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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

濟(jì)寧高新區(qū)舉辦2019年第一批重大項(xiàng)目集中開(kāi)工儀式

山大氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目由山東加睿晶欣新材料股份有限公司與山東大學(xué)進(jìn)行產(chǎn)學(xué)研合作,將氮化鎵單晶襯底實(shí)驗(yàn)室成果實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重點(diǎn)項(xiàng)目。項(xiàng)目總投資15億元,總建...

2019-03-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈 1.0萬(wàn) 0

盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體廠商

眾所周知,我國(guó)現(xiàn)在正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè),第三代半導(dǎo)體作為下一代電子產(chǎn)品的重要材料和元件,自然也受到了重點(diǎn)關(guān)注。

2019-02-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 2.0萬(wàn) 0

WBG功率器件的設(shè)計(jì)考慮

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1.2 驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)考慮

2019-04-08 標(biāo)簽:ti功率器件氮化鎵 5k 0

采用氮化鎵應(yīng)用模塊實(shí)現(xiàn)DCDC的設(shè)計(jì)

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氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(二)TI用氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)的DCDC設(shè)計(jì)方案

2019-04-03 標(biāo)簽:ti晶體管氮化鎵 6.2k 0

采用氮化鎵材料的電子器件在無(wú)橋PFC電路中的應(yīng)用(1)

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氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(三)TI氮化鎵器件在無(wú)橋PFC設(shè)計(jì)中的應(yīng)用(上)

2019-04-03 標(biāo)簽:tipfc氮化鎵 5.4k 0

采用氮化鎵材料的電子器件在無(wú)橋PFC電路中的應(yīng)用(2)

采用氮化鎵材料的電子器件在無(wú)橋PFC電路中的應(yīng)用(2)

氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(四)TI氮化鎵器件在無(wú)橋PFC設(shè)計(jì)中的應(yīng)用(下)

2019-04-03 標(biāo)簽:ti氮化鎵moseft 3.3k 0

基于氮化鎵和硅管的有源鉗位反激的拓?fù)涞难莼^(guò)程

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3.1 基于氮化鎵和硅管的有源嵌位反激變換器的比較(一)

2019-04-30 標(biāo)簽:ti拓?fù)?/a>氮化鎵 4.4k 0

采用氮化鎵材料的電子器件介紹

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氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(一)氮化鎵器件的介紹

2019-04-03 標(biāo)簽:ti電子器件氮化鎵 7.7k 0

晶電進(jìn)一步跨入5G通訊商機(jī),宣布與砷化鎵廠環(huán)宇-KY合作

晶電進(jìn)一步跨入5G通訊商機(jī),宣布與砷化鎵廠環(huán)宇-KY合作

環(huán)宇-KY董事長(zhǎng)黃大倫表示,公司目前在加州以4吋廠為主,由于產(chǎn)能不足,需要6吋廠的加入,主要看好未來(lái)5G基地臺(tái)布建的需求以及VCSEL手機(jī)臉部識(shí)別市場(chǎng),...

2019-01-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵人臉識(shí)別 4.9k 0

車規(guī)級(jí)eGaN?FET使得激光雷達(dá)系統(tǒng)看到更清晰、更高效、成本更低、更可靠

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)進(jìn)一步擴(kuò)大車規(guī)級(jí)氮化鎵產(chǎn)品系列 – 再多兩個(gè)產(chǎn)品成功通過(guò)國(guó)際汽車電子協(xié)會(huì)所制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證。

2019-01-24 標(biāo)簽:EPC氮化鎵 6.7k 0

GaN步步緊逼,LDMOS路在何方?

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在射頻和功率應(yīng)用中,氮化鎵(GaN)技術(shù)正在變得日益盛行。

2019-01-19 標(biāo)簽:射頻氮化鎵LDMOS 7.6k 0

探析寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)與氮化鎵的未來(lái)前景

過(guò)去一些年,功率電子行業(yè)的工程師一直處于一個(gè)非常尷尬的境地,一方面他們無(wú)法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率,但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間。

2019-01-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 5.9k 0

Anker推出全球首款采用氮化鎵材料的充電器 體積只比蘋果萬(wàn)年5W充電器略大一些

氮化鎵(GaN)被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料,應(yīng)用范圍非常廣,包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等,而用在充電器上可在超小體積上實(shí)現(xiàn)大功率輸出。

2019-01-03 標(biāo)簽:充電器氮化鎵Anker 1.8k 0

是否有其他可能引發(fā)功率GaN市場(chǎng)爆炸的殺手級(jí)應(yīng)用呢?

市場(chǎng)在引入新技術(shù)時(shí),成本是需要考慮的關(guān)鍵因素之一,但目前成本不是GaN的優(yōu)勢(shì)。GaN器件的主要競(jìng)爭(zhēng)者是硅基MOSFET,后者已經(jīng)上市多年,提供非常具有競(jìng)...

2018-12-24 標(biāo)簽:電源適配器氮化鎵 4.9k 0

探析意法半導(dǎo)體未來(lái)功率GaN路線圖

Yole電力電子技術(shù)與市場(chǎng)分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會(huì)面,討論意法半導(dǎo)體...

2018-12-24 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵 6.4k 0

德州儀器用2000萬(wàn)小時(shí)給出使用氮化鎵的理由

在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里。 我們幾個(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級(jí)電力電子研究實(shí)驗(yàn)室中,進(jìn)行一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是,話題始終圍繞著熱量,...

2019-01-01 標(biāo)簽:電子ti氮化鎵 2.9k 0

耐威科技子公司成功研制“8 英寸硅基氮化鎵外延晶圓

耐威科技表示,本次“8 英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓”的研制成功,使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長(zhǎng)時(shí)可靠性的...

2018-12-20 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵 6.7k 0

未來(lái)幾年GaN市場(chǎng)的營(yíng)收預(yù)測(cè)

未來(lái)幾年GaN市場(chǎng)的營(yíng)收預(yù)測(cè)

潘大偉表示,作為英飛凌四大業(yè)務(wù)之一的電源管理及多元化市場(chǎng)(簡(jiǎn)稱PMM)是公司第二大的營(yíng)收來(lái)源,這部分2017年的營(yíng)收了公司當(dāng)年總收入31%,僅次于汽車電...

2018-12-11 標(biāo)簽:電源管理晶體管氮化鎵 7.7k 0

英飛凌新推氮化鎵開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)芯片

隨著市場(chǎng)對(duì)高功率高電壓材料的需求增長(zhǎng),全球第三代半導(dǎo)體材料開(kāi)始備受關(guān)注。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和...

2018-12-06 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵 9k 0

探討軍用雷達(dá)發(fā)展史和新體制雷達(dá)發(fā)展方向

《兵器知識(shí)》就中國(guó)軍用雷達(dá)發(fā)展史、相控陣?yán)走_(dá)的先進(jìn)性、空警 500 等國(guó)產(chǎn)雷達(dá)的發(fā)展,專訪了毛二可院士。

2018-11-30 標(biāo)簽:雷達(dá)氮化鎵 1.9萬(wàn) 0

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伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國(guó)民技術(shù) Microchip
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st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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