英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵GaN器件

在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。

2023-12-14 標(biāo)簽：CMOS驅(qū)動(dòng)器英特爾 1.9k 0

?GaN半導(dǎo)體技術(shù)及其在電子領(lǐng)域的前景

當(dāng)前各種氮化鎵技術(shù)正在加速向200mm過(guò)渡，以期降低生產(chǎn)成本，使氮化鎵寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)在混合型和全電動(dòng)汽車(chē)、消費(fèi)電子產(chǎn)品、智能手機(jī)以及其他產(chǎn)品的制造...

2023-12-11 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體晶體管 1.6k 0

羅姆、東芝聯(lián)合宣布將共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體

羅姆、東芝近日聯(lián)合宣布，雙方將于功率半導(dǎo)體事業(yè)進(jìn)行合作，共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。

2023-12-11 標(biāo)簽：晶圓SiC氮化鎵 1.2k 0

基于深氮化鎵蝕刻的微米尺寸光子器件的研制

GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場(chǎng)和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過(guò)程相關(guān)的成熟材料是有源/無(wú)源射頻光電子...

2023-12-11 標(biāo)簽：氮化鎵蝕刻光子器件 863 0

基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)

第三代半導(dǎo)體，具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件...

2023-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 3k 0

Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。

2023-12-09 標(biāo)簽：充電器氣體傳感器氮化鎵 1.7k 0

增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)展

作為寬帶隙材料，GaN具有擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開(kāi)關(guān)頻率高，以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。

2023-12-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)氮化鎵GaN 2.4k 0

九峰山實(shí)驗(yàn)室著力破解太赫茲器件頻率瓶頸

來(lái)源：湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室 ? 2023年11月，九峰山實(shí)驗(yàn)室基于氮化鎵（GaN）材料的太赫茲肖特基二極管（SBD）研制成功。經(jīng)驗(yàn)證，該器件性能已達(dá)到國(guó)際前...

2023-12-05 標(biāo)簽：氮化鎵太赫茲 1.2k 0

陳敬教授：面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)

近日，在第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇開(kāi)幕大會(huì)上，香港科技大學(xué)講席教授陳敬帶來(lái)了“面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器...

2023-12-05 標(biāo)簽：射頻氮化鎵GaN 1.9k 0

清軟微視周繼樂(lè)：化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無(wú)損檢測(cè)技術(shù)

清軟微視是清華大學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專(zhuān)注于化合物半導(dǎo)體視覺(jué)領(lǐng)域量檢測(cè)軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對(duì)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和...

2023-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵檢測(cè)技術(shù) 3.2k 0

海外半導(dǎo)體巨頭紛紛入局 Chiplet

根據(jù)芯思想研究院數(shù)據(jù)，2022 年通富微電是全球第四，中國(guó)大陸第二 OSAT 廠(chǎng)商，全球市占率 6.51%。公司收購(gòu) AMD 蘇州及 AMD 檳城各 8...

2023-12-02 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵碳化硅 1.3k 0