漏電流

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漏電流分為四種，分別為：半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時(shí)流過的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置，G-S反向偏置，導(dǎo)電溝道打開后，D到S才會(huì)有電流流過。但實(shí)際上由于自由電子的存在，自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。

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漏電流技術(shù)

一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域，用來監(jiān)測航空發(fā)動(dòng)機(jī)、重型燃?xì)廨啓C(jī)、燃煤燃?xì)忮仩t等動(dòng)力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力，耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。

2024-01-23 標(biāo)簽：多晶硅 mems 壓力傳感器 6.4k 0

Y電容的測試方法和注意事項(xiàng)

Y電容是一種常見的被動(dòng)元件，用于濾波和穩(wěn)壓電路中。在實(shí)際應(yīng)用中，需要對Y電容進(jìn)行測試以確保其正常工作。本文將介紹Y電容的測試方法和注意事項(xiàng)。

2023-09-12 標(biāo)簽：電容器穩(wěn)壓電路漏電流 6.2k 0

穩(wěn)壓管和tvs管的區(qū)別 tvs管可以當(dāng)穩(wěn)壓管用嗎

TVS有單向和雙向的區(qū)分，穩(wěn)壓管都是單向的；

2023-08-08 標(biāo)簽：TVS TVS二極管穩(wěn)壓管 6.2k 0

芯片異常漏電幾種情況分析

門電路的輸入端懸空，有可能導(dǎo)致PMOS和NMOS同時(shí)導(dǎo)通，存在短路電流，如果MOS管的尺寸越大表現(xiàn)出來的漏電流就越大.

2023-12-08 標(biāo)簽：芯片 ldo MOS管 5.8k 0

漏電流傳感器原理_漏電流傳感器的應(yīng)用

漏電流傳感器是一種依據(jù)互感器電磁隔離、磁調(diào)制工作原理將被測交流微電流、直流隔離轉(zhuǎn)換成線性比例的直流電流、直流電壓等標(biāo)準(zhǔn)模擬信號或RS485數(shù)字信號的裝置...

2019-09-05 標(biāo)簽：傳感器漏電流 5.8k 0

求一種組串式逆變器針對P型、N型光伏組件PID效應(yīng)的解決方案

近期有客戶詢問關(guān)于PID效應(yīng)的問題，希望了解PID效應(yīng)原理以及P型、N型光伏組件PID機(jī)理和區(qū)別。

2024-01-12 標(biāo)簽：逆變器光伏漏電流 5.7k 0

別再把“泄露電流”與“耐壓漏電流”混淆了！

泄露電流相對比較小，一般零點(diǎn)幾毫安，比如220VAC/0.42ma，漏電流相對較大，一半幾毫安到幾十毫安，比如2000VAC/5ma，當(dāng)然也有漏電流有求...

2023-07-16 標(biāo)簽：電容電氣漏電流 5.6k 0

光伏逆變器漏電流檢測RCMU與EMC問題的探討

在現(xiàn)如今的電子類產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，由于相關(guān)認(rèn)證法規(guī)的強(qiáng)制要求，對產(chǎn)品和人身安全認(rèn)知的加強(qiáng)，產(chǎn)品的EMC等級要求變的十分苛刻。

2023-10-20 標(biāo)簽：電磁兼容 emc 電磁波 5.5k 0

數(shù)字源表如何測試MOS管電性能

MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件，可以廣泛應(yīng) 用在模擬電路和數(shù) ...

2022-12-09 標(biāo)簽：測試 MOSFET MOS管 5.5k 0

MOS管泄漏電流,各種漏電流及減小泄露方法介紹

理想的MOS晶體管不應(yīng)該有任何電流流入襯底或者阱中，當(dāng)晶體管關(guān)閉的時(shí)候DS之間不應(yīng)該存在任何的電流。但是，現(xiàn)實(shí)中MOS卻存在各種不同的漏電流。漏電流一方...

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變壓器的絕緣—線圈絕緣介紹

變壓器絕緣結(jié)構(gòu)是變壓器中非常重要的組成部分，它能夠有效地隔離高壓和低壓部分，保證變壓器的正常運(yùn)行。

2023-12-22 標(biāo)簽：絕緣電阻擊穿電壓漏電流 5.3k 0

芯片功耗的IR分析

低功耗設(shè)計(jì)的重要性，從下圖可窺一斑，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)演化，45nm工藝的動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。

2023-04-04 標(biāo)簽：NMOS 低功耗設(shè)計(jì)漏電流 5.2k 0

壓敏電阻的參數(shù)詳解

壓敏電阻以其獨(dú)特的電壓敏感特性，成為了電路保護(hù)與穩(wěn)壓的重要元件。其性能參數(shù)不僅決定了壓敏電阻的工作效果，更直接影響著整個(gè)電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性與安全性。因此，...

2024-09-26 標(biāo)簽：壓敏電阻電壓漏電流 5k 0

CP，F(xiàn)T，WAT都是與芯片的測試有關(guān)，他們有什么區(qū)別呢？如何區(qū)分？

CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。

2024-05-09 標(biāo)簽：晶圓芯片封裝擊穿電壓 4.9k 0

什么是耐壓測試儀？耐壓測試儀能測絕緣電阻嗎

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2024-05-07 標(biāo)簽：絕緣電阻漏電流耐壓測試儀 4.9k 0

這篇讓你快速搞懂IGBT的靜態(tài)特性

IGBT的靜態(tài)特性其實(shí)并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。

2023-11-27 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 靜態(tài)特性 4.9k 0

漏電流和泄漏電流有什么區(qū)別？

漏電流和泄漏電流這兩個(gè)術(shù)語在電氣工程領(lǐng)域經(jīng)常被提及，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在測試條件、測量方法和應(yīng)用場景上

2024-04-08 標(biāo)簽：漏電流泄漏電流 4.7k 0

講講MOS管的選型參數(shù)

選取9個(gè)重要的參數(shù)，包括閾值電壓、工作電壓、工作電流、開啟關(guān)閉速度等。

2023-10-08 標(biāo)簽：MOS管漏電流 PWM波 4.6k 0

貼片電容封裝大小性能差異大嗎

貼片電容封裝大小的性能差異是存在的，并且這些差異在多個(gè)方面都有所體現(xiàn)。以下是對這些差異的具體分析： 1. 損耗與漏電流封裝尺寸大的貼片電容：損耗小，...

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什么是負(fù)載開關(guān)IC？使用負(fù)載開關(guān)IC的優(yōu)點(diǎn) 負(fù)載開關(guān)IC的便捷功能

負(fù)載開關(guān)IC是以串聯(lián)方式插入電源與負(fù)載電路或IC之間的一個(gè)半導(dǎo)體開關(guān)。

2024-02-17 標(biāo)簽：電源管理電池充電器負(fù)載開關(guān) 4.5k 1

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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聲紋識別，生物識別技術(shù)的一種，也稱為說話人識別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識別就是把聲信號轉(zhuǎn)換成電信號，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡單的端對端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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所謂識別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識別技術(shù)，通過被識別物體與識別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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漏電流

漏電流技術(shù)

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