氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

“在2024財(cái)年第二季度，我們看到了強(qiáng)勁的環(huán)比和同比產(chǎn)品銷售增長(zhǎng)，同時(shí)，毛利率同比增長(zhǎng)了近一倍。我們對(duì)產(chǎn)品線的持續(xù)增長(zhǎng)和設(shè)計(jì)勝利感到高興，大功率設(shè)計(jì)的成...

2023-11-12 標(biāo)簽：晶體管功率器件氮化鎵 1.3k 0

Micro OLED：有望主導(dǎo)VR和AR

Micro LED的高亮度、高可靠性、以及超低功耗的超緊湊外形對(duì)AR而言具有主要優(yōu)勢(shì)。但同時(shí)，Micro LED的效率隨著芯片尺寸的縮小而下降。三星的研...

2023-11-10 標(biāo)簽：顯示器 OLED Ar 1.2k 0

氮化鎵芯片到底是怎么做的呢？

氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展...

2023-11-10 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 2.2k 0

氮化鎵（GAN)有什么優(yōu)越性

GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有...

2023-11-09 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 GaN 2.2k 0

氮化鎵給生活帶來怎樣的便利

氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。

2023-11-08 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 1.1k 0

功率半導(dǎo)體商納微半導(dǎo)體明天發(fā)布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)召開電話會(huì)議

? ?納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）將于美東時(shí)間2023年11月9日星期四股市收市后，公布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。納微半導(dǎo)體管理層將召開電...

2023-11-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 842 0

氮化鎵的技術(shù)日漸壯大

氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵材料的帶隙寬度更大，能夠承受更高的電壓和溫度，同時(shí)具有更高...

2023-11-07 標(biāo)簽：led 電源適配器氮化鎵 793 0

GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個(gè)突破？

GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個(gè)突破？GaN驅(qū)動(dòng)電路有哪些設(shè)計(jì)技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電...

2023-11-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵 GaN 1.7k 0

應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)？

GaN為何物？應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)？ GaN, 全名氮化鎵（Gallium Nitride），是一種半導(dǎo)體材料...

2023-11-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 933 0

南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)蒞臨國星半導(dǎo)體調(diào)研LED芯片、功率器件用GaN芯片

? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力，為南海區(qū)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐，11月2日下午，南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局局長(zhǎng)薛佩華，科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長(zhǎng)熊惠芬，科技成果轉(zhuǎn)化股股...

2023-11-06 標(biāo)簽：LED芯片功率器件氮化鎵 1.9k 0

納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用

從三星S22到S23，下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場(chǎng)中取代傳統(tǒng)硅功率芯片加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導(dǎo)...

2023-11-03 標(biāo)簽：智能手機(jī)充電器氮化鎵 1.5k 0

納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用

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2023-11-03 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 OLED屏氮化鎵 2k 0

半導(dǎo)體“黑科技”：氮化鎵（GaN）是何物？

氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來簡(jiǎn)單了...

2023-11-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 2.9k 0

譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體媒體開放日，現(xiàn)場(chǎng)見證Super IDM產(chǎn)業(yè)效率革命

譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在10月27日舉辦“媒體開放日”活動(dòng)，就兩周前行業(yè)發(fā)布會(huì)上提出的”Super IDM“做了現(xiàn)場(chǎng)產(chǎn)線展示和上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)詳解。多家半導(dǎo)體行業(yè)...

2023-11-02 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN IDM 850 0

高中低壓全品線布局！一家快速發(fā)展的國產(chǎn)氮化鎵IDM芯片廠商

據(jù)了解，致能科技成立于2018年，專注于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用。近年來，公司的發(fā)展勢(shì)頭愈發(fā)亮眼，已研發(fā)出了650V、900V系列...

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片新能源汽車氮化鎵 2.3k 0

Power Integrations發(fā)布全球電壓最高的單開關(guān)氮化鎵電源IC

新型PowiGaN開關(guān)為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關(guān)氮化...

2023-11-02 標(biāo)簽：散熱器 Power 氮化鎵 1.7k 0

COSEL推出用于工業(yè)應(yīng)用的新一代高度緊湊型電源

基于氮化鎵和平面磁性等最新電力電子技術(shù)，新型電源可為工業(yè)應(yīng)用節(jié)省高達(dá)58%的電路板空間。 COSEL 的 TE 系列是用于工業(yè)應(yīng)用的新一代高度緊湊型電源...

2023-11-02 標(biāo)簽：電源電子技術(shù)氮化鎵 1.1k 0

揭秘寬禁帶器件檢測(cè)要點(diǎn)？

雖然氮化鎵的HEMT器件相對(duì)碳化硅來說起步晚了點(diǎn)，但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢(shì)頭非常迅猛，所以對(duì)于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說，評(píng)測(cè)氮化鎵器件的緊迫性也...

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)功率器件氮化鎵 486 0

氮化鎵快充控制芯片是什么

氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比舊式慢速硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超...

2023-11-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 1.1k 0

Power Integrations發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC

Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關(guān)技術(shù)。InnoS...

2023-10-31 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵電源IC 6.2k 0

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