Soitec將EpiGaN N.V更名為Soitec Belgium N.V. ，拓展用于5G射頻和功率系統(tǒng)產(chǎn)品組合

中國 / 法國貝寧，2020年7月14日創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國Soitec半導(dǎo)體公司近日宣布將EpiGaN N.V更名為Soite...

2020-07-14 標(biāo)簽：射頻氮化鎵5G 1.5k 0

三安集成：6英寸車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品線預(yù)計(jì)在2021年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

葉念慈介紹了三安集成可以提供的主要產(chǎn)品和解決方案；本次慕尼黑上海電子展上重點(diǎn)展示的產(chǎn)品和服務(wù)；SiC等第三代半導(dǎo)體技術(shù)在汽車上的應(yīng)用情況，以及三安集成在...

2020-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵射頻芯片碳化硅 1.6萬 0

可協(xié)助5G發(fā)展的技術(shù) 激子行為

據(jù)俄科院西伯利亞分院網(wǎng)站報(bào)道，該分院計(jì)算數(shù)學(xué)、數(shù)學(xué)地質(zhì)物理所、半導(dǎo)體物理所會(huì)同德國保羅—德魯?shù)鹿虘B(tài)電子學(xué)研究所（柏林）的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)計(jì)算了激子（一種準(zhǔn)粒...

2020-07-09 標(biāo)簽：氮化鎵5G 470 0

氮化鎵發(fā)展深度評(píng)估

從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的...

2020-07-06 標(biāo)簽：氮化鎵 2k 0

安世半導(dǎo)體2020年首發(fā)氮化鎵新品，透露了哪些信息？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）最近，聞泰科技發(fā)布公告稱將進(jìn)一步收購安世剩余股權(quán)，并將增資為安世半導(dǎo)體進(jìn)行工藝升級(jí)等項(xiàng)目。而在年初，安世半導(dǎo)體也任命了張學(xué)...

2020-06-17 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵安世半導(dǎo)體 9.6k 0

氮化鎵材質(zhì)的FET取代了傳統(tǒng)的硅材料

最近風(fēng)靡的氮化鎵充電器，對(duì)我們消費(fèi)者最直觀的感覺就是小。當(dāng)然，在充電功率等同的情況下，體積越大的充電器，散熱必然就越好，如果一個(gè)充電器不做好電路可靠性就...

2020-06-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 5.9k 0

Nexperia宣布推出新一代氮化鎵技術(shù)；中芯國際回復(fù)首輪問詢…

據(jù)有關(guān)媒體報(bào)道，近段時(shí)間內(nèi)，包括蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科、AMD等在內(nèi)，都紛紛向臺(tái)積電大幅追加第四季度的7nm訂單。第四季度是個(gè)耐人尋味的時(shí)間點(diǎn)，因?yàn)槊婪?月...

2020-06-09 標(biāo)簽：中芯國際氮化鎵Nexperia 5.1k 0

Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代650V氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

新一代氮化鎵技術(shù)針對(duì)汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用；新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK

2020-06-11 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵Nexperia 3.5k 0

支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)的TI LMG341xR050 GaN

TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開關(guān)損耗降低多...

2020-05-29 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換氮化鎵 3.3k 0

是什么讓PowiGaN與眾不同？

基于PowiGaN的開關(guān)電源IC可實(shí)現(xiàn)95％的高效率，輸出功率高達(dá)100 W。它們不僅適合大功率快速充電應(yīng)用，而且還為家電提供了無散熱片的電源解決方案，...

2020-05-19 標(biāo)簽：開關(guān)電源氮化鎵 3.8k 0

InnoSwitch3-MX隔離式開關(guān)電源IC產(chǎn)品系列擴(kuò)大陣容

InnoMux芯片組采用獨(dú)特的單級(jí)功率架構(gòu)，與傳統(tǒng)設(shè)計(jì)相比，可將顯示器應(yīng)用中的電源損耗降低50％，從而將恒壓和恒流LED背光驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的整體效率提高至91％。

2020-05-19 標(biāo)簽：集成電路開關(guān)電源氮化鎵 3.5k 0

就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目推進(jìn)開展“云洽談”

當(dāng)前，多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)項(xiàng)目落戶桂林，如桂林光芯片半導(dǎo)體工藝平臺(tái)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、華為智能制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目、桂林軍民融合電子生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目等。

2020-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵智能制造 2.9k 0

貿(mào)澤即日起供應(yīng)Qorvo的Custom MMIC全線產(chǎn)品

Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng)新解決方案制造商，致力于實(shí)現(xiàn)一個(gè)萬物互聯(lián)的世界。Qorvo最近收購了Custom MMIC，將其并入了自己的基礎(chǔ)設(shè)施...

2020-05-09 標(biāo)簽：氮化鎵噪聲放大器MMIC 1.1k 0

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

此外，與硅不同，GaN沒有體二極管，其在AlGaN/GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導(dǎo)電流（稱為“第三象限”操作）。因此，GaN沒有反向恢復(fù)電荷...

2020-04-29 標(biāo)簽：二極管氮化鎵晶片 4.1k 0

EPC公司利用氮化鎵技術(shù)設(shè)計(jì)應(yīng)用推出六個(gè)視頻實(shí)用范例

學(xué)習(xí)采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設(shè)計(jì)最先進(jìn)的人工智能、機(jī)械人、無人機(jī)、全自動(dòng)駕駛汽車及高音質(zhì)音頻系統(tǒng)。

2020-04-28 標(biāo)簽：EPC氮化鎵人工智能 4.1k 0

氮化鎵市場前景光明，快充技術(shù)越來越平民化

在5G、電動(dòng)車、電源裝置等應(yīng)用的推動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)需求已逐漸升溫。

2020-04-23 標(biāo)簽：氮化鎵快充技術(shù) 3.5k 0

欣憶電子第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目落戶廣西桂林高新區(qū) 一期總投資達(dá)16億元

近日，廣西桂林高新區(qū)管委會(huì)與位于中國臺(tái)灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項(xiàng)目推進(jìn)會(huì)，就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目推進(jìn)開展“云洽談”。

2020-04-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.1萬 0

IEEE發(fā)布半導(dǎo)體技術(shù)路線圖，助力碳化硅和氮化鎵材料發(fā)展

近日，為了促進(jìn)寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，IEEE電力電子學(xué)會(huì)（PELS）發(fā)布了寬帶隙功率半導(dǎo)體（ITRW）的國際技術(shù)路線圖。

2020-04-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 5.5k 0

浙江博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目開工 將對(duì)“中國芯”打造提供強(qiáng)勁助力

4月10日，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項(xiàng)目正式開工。

2020-04-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 6.4k 0

氮化鎵接連被手機(jī)廠商們“翻牌” 2025年全球GaN快充市場規(guī)模有望達(dá)600多億元

4月8日，華為舉行P40系列國行版線上發(fā)布會(huì)。發(fā)布會(huì)上，除了發(fā)布了P40系列三款新機(jī)等，余承東帶來了GaN（氮化鎵）雙口超級(jí)快充充電器，最大充電功率為6...

2020-04-10 標(biāo)簽：華為氮化鎵快充 3.9k 0