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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

低成本垂直GaN（氮化鎵）功率器件的優(yōu)勢(shì)

GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型...

2023-09-13 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 GaN 2.3k 0

氮化鎵是用來做什么的，它有什么特點(diǎn)呢？

氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場(chǎng)效電晶體(MOSFET)

2023-09-12 標(biāo)簽：led MOSFET 氮化鎵 2.3k 0

QORVO的QPA4246D Q波段高功率MMIC放大器概述

QORVO的QPA4246D是款高功率MMIC放大器，選用Qorvo制造的0.15μm碳化硅基氮化鎵(QGaN15)制造技術(shù)。QPA4246D對(duì)于37....

2023-09-12 標(biāo)簽：放大器氮化鎵 MMIC 1.2k 0

意法半導(dǎo)體GaN驅(qū)動(dòng)器集成電流隔離功能具有卓越的安全性和可靠性

近日，意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)...

2023-09-12 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器意法半導(dǎo)體氮化鎵 1.2k 0

氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別？有什么優(yōu)勢(shì)？

氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強(qiáng)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。

2023-09-11 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 3.8k 0

制造成本可降低90%，日本信越開發(fā)新技術(shù)

據(jù)了解，此次信越化學(xué)工業(yè)與OKI開發(fā)的新技術(shù)，可以在特有的基板上噴射鎵系氣體，使晶體生長。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合，可以從基板...

2023-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1.9k 0

對(duì)于第三代半導(dǎo)體氮化鎵，你知道多少？

氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且機(jī)械性能非常穩(wěn)定的寬禁帶半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，GaN基功率器...

2023-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1.4k 0

泰高技術(shù)攜手鎵宏半導(dǎo)體簽署GaN領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日，深圳市泰高技術(shù)與深圳鎵宏半導(dǎo)體有限公司達(dá)成了一項(xiàng)全面戰(zhàn)略合作協(xié)議，旨在增強(qiáng)企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展能力，提升產(chǎn)品競爭力。

2023-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵射頻芯片 1.6k 0

GaN加速商業(yè)化進(jìn)程國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景分析

氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...

2023-09-07 標(biāo)簽：氮化鎵氮化鎵電源 GaN 2.8k 0

納微第四代氮化鎵器件樹立大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)新標(biāo)桿

納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺(tái)在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標(biāo)桿

2023-09-07 標(biāo)簽：emi 靜電放電氮化鎵 1.8k 0

支持PD3.0，30W標(biāo)準(zhǔn)續(xù)航蘋果15充電頭解決方案

近期，展嶸再次給電源適配器開發(fā)了新的方案，支持PD3.0的30W氮化鎵充電頭，一共有兩個(gè)接口：A+C。該方案使用的是主控合封氮化鎵SW1123+同步SW...

2023-09-18 標(biāo)簽：蘋果氮化鎵 pd3.0 5.5k 0

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調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。

2023-09-04 標(biāo)簽：led SiC 氮化鎵 1.1k 0

國產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧

8月29日-31日，上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（簡稱PCIM Asia）在上海新國際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì)，本屆...

2023-09-02 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓逆變器 1.9k 0

蔚來增持晶湛半導(dǎo)體，或推進(jìn)氮化鎵加速“上車”

據(jù)了解，2022年，晶湛半導(dǎo)體先后完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資和C輪數(shù)億元融資。其中，C輪融資本是由蔚來資本、美團(tuán)龍珠領(lǐng)投，華興資本旗下華興新經(jīng)濟(jì)基金、欣柯...

2023-09-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子氮化鎵 1.2k 0

格恩半導(dǎo)體發(fā)布十多款氮化鎵半導(dǎo)體激光器

氮化鎵半導(dǎo)體激光器具有體積小、壽命長、效率高等優(yōu)點(diǎn)，波長范圍覆蓋可見光和紫外波段，應(yīng)用場(chǎng)景包括激光顯示、工業(yè)加工、激光照明、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領(lǐng)域...

2023-08-31 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光芯片 1k 0

首款氮化鎵充電樁發(fā)布氮化鎵充電更快嗎？

這款氮化鎵充電樁的外觀采用機(jī)甲身型設(shè)計(jì)，并進(jìn)行了金屬磨砂噴漆處理，內(nèi)嵌了燈帶，通過不同顏色的燈光狀態(tài)來顯示充電進(jìn)度：綠燈常亮表示已充滿，綠燈閃爍表示充電...

2023-08-30 標(biāo)簽：充電器適配器氮化鎵 1.8k 0

力生美攜快充方案可解決不同范圍內(nèi)的電壓需求

8日，亞洲充電展（秋季）在福田會(huì)展中心順利舉辦。作為充電行業(yè)最具人氣的展會(huì)，3天展會(huì)帶來過萬人次的流量，吸引了各行業(yè)內(nèi)的專家、采購、工程師來參觀交流。 ...

2023-08-29 標(biāo)簽：變壓器氮化鎵快充 1.5k 0

一種可以實(shí)現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面

近年來，太赫茲（THz）技術(shù)已經(jīng)成為第六代（6G）無線通信、雷達(dá)探測(cè)、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

2023-08-29 標(biāo)簽：無線通信諧振器氮化鎵 1.8k 0

氮化鎵芯片未來會(huì)取代硅芯片嗎？

氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。當(dāng)用于電...

2023-08-28 標(biāo)簽：芯片氮化鎵 GaN 2.9k 0

Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑

與安川電機(jī)公司合作取得的這項(xiàng)成果，充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺(tái)的基本優(yōu)勢(shì)。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 ...

2023-08-28 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵 511 0

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