術(shù)和卓越的市場表現(xiàn)，榮獲了“國際功率器件行業(yè)卓越獎”。這一榮譽不僅是對Power Int...
Power Integrations榮獲兩項2023年電源行業(yè)配套品牌評選大獎
由世紀電源網(wǎng)主辦的第二屆年度電源行業(yè)配套品牌評選活動已經(jīng)落下帷幕，經(jīng)過激烈的競爭和嚴格的評審過程，所有獎項的評選工作現(xiàn)已完成。
蘇州高新區(qū)新添三大總部項目，覆蓋多領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)
國微納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵及碳化硅外延設(shè)備的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售，以此一設(shè)備平臺滿足氮化鎵與碳化硅兩種半導(dǎo)體工藝需求。
2024-01-05 標簽：氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 994 0
近日，青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司（以下簡稱“聚能創(chuàng)芯”）完成了一項重大里程碑，成功募集1.7億元人民幣的A輪融資。這一重要融資不僅為聚能創(chuàng)芯的快速發(fā)展注...
安世半導(dǎo)體榮獲雙料大獎，引領(lǐng)氮化鎵技術(shù)前沿
近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)域的杰出表現(xiàn)，榮獲兩項權(quán)威大獎：“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”和“中國GaN功...
2024-01-03 標簽：氮化鎵碳化硅安世半導(dǎo)體 1.7k 0
Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統(tǒng)級封裝器件，支持多功率等級，為客戶創(chuàng)造競爭優(yōu)勢
Weltrend新參考設(shè)計表明，擁有成本優(yōu)勢的SuperGaN SiP IC，適用于65瓦和100瓦適配器 ，為客戶帶來規(guī)模經(jīng)濟以及無與倫比的氮化鎵穩(wěn)健...
2024-01-03 標簽：氮化鎵 696 0
英諾賽科發(fā)布100V車規(guī)級GaN推進汽車激光雷達市場
英諾賽科宣布推出100V車規(guī)級氮化鎵器件INN100W135A-Q，該器件已通過AEC-Q101 認證，適用于自動駕駛及其他先進駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車規(guī)...
氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢
Transphorm：氮化鎵應(yīng)用進一步擴展，2024年下半年半導(dǎo)體市場將回暖
正值歲末年初之際，回顧過去的2023年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下行周期，各大應(yīng)用領(lǐng)域的市場表現(xiàn)并不理想。那么復(fù)盤2023年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況，能夠發(fā)現(xiàn)哪些細分...
針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...
2023-12-24 標簽：場效應(yīng)管FET氮化鎵 1.3k 0
國產(chǎn)鋰電化成分容設(shè)備在海外市場滲透率將上升
隨著越來越多的中國設(shè)備企業(yè)在歐美地區(qū)設(shè)立分部或基地，國產(chǎn)鋰電化成分容設(shè)備在海外市場滲透率將上升。
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。
2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購案有哪些？
2023年，半導(dǎo)體市場的逆風(fēng)周期仍未過去，企業(yè)收并購的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開的信息，《中國電子報》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際收并購案例，發(fā)現(xiàn)20...
國星光電聚焦SiC及GaN創(chuàng)新應(yīng)用持續(xù)發(fā)力
近日，國星光電作為A級單位參編發(fā)布的《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》和《2023氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》在行家說2023碳化硅&...
金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進展
氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
霍爾元件的工作原理及其在低速測量中的應(yīng)用? 霍爾元件是一種常用的物理傳感器，可以測量磁場的強度和方向。它是通過霍爾效應(yīng)來工作的，霍爾效應(yīng)是指在導(dǎo)電材料中...
高功率快充在近幾年成為了充電市場的當紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。 通過選用 高功率體積小的氮化鎵芯片，搭...
意法半導(dǎo)體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片
2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬...
2023-12-15 標簽：轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管 1.5k 0
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