Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關(guān)IC

ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布全球額定...

2023-10-31 標(biāo)簽：開關(guān)IC氮化鎵 1k 0

譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體媒體開放日，現(xiàn)場見證Super IDM產(chǎn)業(yè)效率革命

譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在10月27日舉辦“媒體開放日”活動(dòng)，就兩周前行業(yè)發(fā)布會(huì)上提出的”SuperIDM“做了現(xiàn)場產(chǎn)線展示和上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)詳解。多家半導(dǎo)體行業(yè)資...

2023-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1.1k 0

不知道該如何選擇氮化鎵芯片？

GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件?？梢燥@著降低功率損耗和散熱負(fù)載，在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領(lǐng)域，可...

2023-10-27 標(biāo)簽：芯片控制器氮化鎵 752 0

120W氮化鎵芯片KT65C1R120D的特點(diǎn)

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)也在飛速發(fā)展。其中，氮化鎵（GaN）芯片作為一種新型的電力電子器件，因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)開始在各個(gè)領(lǐng)域...

2023-10-27 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 1.2k 0

氮化鎵芯片如何選擇？

氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實(shí)際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻...

2023-10-26 標(biāo)簽：芯片IC氮化鎵 1.3k 0

氮化鎵充電器用哪種芯片好

隨著科技的不斷發(fā)展，充電器的種類和性能也在不斷升級(jí)。最近，氮化鎵充電器的出現(xiàn)引起了廣泛關(guān)注。那么，氮化鎵充電器是什么?它又是如何比傳統(tǒng)充電器更出色的呢?

2023-10-26 標(biāo)簽：芯片充電器氮化鎵 1.1k 0

氮化鎵充電器為什么這么火？

隨著氮化鎵充電頭的出現(xiàn)，越來越多的人開始關(guān)注并選擇使用這種新型的充電設(shè)備。那么，氮化鎵充電頭好在哪，為什么這么多人選擇呢？

2023-10-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器氮化鎵 1.3k 0

智芯公司高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組入選深圳企業(yè)創(chuàng)新紀(jì)錄

10月18日，智芯公司所屬深圳智芯“高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組”項(xiàng)目入選第二十二屆深圳企業(yè)創(chuàng)新紀(jì)錄，斬獲最高等級(jí)認(rèn)定。

2023-10-26 標(biāo)簽：開關(guān)電源電力系統(tǒng)功率器件 1.2k 0

號(hào)稱“氮化鎵龍頭企業(yè)”，英飛凌完成 8.3 億美元收購 GaN Systems 公司

?10 月 25 日消息，英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems），并號(hào)稱“成為領(lǐng)先的氮化鎵龍...

2023-10-26 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵GaN 960 0

普通快充和氮化鎵充電器哪個(gè)比較好

隨著智能設(shè)備的普及，充電器的需求也日益增加。為了能夠快速充電，提高充電效率，氮化鎵充電器逐漸成為市場上的主流產(chǎn)品。那么，氮化鎵充電器和普通快充有什么區(qū)別...

2023-10-25 標(biāo)簽：充電器氮化鎵快充 7.4k 0

英飛凌科技完成對GaN Systems Inc.的收購

英飛凌科技集團(tuán)今天宣布，對GaN Systems Inc.的收購已經(jīng)完成。這家總部位于渥太華的公司提供廣泛的氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換解決方案和尖端應(yīng)用專...

2023-10-25 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體英飛凌科技 1.4k 0

氮化鎵充電器如何變得更快更強(qiáng)

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域也在不斷發(fā)展。在這個(gè)領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正逐漸被廣泛應(yīng)用在各種電力電子器件中，其中最...

2023-10-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器氮化鎵 1.3k 0

Transphorm 最新技術(shù)白皮書： 常閉耗盡型 (D-Mode)與增強(qiáng)型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管的優(yōu)勢對比

氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺(tái)設(shè)計(jì)充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢，而E-Mo...

2023-10-24 標(biāo)簽：氮化鎵 6.2k 0

氮化鎵第三代半導(dǎo)體材料，在消費(fèi)電源市場得到廣泛應(yīng)用

隨著各大手機(jī)和筆記本電腦品牌紛紛進(jìn)入氮化鎵快充市場，氮化鎵功率器件的性能得到進(jìn)一步驗(yàn)證，同時(shí)也加速了氮化鎵技術(shù)在快充市場的普及。目前，快充源市場上氮化鎵...

2023-10-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 1.3k 0

氮化鎵推動(dòng)電源解決方案

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛，而在這些設(shè)備中，電源是一個(gè)非常重要的部件。近年來，氮化鎵（GaN）材料在電源領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸受到關(guān)注...

2023-10-20 標(biāo)簽：電源氮化鎵GaN 957 0