IR開始商業(yè)裝運氮化鎵器件

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商–國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測試并裝運...

2013-05-14 標簽：功率器件氮化鎵IR公司 1.2k 0

何時應對寬能帶隙材料時代？

對于功率電子而言，寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本，顯著改善效率、尺寸及重量等指標。簡單地說，寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導通和開關(guān)性能，這種性能提...

2012-11-26 標簽：氮化鎵碳化硅寬能帶隙 1.5k 0

未來的材料寵兒“碳化硅”和“氮化鎵”

在功率元器件的發(fā)展中，主要半導體材料當然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力...

2012-11-21 標簽：氮化鎵碳化硅 1.0萬 0

富士通半導體明年量產(chǎn)氮化鎵功率元件

富士通半導體有限公司臺灣分公司宣佈，成功透過硅基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應器達到2.5kW的高輸出功率，并擴大電源供應的增值應用，實現(xiàn)低...

2012-11-21 標簽：氮化鎵功率元件 1.6k 0

氮化鎵在射頻通信中應用

本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比，氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和...

2011-12-12 標簽：氮化鎵射頻通信 1.7k 0

RFMD推出氮化鎵功率倍增模塊RFCM2680

RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵...

2011-11-16 標簽：功率氮化鎵RFMD 1.6k 0

宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強型氮化鎵FET

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN) FET

2011-03-18 標簽：FET氮化鎵宜普 2.6k 0

RFMD高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)RF3

　　日前，高性能射頻組件以及復合半導體技術(shù)設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產(chǎn)RF3932，這種無與倫...

2010-12-01 標簽：功率氮化鎵GaN 1.6k 0

IR推出高效率氮化鎵功率器件

IR推出高效率氮化鎵功率器件 目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個改善的空間已經(jīng)不大了

2010-05-10 標簽：IR氮化鎵功率器 1.3k 0