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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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關(guān)于用于功率和射頻的氮化鎵(GaN)的分析介紹和應(yīng)用
對于電容參數(shù)的描述,ASM GaN 是應(yīng)用場效應(yīng)板來解決的。當然,模型開發(fā)出來后,需要和真正的器件進行對比,比如用于PA和功率轉(zhuǎn)換等。
2019-09-08 標簽:數(shù)據(jù)功率氮化鎵 7.4k 0
成都電子科技大學團隊的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團隊在這方面所做的努力和成績。在先進節(jié)點方面,Negative Capacitance FET ...
關(guān)于GaN和LDMOS的關(guān)系 和未來的發(fā)展
如在S波段及以上,SIC基的GaN HEMT真的是唯一選擇,而介于兩者之間的話,主要挑戰(zhàn)就是平衡成本與性能,這方面做起來很難。下圖總結(jié)了三種晶體管的優(yōu)缺...
關(guān)于國內(nèi)第三代半導(dǎo)體廠商介紹
司擁有國際先進的德國愛思強MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線、晶圓在片檢測系統(tǒng)、可靠性測試系統(tǒng)和應(yīng)用開發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域,...
關(guān)于國內(nèi)的氮化鎵供應(yīng)商介紹
根據(jù)RESEARCH AND MARKETS發(fā)布的“氮化鎵半導(dǎo)體器件市場2023年全球預(yù)測”稱,氮化鎵器件市場預(yù)計將從2016年的165億美元,增長至2...
Navitas受邀“上汽大眾”路演 創(chuàng)新型氮化鎵技術(shù)脫穎而出
納微半導(dǎo)體今天宣布受邀參加上汽大眾站“Winnovation:Wins In Innovation”路演,該路演于2019年6月28日舉行。
Power Integrations全新InnoSwitch3AC-DC變換器IC可提供100W的功率輸出
深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓...
中國保持了原有的鎵產(chǎn)市場的主導(dǎo)地位但是尚未引起關(guān)注
倫敦羅斯基爾信息服務(wù)公司的顧問Alexandra Feytis說,由于中國保持了原有的鎵產(chǎn)量,大多數(shù)其他國家比如德國與哈薩克斯坦的鎵產(chǎn)量已經(jīng)減少。她表示...
近日,南京百識半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“百識”)第三代半導(dǎo)體項目正式落戶南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)(以下簡稱“浦口經(jīng)開區(qū)”)。
美國海軍陸戰(zhàn)隊與全球最大的雷達制造商諾斯洛普·格魯門(Northrop Grumman)簽訂了一份價值9.58億美元的合同。
美軍基于氮化鎵的雷達訂單由諾斯洛普執(zhí)行 價值9.58億美元
據(jù)報道,美國海軍陸戰(zhàn)隊與全球最大的雷達制造商諾斯洛普·格魯門(Northrop Grumman)簽訂了一份價值9.58億美元的合同,用于全速生產(chǎn)另外30...
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,或成5G時代的最大受益者之一
GaN器件則以高性能特點廣泛應(yīng)用于通信、國防等領(lǐng)域,在5G 時代需求將迎來爆發(fā)式增長。
毫無疑問,氮化鎵在半導(dǎo)體競爭中處于領(lǐng)先地位,可用于超級電源開關(guān)。
鑫谷將重磅發(fā)布全新昆侖電源概念版 引入氮化鎵半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)有望沖擊95%的超高轉(zhuǎn)換效率
臺北的五月皎陽似火,滾滾熱浪將肉眼可見的光線變得彎曲漲裂,如置身于鳳凰涅槃的火海。而更讓人心潮激蕩的是,COMPUTEX TAIPEI臺北國際電腦展將在...
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成 達產(chǎn)后可實現(xiàn)產(chǎn)值20億元
據(jù)新華社報道,近日,蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。
投資3億元,蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成
迎接5G無線通信對氮化鎵射頻芯片的市場需求,打造國產(chǎn)射頻芯片新品牌。
Soitec收購EpiGaN nv,整合氮化鎵優(yōu)勢
法國Soitec半導(dǎo)體公司宣布已與氮化鎵(簡稱GaN)外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達成最終協(xié)議,以3,000萬歐元現(xiàn)金收購EpiGaN公司。
法國一公司研發(fā)出一個生產(chǎn)高性能氮化鎵MicroLED顯示屏的新工藝 將更簡單且更高效
據(jù)報道,法國研究機構(gòu)Leti of CEA Tech研發(fā)出一個生產(chǎn)高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現(xiàn)有方法,這項新工藝更簡單且更高效。
中國積極布局第三代半導(dǎo)體材料!國內(nèi)都有哪些氮化鎵的供應(yīng)商?
Yole Developpement功率電子暨化合物半導(dǎo)體事業(yè)單位經(jīng)理PierricGueguen認為,碳化硅主要適用于600V以上的高功率應(yīng)用,氮化鎵...
2019-05-15 標簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 5.7萬 0
哪些射頻和微波技術(shù)將在2019年推動行業(yè)發(fā)展
在更高數(shù)據(jù)速率下的高功率效率: GaN具有軟壓縮特性,使其更容易預(yù)失真和線性化。因此,它更容易用于數(shù)字預(yù)失真(DPD)高效應(yīng)用。GaN能夠在多個蜂窩頻段...
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